一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法技术

本发明专利技术提出了一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法，涉及激光器技术领域，具体方案包括：包括具有多个同心圆环结构的超表面，所述超表面，是在钙钛矿薄膜上，沿圆环路径，连续设置微纳结构单元；所述微纳结构单元中心设置有空气孔，规则排列的微纳结构单元构成BIC谐振腔，用于在泵浦光激发下得到增益后的激光，并将光束聚焦目标聚焦位置；本发明专利技术将卤化钙钛矿制备的BIC微纳激光器与可实现聚焦功能的超表面相结合，可自主实现激光光束的聚焦，无需添加聚焦透镜，激光器尺寸仅为10微米左右，便于实现片上集成。便于实现片上集成。便于实现片上集成。

【技术实现步骤摘要】
一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法


[0001]本专利技术属于激光器
，尤其涉及一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法。

技术介绍

[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本专利技术相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
[0003]半个世纪以来，半导体技术产业基本按照摩尔定律发展，而随着信息技术的进一步发展，诸如云计算、物联网、人工智能等新兴领域的兴起，对半导体技术提出了更高的要求，高集成度、低功耗、高速度成为现代信息技术产业的主流发展方向；越来越多的人认为这一定律将无法预测现代半导体信息技术的进一步发展，针对上述问题，人们正在积极探索尝试各种解决方案，其中，通过光电集成，结合光子与电子的优势，制备光电集成器件被认为是最具潜力的方向之一；将微电子和光电子结合起来，在同一芯片上集成光子学器件和电子学器件，充分发挥微电子先进成熟的工艺技术以及光子高带宽、高速率及抗干扰性的优势，使得光电集成芯片在后摩尔定律时代的器件发展领域极具竞争力。
[0004]激光器作为片上光源，是其小型化是实现光电集成十分重要的一环。随着纳米加工等技术的发展，半导体激光器的小型化取得了长足进展，但在实用层面上，微纳激光器仍然存在着问题，例如：器件尺寸小，模式匹配困难，光损耗较大，实际输出功率较小，对增益介质等材料的要求较高，导致成本高等问题。通常在微纳激光器件构成的系统中，尤其是各种微纳器件之间光信号的相互耦合，常使用超表面构成的超透镜等衍射器件，实现进一步提高集成度的目的；但在实际应用中，微纳激光器和超表面器件在制作、装配和封装上，需要两个器件在微米或者亚微米尺寸上进行对准，操作难度极大，无法在真正意义上实现微纳的小型化。

