一种自耦合的微盘腔及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种自耦合的微盘腔及其制作方法，其中方法包括：在光纤的一端制备微球腔；悬挂微球腔，对微球腔进行扁平化处理，得到自耦合的微盘腔。本发明专利技术实施例的技术方案，在光纤的一端制备微球腔，进而在微球腔的基础上进行扁平化处理，得到无需耦合的微盘腔结构，解决了传统使用掩膜版并通过刻蚀制备微盘腔的制作方法，操作复杂且对于操作精度的要求较高的问题，实现了操作简单，成品率较高且制备得到的无需耦合的微盘腔具备稳定性高、使用方便、抗干扰性强的特点，可用于各种折射率的接触型和非接触型传感，可作为独立的器件即插即用，具有广阔的应用前景。具有广阔的应用前景。具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种自耦合的微盘腔及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光纤器件和制备
，尤其涉及一种自耦合的微盘腔及其制作方法。

技术介绍

[0002]回音壁模式光学微腔是一种尺寸分布从微米到毫米量级的谐振腔，可将光子长时间限制在极小空间区域中，增强光与物质的相互作用，被广泛应用于超声传感、精密传感、高速通信、光场调控等领域。
[0003]常规的回音壁模式光学微腔包括微环腔和微盘腔，通常采用光刻或化学腐蚀的方法进行制备，且在后续耦合器件制备过程中常通过与外部耦合器件耦合的方式实现模式检测，然而光刻法或化学腐蚀法均存在操作繁琐且精度要求高的问题，且外部耦合器件通过倏逝场与微腔耦合构成的器件稳定性较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种自耦合的微盘腔及其制作方法，以解决现有的刻蚀制备微盘腔的方法，操作繁琐且操作精度较高，以及现有通过光纤倏逝场耦合的微盘腔结构稳定性差，易受环境影响的问题。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种自耦合的微盘腔的制作方法，包括：
[0006]S10、在光纤的一端制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自耦合的微盘腔的制作方法，其特征在于，包括：S10、在光纤的一端制备微球腔；S20、悬挂所述微球腔，对所述微球腔进行扁平化处理，得到自耦合的所述微盘腔。2.根据权利要求1所述的自耦合的微盘腔的制作方法，其特征在于，在所述S20之前，还包括：将所述微球腔与耦合模式监控系统连接；所述S20包括：对所述微球腔进行扁平化处理，同时监控扁平化处理过程中，所述微盘腔的耦合模式；响应于所述耦合模式满足要求，得到自耦合的微盘腔。3.根据权利要求1所述的自耦合的微盘腔的制作方法，其特征在于，所述对所述微球腔进行扁平化处理包括：将两块光滑基板分别置于所述微球腔的两侧；使用二氧化碳激光器对所述微球腔进行烧制，同时控制所述光滑基板挤压所述微球腔；其中，所述光滑基板的熔点大于所述微球腔的熔点。4.根据权利要求1所述的自耦合的微盘腔的制作方法，其特征在于，所述对所述微球腔进行扁平化处理包括：使用飞秒激光器，沿竖直方向对所述微球腔进行切割；其中，所述竖直方向为所述光纤悬挂时的延伸方向。5.根据权利要求1所述的自耦合的微盘腔的制作方法，其特征在于，所述对所述微球腔进行扁平化处理包括：将两块磨砂基板分别置于所述微球腔的两侧，并对所述微球腔形成挤压；沿竖直方向移动两块所述磨砂基板，并保持对所述微球腔的挤压；反复移动所述磨砂基板，使得所述微球腔扁平；其中，所述磨砂基板的磨砂面位于所述磨砂基板靠近所述微球腔的一侧；所述竖直方向为所述光纤悬挂时的延伸方向。6.根据权利要求1所述的自耦合的微盘腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖云峰，孙伽略，季胜强，张方醒，皇甫胜男，柏雁捷，
申请(专利权)人：北京大学长三角光电科学研究院，
类型：发明
国别省市：