一种含氟四齿环金属铂(II)配合物、电子器件及其应用制造技术

本发明专利技术属于有机电致发光领域，具体涉及一种含氟四齿环金属铂(II)配合物、电子器件及其应用。所提供的四齿环金属铂(II)配合物具有如式(I)或式(II)所示的结构：式(I)或式(II)中，F

【技术实现步骤摘要】
一种含氟四齿环金属铂(II)配合物、电子器件及其应用


[0001]本专利技术属于有机电致发光领域，具体涉及一种含氟四齿环金属铂(II)配合物、电子器件及其应用。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)是新一代的全彩显示和照明技术。相比于液晶显示响应速度慢、可视角小、需要背光源、能耗高等缺点，OLED作为一种自主发光器件无需背光源，节能；且其驱动电压低、响应速度快、分辨率和对比度高、视角广、低温性能出众；OLED的器件可以做的更薄，并且可以做成柔性结构。此外，还具有生产成本低、生产工艺简单、可进行大面积生产等优点。因此，OLED在高端电子产品、航空航天方面有着广泛而巨大的应用前景；随着投资的逐步加大、研发的进一步深入、及生产设备的升级改造，OLEDs在未来有着非常广泛的应用场景和发展前景。
[0003]OLED发展的核心是发光材料的设计和开发。目前应用的OLED器件中发光层几乎全部使用主客体发光体系机制，即在主体材料中掺杂客体发光材料，主体材料的能系一般大于客体发光材料，将能量由主体材料传递给客体材料，使客体材料被激发而发光。常用的有机磷光客体材料一般为重金属原子如铱(III)、铂(II)、Pd(II)等。常用的磷光有机材料mCBP(3,3
′‑
bis(9
‑
carbazolyl)
‑
biphenyl)和2,6
‑
mCPy(2,6
‑
bis(9
‑
carbazolyl)
‑
pyridine)具有高效和高三线态能级，当其作为有机材料时，三线态能量能够有效地从发光有机材料转移到客体磷光发光材料。但是由于mCBP的空穴易传输而电子难流动的特性，而2,6
‑
mCPy空穴传输不佳，使得发光层的电荷不平衡，结果降低了器件的电流效率。并且，目前应用的重金属磷光有机配合物分子环金属铱(III)配合物分子数量有限。地壳中金属铂元素的含量和世界范围内的年产均为金属铱元素的约十倍，用于制备铱(III)配合物磷光材料的IrCl
3.
H2O价格也要远高于制备铂(II)配合物磷光材料的PtCl2；此外，制备铱(III)配合物磷光材料时涉及含铱(III)二聚体、铱(III)中间体配体交换、mer
‑
铱(III)配合物的合成和mer
‑
到fac
‑
铱(III)配合物异构体转换四步反应，使总收率大为降低，大大降低了原料IrCl
3.
H2O的利用率，提高了铱(III)配合物磷光材料的制备成本。相比之下，铂(II)配合物磷光材料的制备只有最后一步配体的金属化设计铂盐的反应，铂元素利用率高，可进一步降低铂(II)配合物磷光材料的制备成本。综上所述，铂(II)配合物磷光材料的制备成本要远低于铱(III)配合物磷光材料。然而目前铂配合物材料和器件的开发仍存在一些技术难点，如何提高器件效率及寿命是比较重要的研究问题。因此亟需开发新型磷光金属铂(II)配合物。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种含氟四齿环金属铂(II)配合物、电子器件及其应用。本专利技术的含氟四齿环金属铂(II)配合物作为发光层的客体磷光材料可使器件具有优异的性能。进一步，将其与特定主体材料组合可提高电子器件，尤其是有机电致发光器件
的电流效率、改善器件寿命、亦可降低元器件的操作电压。
[0005]本专利技术提供了一种含氟四齿环金属铂(II)配合物，所述配合物具有如式(I)或式(II)所示的结构：
[0006][0007]式(I)或式(II)中，F
n
表示其所在苯环上有一个或多个F取代，其中，n为1至5的正整数；
[0008]R
a
表示为单取代、双取代、三取代、四取代或者无取代；R
a
选自H或C1
–
C30的烷基；
[0009]R1、R2、R3各自独立地选自由氢、F、N、O、S、CN、C1
–
C30的烷基、C1
–
C30的环烷基、C1
–
C30的环杂烷基、C1
–
C30的卤代烷基、C6
–
C60芳基、C6
–
C60杂芳基所组成的组。
[0010]优选的，R1、R2、R3中的至少一个氢可由氘或F所取代。
[0011]优选的，所述R1、R3各自独立地选自氢、或C1
–
C30的烷基。
[0012]进一步优选的，所述R2选自氢、氘、CN、取代或非取代的C1
–
C30的烷基、取代或非取代的C1
–
C30的杂烷基、取代或非取代的C1
–
C30的环烷基、取代或非取代的C1
–
C30的环杂烷基、取代或非取代的C1
–
C30的卤代烷基、取代或非取代的C6
–
C60芳基、取代或非取代的C6
–
C60杂芳基；其中，所述杂烷基、环杂烷基或杂芳基上的杂原子选自O、S和/或N中的一个或多个。
[0013]进一步优选的，所述四齿环金属铂(II)配合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：
