一种MoS2/Ti2CT制造技术

本发明专利技术属于微波吸收材料领域，具体公开了一种MoS2/Ti2CT

【技术实现步骤摘要】
一种MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于微波吸收材料领域，具体涉及一种MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，电磁干扰问题日益严重，对电磁屏蔽材料提出了更高的要求，需要制造屏蔽效率更高、覆盖范围更广、轻便且性能稳定的材料。MXene是具有类石墨烯结构的材料，由于其独特的性能，它在储能、吸附、催化、光电转换、传感器和电磁屏蔽等方面极具研究价值。尤其是MXene材料具有的高导电性(可高达2
×
104S/cm)和层状结构，使其成为极具潜质的电磁屏蔽候选材料。另一方面，以MoS2为代表的过渡金属硫化物具有特殊的能带结构(当二硫化钼由块体转为单层时，能带结构由间接带隙变为直接带隙，带隙宽度约1.9eV)、优秀的机械性能等，在纳米电子器件和光电子等诸多领域中具有广阔的应用前景。通过将MoS2与MXene材料复合，可提高MXene材料的吸波性能。
[0003]水热法因反应温度不高，过程易于控制，适用性广，原料相对价廉易得及产物拥有特殊的形貌等优势，已被广泛应用于MoS2/MXene纳米复合物的制备中。但水热法制备MoS2/MXene复合材料仍存在制备周期长、产量有限，以及MXene在水热环境下易氧化的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的问题和不足，本专利技术的目的旨在提供一种MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料及其制备方法。
[0005]为实现专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0006]本专利技术提供一种MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料的制备方法，所述方法为：将Ti2CT
x MXene、钼酸铵和硫脲溶解在聚乙二醇中，混匀得到混合溶液，将混合溶液加热至190℃～240℃，反应结束后冷却至室温，反应产物经洗涤、干燥后即得MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料。
[0007]根据所述的制备方法，优选地，所述聚乙二醇的分子量为200～400。
[0008]根据所述的制备方法，优选地，所述Ti2CT
x MXene与钼酸铵的质量比为1：8～12，所述Ti2CT
x MXene与硫脲的质量比为1:15～30。
[0009]根据所述的制备方法，优选地，所述加热方式为微波加热。
[0010]根据所述的制备方法，优选地，所述加热时间为20～40min。
[0011]根据所述的制备方法，优选地，所述加热过程的升温速率为80～100℃/min。
[0012]根据所述的制备方法，优选地，所述洗涤是将产物用乙醇进行洗涤。
[0013]根据所述的制备方法，优选地，所述Ti2CT
x MXene是将Ti2AlC粉末加入到LiF和盐酸的混合溶液中加热制备而成的。
[0014]本专利技术第二方面提供一种第一方面制备的MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0016](1)传统水热法在制备MoS2/MXene纳米复合物时采用水作溶剂，当加热温度超过100℃后，反应液沸腾易使反应物氧化。本专利技术为MoS2/MXene纳米复合物提供了一种新的制备方法，该方法选用聚乙二醇溶剂，190℃～240℃的加热温度仍低于反应液的沸点，解决了传统水热法易发生MXene氧化的问题，同时，通过微波反应装置加热体系，更短的反应时间也大大降低了Ti2CT
x MXene氧化的可能。
[0017](2)本专利技术以Ti2CT
x MXene为主体，将Ti2CT
x
加入到MoS2的前驱体中，通过微波溶剂热将硫化钼负载到Ti2CT
x
基体上，获得一种新型MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料。微波溶剂热复合后，复合物中的Ti2CT
x
仍保持多层片状结构，MoS2均匀地生长在Ti2CT
x
的片层上，Ti2CT
x
与MoS2协同作用对入射微波进行吸收。
[0018](3)本专利技术制备的MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料的具有较好的微波吸收性能，其RL
min
最小为
‑
53.26dB，有效带宽在2.0～4.50GHz内。
附图说明
[0019]图1为对比例1～3和实施例1～3制备的材料的XRD图；
[0020]图2为实施例2制备的MoS2/Ti2CT
x
复合吸波材料的XRD细节图；
[0021]图3为对比例1、对比例3和实施例1～3制备的材料的SEM图；
[0022]图4为对比例1、2和实施例1～3制备的材料的阻抗匹配等高线图；
[0023]图5为对比例1制备的Ti2CT
x
材料的三维反射损耗图和二维反射损耗等高线图；
[0024]图6为对比例2制备的MoS2/Ti2CT
x
材料的三维反射损耗图和二维反射损耗等高线图；
[0025]图7为实施例1制备的MoS2/Ti2CT
x
复合吸波材料的三维反射损耗图和二维反射损耗等高线图；
[0026]图8为实施例2制备的MoS2/Ti2CT
x
复合吸波材料的三维反射损耗图和二维反射损耗等高线图；
[0027]图9为实施例3制备的MoS2/Ti2CT
x
复合吸波材料的三维反射损耗图和二维反射损耗等高线图。
具体实施方式
[0028]以下实施例仅适用于对本专利技术进行进一步阐述。应该说明的是，本专利技术所使用的所有技术以及科学术语除另有说明外具有与本专利技术所属
相同的含义。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，均采用本
常规技术，或按照生产厂商所建议的条件；所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
[0029]为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本专利技术的技术方案，以下将结合具体的实施例详细说明本专利技术的技术方案。
[0030]实施例1
[0031](1)Ti2CT
x
的制备：
[0032]量取50mL 8mol/L盐酸于烧杯中，向其中加入2.5g LiF粉末，混匀得到刻蚀溶液。向刻蚀溶液中缓慢加入2g Ti2AlC粉末，40℃下磁力搅拌48h，反应结束后通过高速离心的方法依次用去离子水、稀盐酸和无水乙醇洗涤沉淀物，将沉淀物干燥后即得到黑色的Ti2CT
x
粉末。
[0033](2)MoS2/Ti2CT
x
的制备：
[0034]称取0.1000g Ti2CT
x
粉末、0.6618g四水合钼酸铵和1.4266g硫脲溶解于150mL聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料的制备方法，其特征在于，将Ti2CT
x MXene、钼酸铵和硫脲溶解在聚乙二醇中，混匀得到混合溶液，将混合溶液加热至190℃～240℃，反应结束后冷却至室温，反应产物经洗涤、干燥后即得MoS2/Ti2CT
x MXene复合吸波材料。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚乙二醇的分子量为200～400。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Ti2CT
x MXene与钼酸铵的质量比为1：8～12，所述Ti2CT
x MXene与硫脲的质量比为1:15～3...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗保记，曹燕格，王风云，陈秋玲，张一帆，张永辉，
申请(专利权)人：河南工业大学，
类型：发明
国别省市：