一种功率ＭＯＳ管并联高精度大电流均流控制器，其特征在于：由控制器（１）以及Ｎ个并联的电流反馈射极跟随器（２）构成，各电流反馈射极跟随器（２）分别通过通讯线与控制器（１）连接；电流反馈射极跟随器（２）包括一个运算放大器（３）和Ｎ个功率ＭＯＳ管（６）；其中，各功率ＭＯＳ管（６）的栅极分别通过一个驱动电阻（５）接于运算放大器（３）的输出端，各功率ＭＯＳ管（６）的漏极并联，各功率ＭＯＳ管（６）的源极各自通过一个功率电阻（７）并联，各功率ＭＯＳ管（６）的源极分别通过一个反馈电阻（４）接在运算放大器（３）的负端。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电流控制器，特别是涉及一种大电流恒流 控制器。
技术介绍
目前，功率MOS管作为大电流可调负载已在现代电子技术 中得到了大量运用；随着技术的进步，虽然功率MOS管单管的功率越来越 大，但在大多数情况下，单只功率MOS管仍然无法满足使用要求。如在大 型蓄电池恒流放电时，需要上万安培电流的电子恒流负载，功率从几十千 瓦到上千千瓦(蓄电池额定电压2V到160V)，需要将成百上千的大功率M0S 管并联使用。由于功率MOS管的离散性，在相同电流下所需的驱动电压偏 差较大，若在相同的驱动电压下采用简单的并联则会造成各并联功率MOS 管电流分配不均，从而会因功率不平衡而引起功率MOS管大量损坏。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述缺陷，本专利技术旨在提供一种能 对电流进行精确控制的功率MOS管并联高精度大电流均流控制器。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案它由控制器以及N个 并联的电流反馈射极跟随器构成，各电流反馈射极跟随器分别通过通讯线 与控制器连接；电流反馈射极跟随器包括一个运算放大器和N个功率MOS 管；其中，各功率MOS管的栅极分别通过一个驱动电阻接于运算放大器的 输出端，各功率MOS管的漏极并联，各功率MOS管的源极各自通过一个功 率电阻并联，各功率MOS管的源极分别通过一个反馈电阻接在运算放大器 的负端。控制器为带有电流采样及D/A输出控制的单片机控制器。 在上述技术方中，N代表电流反馈射极跟随器、功率MOS管的数量。 与现有技术比较，本专利技术由于采用了上述技术方案，利用多重反馈技 术将性能参数接近的功率M0S管分组并联，因此能够通过控制器对电流进 行精确控制，有效地解决了传统技术中功率M0S管简单并联时容易损坏以 及电流分配不均的问题。 附图说明图1是本专利技术的结构示意图2是本专利技术的电流反馈射极跟随器的结构示意图。 图中控制器l 电流反馈射极跟随器2 运算放大器3 反馈电 阻4 驱动电阻5 功率M0S管6 功率电阻具体实施例方式下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步说明在图1 2中，N个并联的电流反馈射极跟随器2分别通过通讯线与控 制器l连接，该控制器1为带有电流采样及D/A输出控制的单片机控制器。 各电流反馈射极跟随器2包括一个运算放大器3和N个功率M0S管6;其 中，各功率M0S管6的栅极分别通过一个驱动电阻5并接在运算放大器3 的输出端，各功率M0S管6的漏极并联，各功率M0S管6的源极各自通过 一个功率电阻7并联，在各功率M0S管6的源极与对应的功率电阻7之间 接有一个反馈电阻4，各反馈电阻4的另一端并接在运算放大器3的负端。工作原理当运算放大器的正端施加电压时，即可在电流反馈射极跟随器的输出端得到相应的负载电流，控制器l采集回路电流，通过程序控制并利用D/A输出对多组电流反馈射极跟随器2进行电流控制，从而得到 高精度的大电流负载。所述负载电流与功率MOS管的驱动电压无关，只与 功率电阻7有关，接入回路的功率电阻能够产生电流负反馈，从而使流过 各功率M0S管源极的电流趋于均衡。权利要求1.一种功率MOS管并联高精度大电流均流控制器，其特征在于由控制器(1)以及N个并联的电流反馈射极跟随器(2)构成，各电流反馈射极跟随器(2)分别通过通讯线与控制器(1)连接；电流反馈射极跟随器(2)包括一个运算放大器(3)和N个功率MOS管(6)；其中，各功率MOS管(6)的栅极分别通过一个驱动电阻(5)接于运算放大器(3)的输出端，各功率MOS管(6)的漏极并联，各功率MOS管(6)的源极各自通过一个功率电阻(7)并联，各功率MOS管(6)的源极分别通过一个反馈电阻(4)接在运算放大器(3)的负端。2. 根据权利要求1所述的功率M0S管并联高精度大电流均流控制器， 其特征在于控制器(1)为带有电流采样及D/A输出控制的单片机控制器。全文摘要本专利技术公开了一种功率MOS管并联高精度大电流均流控制器，属于电流控制器；旨在提供一种能对电流精确控制的大电流恒流控制器。它由控制器(1)、N个并联的电流反馈射极跟随器(2)构成，各电流反馈射极跟随器(2)与控制器(1)连接；该电流反馈射极跟随器包括运算放大器(3)和N个功率MOS管(6)；各功率MOS管(6)栅极分别由驱动电阻(5)接于运算放大器(3)输出端，各功率MOS管(6)漏极并联，各功率MOS管(6)源极各通过功率电阻(7)并联，各功率MOS管(6)源极分别由反馈电阻(4)接在运算放大器(3)负端。本专利技术克服了功率MOS管并联时容易损坏的缺陷，可用于大型蓄电池的充放电电路。文档编号G05F3/02GK101515185SQ200910102498公开日2009年8月26日 申请日期2009年4月1日 优先权日2009年4月1日专利技术者广 何, 李志强, 杨洪涛, 明 苏 申请人:贵州省机电研究设计院本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种功率ＭＯＳ管并联高精度大电流均流控制器，其特征在于：由控制器（１）以及Ｎ个并联的电流反馈射极跟随器（２）构成，各电流反馈射极跟随器（２）分别通过通讯线与控制器（１）连接；电流反馈射极跟随器（２）包括一个运算放大器（３）和Ｎ个功率ＭＯＳ管（６）；其中，各功率ＭＯＳ管（６）的栅极分别通过一个驱动电阻（５）接于运算放大器（３）的输出端，各功率ＭＯＳ管（６）的漏极并联，各功率ＭＯＳ管（６）的源极各自通过一个功率电阻（７）并联，各功率ＭＯＳ管（６）的源极分别通过一个反馈电阻（４）接在运算放大器（３）的负端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨洪涛，苏明，李志强，何广，
申请(专利权)人：贵州省机电研究设计院，
类型：发明
国别省市：52
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