冲击吸收粘合片制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供即使冲击吸收层变薄也能够充分吸收由电子部件等碰撞带来的冲击、能够无损伤无位置偏差地接收电子部件的冲击吸收粘合片。本发明专利技术的冲击吸收粘合片(1)具有至少1层粘合剂层(10)。因针对粘合剂层(10)的下述条件的热机械分析(TMA)而形成的下陷深度相对于粘合剂层(10)的厚度的比例(下陷深度/厚度

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】冲击吸收粘合片


[0001]本专利技术涉及冲击吸收粘合片。更详细而言，本专利技术涉及可适宜地用于转印半导体芯片、LED芯片等小型电子部件的冲击吸收粘合片。

技术介绍

[0002]在半导体装置制造过程中，通常以临时固定在切割带上的状态将半导体晶圆通过切割而单片化，单片化的半导体芯片从晶圆背面的切割带侧被针构件顶起，被称为吸嘴的吸附治具拾取，安装在电路基板等安装基板上(例如专利文献1)。
[0003]但是，由于微细加工技术的进步，半导体芯片的小型化、薄型化不断推进，用吸嘴一个一个地拾取变得越来越困难。另外，半导体装置的小型化也在推进，需要将很多微细的半导体芯片密集地安装在安装基板上，通过吸嘴一个一个地安装的方式还存在效率差的问题。
[0004]作为解决上述问题的手段，正在研究称为激光转移的技术(例如，参照专利文献2)。激光转移首先在临时固定材料上将半导体芯片等小型(例如边长为100μm以下的尺寸的方形)电子部件配置成格子状，并且使配置电子部件的面朝向下方地进行配置。然后，与该临时固定材料的配置有电子部件的面相对且设有间隙地配置用于转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种冲击吸收粘合片，其特征在于，其具有至少1层粘合剂层，因针对所述粘合剂层的下述条件的热机械分析(TMA)而形成的下陷深度相对于所述粘合剂层的厚度的比例(下陷深度/厚度
×
100)为10％以上，
·
热机械分析(TMA)探针直径：1.0mm模式：针入模式压入载荷：0.05N测定气氛温度：
‑
40℃压入负荷时间：20分钟。2.根据权利要求1所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层在常温下的探针粘性值为10N/cm2以上且42N/cm2以下。3.根据权利要求1或2所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层在频率100kHz、25℃下的储能模量(Pa)的常用对数(Log
10
G')为7.5以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层在频率100kHz、25℃下的损耗系数(tanδ)为0.8以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层对不锈钢的常温下的粘合力(所述粘合剂层由辐射线固化性粘合剂形成时为辐射线固化后的粘合力)为0.01N/20mm以上且4.2N/20mm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层对不锈钢的常温下的粘合力(所述粘合剂层由辐射线固化性粘合剂形成时为辐射线固化后的粘合力)为1N/20mm以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层由辐射线固化性粘合剂形成。8.根据权利要求1～7中任一项所述的冲击吸收粘合片，其中，所述粘合剂层的厚度为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤和通，上野周作，平山高正，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：