二流体蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种二流体蚀刻装置，包括输送机构、喷嘴模组和调节模组。输送机构用于沿输送方向输送待蚀刻基板，至少两个蚀刻区沿输送方向布置，喷嘴模组包括沿输送方向布置的至少两个喷嘴，每一蚀刻区内设有至少一个喷嘴，调节模组包括至少两个能够独立控制的调节阀，同一蚀刻区内的喷嘴连接于同一调节阀，以通过调节阀调整喷嘴的液气比例。以上二流体蚀刻装置，每一蚀刻区内的喷嘴可以按需求控制液气比例，实现每一蚀刻区在一流体蚀刻状态和二流体蚀刻状态之间的切换，从而可在加工过程中，灵活地调整蚀刻区的蚀刻状态，调整一流体蚀刻工艺线的长度或者二流体蚀刻工艺线的长度，在成本和产能之间取得平衡。在成本和产能之间取得平衡。在成本和产能之间取得平衡。

【技术实现步骤摘要】
二流体蚀刻装置


[0001]本技术涉及电路板加工
，特别是涉及一种二流体蚀刻装置。

技术介绍

[0002]在印制电路板、I C载板的加工过程中，一般从一流体喷嘴和二流体喷嘴向基板上喷射蚀刻液，将基板表面未覆盖抗蚀层的铜箔腐蚀溶解掉，从而形成线路图形。
[0003]其中，一流体喷嘴用于将一种蚀刻液直接喷射到基板表面，喷嘴流量相对较大，液粒直径较大，蚀刻速率相对较高，产能也较高。但由于一流体液滴直径较大，无法有效蚀刻间隔5 0u m以下的细线路，因而无法提高蚀刻因子(etch factor)。
[0004]二流体喷嘴则用于将固定流量的压缩空气和蚀刻液混合后喷射形成喷雾，以得到更细微的液粒。这些细微的液粒喷射到基板表面后，可以提高蚀刻因子。与一流体蚀刻相比，二流体蚀刻的药液流量更小，液粒直径也更小，但蚀刻速率相对较低，产能也较低。虽然增加二流体蚀刻工艺线的长度能提升产能，但会导致压缩空气消耗量过高，造成成本的上升。