技术实现思路

[0005]为克服上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法，将卤化钙钛矿制备的BIC微纳激光器与可实现聚焦功能的超表面相结合，可自主实现激光光束的聚焦，无需添加聚焦透镜，激光器尺寸仅为10微米左右，便于实现片上集成。
[0006]为实现上述目的，本专利技术的一个或多个实施例提供了如下技术方案：
[0007]本专利技术第一方面提供了一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器。
[0008]一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器，包括具有多个同心圆环结构的超表面，所述超表面，是在钙钛矿薄膜上，沿圆环路径，连续设置微纳结构单元；
[0009]所述微纳结构单元中心设置有空气孔，规则排列的微纳结构单元构成BIC谐振腔，用于在泵浦光激发下得到增益后的激光，并将光束聚焦目标聚焦位置。
[0010]其中，依据目标谐振频率和目标聚焦位置，设置每个圆环与圆心的距离及微纳结
构单元的参数值，保证所有微纳结构单元具有相同的谐振频率，且同一圆环上微纳结构单元的参数值相同，所述微纳结构单元的参数包括空气孔尺寸和微纳结构单元尺寸。
[0011]进一步的，所述钙钛矿薄膜，由钙钛矿材料采用热蒸发或者溶液法合成制备而成。
[0012]优选的，钙钛矿薄膜厚度设置为650nm。
[0013]优选的，所述超表面设置四个同心圆环；
[0014]所述圆环与圆心的距离，从内环到外环，分别为2.3μm、4.0μm、5.4μm和7.5μm；
[0015]所述空气孔尺寸，从内环到外环，分别为120nm、102nm、84nm和52nm；
[0016]所述微纳结构单元尺寸，从内环到外环，分别为500nm、472nm、431nm和203nm；
[0017]所述目标聚焦位置，为光束焦点距离超表面50微米。
[0018]进一步的，还包括泵浦源和隔离层，所述泵浦源用于产生泵浦光，所述隔离层作为超表面的衬底，起到支撑的作用。
[0019]本专利技术第二方面提供了一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器的设计方法。
[0020]一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器的设计方法，包括：
[0021]获取目标谐振频率、目标聚焦位置及制备的钙钛矿薄膜厚度；
[0022]依据目标谐振频率和目标聚焦位置，求解每个圆环与圆心的距离及微纳结构单元的参数值，保证所有微纳结构单元具有相同的谐振频率，且同一圆环上微纳结构单元的参数值相同，所述微纳结构单元的参数包括空气孔尺寸和微纳结构单元尺寸；
[0023]基于求解的结果，在制备的钙钛矿薄膜上沿圆环路径连续设置微纳结构单元。
[0024]进一步的，所述求解每个圆环与圆心的距离及微纳结构单元的参数值，具体为：
[0025]基于钙钛矿薄膜厚度，计算不同参数值的微纳结构单元的谐振频率；
[0026]选择谐振频率等于目标谐振频率的微纳结构单元；
[0027]根据目标聚焦位置和目标谐振频率，计算到目标聚焦位置的所有菲涅尔半波带，选择能排列整数个所选微纳结构单元的菲涅尔半波带作为圆环，并得到每个圆环到圆心的距离；
[0028]依据各个圆环的位置及谐振频率符合条件的微纳结构单元的参数值，为各个圆环选取微纳结构单元。
[0029]进一步的，所述计算不同参数值的微纳结构单元的谐振频率，具体为：
[0030]利用有限元分析及时域有限差分法，得到不同参数值与谐振频率的关系；依据关系，计算不同参数值的谐振频率。
[0031]进一步的，所述得到每个圆环到圆心的距离，具体为：
[0032]根据钙钛矿薄膜上不同位置到目标聚焦位置的光程、目标聚焦位置和目标谐振频率对应的光波长，计算各个圆环的位置，即圆环到圆心的距离。
[0033]进一步的，所述为各个圆环选取微纳结构单元，具体为：
[0034]计算不同位置的圆环到目标聚焦位置的光学相位值，将不同位置的光学相位值与谐振频率满足条件的微纳结构单元进行匹配，对位置进行离散化处理，得到每个圆环上的每一个微纳结构单元的具体位置。
[0035]以上一个或多个技术方案存在以下有益效果：
[0036]与现有设计所使用材料相比，现有微纳激光器多采用第二代、第三代半导体，其制备成本高，本专利技术采用卤化钙钛矿通过溶液法或者热沉积法合成制备钙钛矿薄膜，作为BIC
微纳激光器，在钙钛矿薄膜上，选取特定的微纳结构单元，构建具有聚焦功能的超表面结构，得到自聚焦钙钛矿激光器，步骤简单，成本较低。
[0037]与现有设计相比，本专利技术采用优选的超表面结构设计和参数，降低了光损耗，品质因子达到1200，与其他的BIC钙钛矿激光器相比，品质因子提升了42.5％。
[0038]与现有应用器件相比，本专利技术将BIC微纳激光器与可实现聚焦功能的超表面相结合，可自主实现激光光束的聚焦，无需添加聚焦透镜，激光器尺寸仅为10微米左右，便于实现片上集成。
[0039]本专利技术附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0040]构成本专利技术的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器，其特征在于，包括具有多个同心圆环结构的超表面，所述超表面，是在钙钛矿薄膜上，沿圆环路径，连续设置微纳结构单元；所述微纳结构单元中心设置有空气孔，规则排列的微纳结构单元构成BIC谐振腔，用于在泵浦光激发下得到增益后的激光，并将光束聚焦目标聚焦位置；其中，依据目标谐振频率和目标聚焦位置，设置每个圆环与圆心的距离及微纳结构单元的参数值，保证所有微纳结构单元具有相同的谐振频率，且同一圆环上微纳结构单元的参数值相同，所述微纳结构单元的参数包括空气孔尺寸和微纳结构单元尺寸。2.如权利要求1所述的一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器，其特征在于，所述钙钛矿薄膜，由钙钛矿材料采用热蒸发或者溶液法合成制备而成。3.如权利要求1所述的一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器，其特征在于，优选的，钙钛矿薄膜厚度设置为650nm。4.如权利要求1所述的一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器，其特征在于，优选的，所述超表面设置四个同心圆环；所述圆环与圆心的距离，从内环到外环，分别为2.3μm、4.0μm、5.4μm和7.5μm；所述空气孔尺寸，从内环到外环，分别为120nm、102nm、84nm和52nm；所述微纳结构单元尺寸，从内环到外环，分别为500nm、472nm、431nm和203nm；所述目标聚焦位置，为光束焦点距离超表面50微米。5.如权利要求1所述的一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器，其特征在于，还包括泵浦源和隔离层，所述泵浦源用于产生泵浦光，所述隔离层作为超表面的衬底，起到支撑的作用。6.一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器的设计方法，其特征在于，获取目标谐振频率、目标聚焦位置及制备的钙钛矿薄膜厚度；依据目标谐振频率和目标聚焦位置，求解每个圆环与圆心的距离及微纳结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：寇慧玲，程晨，刘畅，周玉翔，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：