[0014][0015][0016][0017][0018][0019][0020][0021][0022][0023][0024][0025][0026][0027]进一步地，本专利技术还提供了如上具有式(I)或式(II)所示结构的四齿环金属铂(II)配合物在在电子器件中的应用。
[0028]进一步地，所述的电子器件包括有机电致发光器件(OLED)、有机集成电路(O
‑
IC)、
有机场效应晶体管(O
‑
FET)、有机薄膜晶体管(O
‑
TFT)、有机发光晶体管(O
‑
LET)、有机太阳能电池(O
‑
SC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O
‑
FQD)、发光电化学电池(LEC)及有机激光二极管(O
‑
laser)。
[0029]在另一方面，本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，其包括如上所述具有式(I)或式(II)所示结构的四齿环金属铂(II)配合物。
[0030]进一步地，所述的有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的有机功能层；所述有机功能层包含有如上所述具有式(I)或式(II)所示结构的四齿环金属铂(II)配合物。
[0031]优选的，所述有机功能层包含发光层，发光层中包含有如上所述具有式(I)或式(II)所示结构的四齿环金属铂(II)配合物。
[0032]进一步地，所述发光层中还包含有荧光掺杂材料；所述荧光掺杂材料选自具有式(BN1)
‑
式(BN5)所表示化合物的任意一种或多种：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氟四齿环金属铂(II)配合物，其特征在于，所述配合物具有如式(I)或式(II)所示的结构：式(I)或式(II)中，F
n
表示其所在苯环上有一个或多个F取代，其中，n为1至5的正整数；R
a
表示为单取代、双取代、三取代、四取代或者无取代；R
a
选自H或C1
–
C30的烷基；R1、R2、R3各自独立地选自由氢、F、N、O、S、CN、C1
–
C30的烷基、C1
–
C30的环烷基、C1
–
C30的环杂烷基、C1
–
C30的卤代烷基、C6
–
C60芳基、C6
–
C60杂芳基所组成的组。2.根据权利要求1所述的四齿环金属铂(II)配合物，其特征在于，R1、R2、R3中的至少一个氢可由氘或F所取代。3.根据权利要求1所述的四齿环金属铂(II)配合物，其特征在于，所述R1、R3各自独立地选自氢、或C1
–
C30的烷基。4.根据权利要求1所述的四齿环金属铂(II)配合物，其特征在于，所述R2选自氢、氘、CN、取代或非取代的C1
–
C30的烷基、取代或非取代的C1
–
C30的杂烷基、取代或非取代的C1
–
C30的环烷基、取代或非取代的C1
–
C30的环杂烷基、取代或非取代的C1
–
C30的卤代烷基、取代或非取代的C6
–
C60芳基、取代或非取代的C6
–
C60杂芳基；其中，所述杂烷基、环杂烷基或杂芳基上的杂原子选自O、S和/或N中的一个或多个。5.根据权利要求1所述的四齿环金属铂(II)配合物，其特征在于，所述四齿环金属铂(II)配合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：
6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的四齿环金属铂(II)配合物在电子器件中的应用。7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述的电子器件包括有机电致发光器件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机太阳能电池、有
机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件、发光电化学电池及有机激光二极管。8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述的有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的有机功能层；所述有机功能层包含有权利要求1
‑
5任一项所述的四齿环金属铂(II)配合物。9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述的有机功能层包含发光层，所述发光层中包含有权利要求1
‑
5任一项所述的四齿环金属铂(II)配合物。10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述的发光层中还包含有荧光掺杂材料；所述荧光掺杂材料选自具有式(BN1)
‑
式(BN5)所表示化合物的任意一种或多种：其中，X为O、S、Se或NR
300
；X1、X2、X3、X4各自独立地表示为O、S、Se或N；R
b
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贵杰，张成瑶，杨云芳，佘远斌，高春吉，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：