技术实现思路

[0005]本技术实施例提供一种二流体蚀刻装置，以取得成本和产能的平衡。
[0006]一种二流体蚀刻装置，包括：
[0007]输送机构，用于沿输送方向输送待蚀刻基板，所述二流体蚀刻装置包括沿输送方向布置的至少两个蚀刻区；
[0008]喷嘴模组，包括沿输送方向布置的至少两个喷嘴，每一所述蚀刻区内设有至少一个所述喷嘴；以及
[0009]调节模组，包括至少两个能够独立控制的调节阀组，同一所述蚀刻区内的所述喷嘴连接于同一所述调节阀组，以通过所述调节阀组调整所述喷嘴的液气比例。
[0010]在其中一个实施例中，所述二流体蚀刻装置包括沿输送方向间隔布置的至少两个吸嘴，每一所述蚀刻区内设有至少一个所述吸嘴，所述吸嘴用于连通抽真空机构。
[0011]在其中一个实施例中，所述喷嘴沿输送方向间隔均匀地排布。
[0012]在其中一个实施例中，任意相邻的两个所述喷嘴之间设有所述吸嘴，所述吸嘴沿所述输送方向间隔均匀地排布。
[0013]在其中一个实施例中，所述蚀刻区包括沿输送方向顺次排布的第一区、第二区和第三区，所述第三区在所述输送方向的长度大于所述第一区和所述第二区。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一区的长度大于所述第二区。
[0015]在其中一个实施例中，所述二流体蚀刻装置包括罩壳，所述喷嘴模组收容于所述罩壳内，所述输送机构从所述罩壳的一端进入，并从所述罩壳的相对的另一端穿出。
[0016]在其中一个实施例中，所述二流体蚀刻装置还包括前置处理室，在输送方向上，所述输送机构顺次穿过所述前置处理室和所述罩壳。
[0017]在其中一个实施例中，所述前置处理室包括至少两个处理区，所述前置处理室内沿输送方向间隔均匀地排布有多个一流体喷嘴，每一所述处理区内设有至少一个所述一流体喷嘴。
[0018]在其中一个实施例中，所述调节阀组包括用于调节液体流量的第一电子比例阀以及用于调节气体流量的第二电子比例阀，同一所述蚀刻区内的所述喷嘴的流量相同，相异所述蚀刻区内的所述喷嘴的流量相异。
[0019]以上二流体蚀刻装置，输送机构用于沿输送方向输送待蚀刻基板，二流体蚀刻装置包括沿输送方向布置的至少两个蚀刻区，喷嘴模组包括沿输送方向布置的至少两个喷嘴，每一蚀刻区内设有至少一个喷嘴，调节模组包括至少两个能够独立控制的调节阀组，同一蚀刻区内的喷嘴连接于同一调节阀组，以通过调节阀组调整喷嘴的液气比例。换言之，每一蚀刻区内的喷嘴可以按需求控制液气比例，当液气比例接近无穷大即关闭气路时，该蚀刻区可以对待蚀刻基板进行一流体蚀刻处理，以获得较高的蚀刻效率和产能；当液气比例大于零时，该蚀刻区可以对待蚀刻基板进行二流体蚀刻处理，以提高蚀刻因子。也即，每一蚀刻区可以在一流体蚀刻状态和二流体蚀刻状态之间切换，且二流体蚀刻状态的液气比例也可便捷调控，从而可在加工过程中，灵活地调整蚀刻区的蚀刻状态，调整一流体蚀刻工艺线的长度或者二流体蚀刻工艺线的长度，在成本和产能之间取得平衡。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为一实施例的二流体蚀刻装置的示意图；
[0022]图2为一实施例的二流体蚀刻装置的调节模组的控制线路示意图。
[0023]附图标记：
[0024]二流体蚀刻装置10、机架10 0、输送机构20 0、蚀刻区210、第一区21 1、第二区213、第三区215、喷嘴模组300、喷嘴310、调节模组400、调节阀组410、第一电子比例阀4 11、第二电子比例阀4 13、吸嘴500、罩壳600、前置处理室700、处理区710、一流体喷嘴720。
具体实施方式
[0025]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0026]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0027]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领
域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0028]参考图1、图2，本技术公开了一种二流体蚀刻装置10，包括机架100、输送机构200、喷嘴模组300和调节模组400，输送机构200、喷嘴模组300和调节模组400可以分别设于机架100上。输送机构200可以为传送带，用于沿输送方向输送待蚀刻基板，且二流体蚀刻装置10包括沿输送方向布置的至少两个蚀刻区210。喷嘴模组300包括沿输送方向布置的至少两个喷嘴310，每一蚀刻区210内设有至少一个喷嘴310。喷嘴3 10可连通于储存有蚀刻液的储液腔(未图示)，并将储液腔内的蚀刻液经加压喷射至待蚀刻基板。调节模组400包括至少两个能够独立控制的调节阀组410，同一蚀刻区210内的喷嘴310连接于同一调节阀组410，以通过调节阀组410调整喷嘴310的液气比例。
[0029]可以理解的是，蚀刻区210可以人为设定，例如，可将连接于同一调节阀组410的一个或者两个以上的喷嘴31本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二流体蚀刻装置，其特征在于，包括：输送机构，用于沿输送方向输送待蚀刻基板，所述二流体蚀刻装置包括沿输送方向布置的至少两个蚀刻区；喷嘴模组，包括沿输送方向布置的至少两个喷嘴，每一所述蚀刻区内设有至少一个所述喷嘴；以及调节模组，包括至少两个能够独立控制的调节阀组，同一所述蚀刻区内的所述喷嘴连接于同一所述调节阀组，以通过所述调节阀组调整所述喷嘴的液气比例。2.根据权利要求1所述的二流体蚀刻装置，其特征在于，所述二流体蚀刻装置包括沿输送方向间隔布置的至少两个吸嘴，每一所述蚀刻区内设有至少一个所述吸嘴，所述吸嘴用于连通抽真空机构。3.根据权利要求2所述的二流体蚀刻装置，其特征在于，所述喷嘴沿输送方向间隔均匀地排布。4.根据权利要求3所述的二流体蚀刻装置，其特征在于，任意相邻的两个所述喷嘴之间设有所述吸嘴，所述吸嘴沿所述输送方向间隔均匀地排布。5.根据权利要求3所述的二流体蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻区包括沿输送方向顺次排布的第一区、第二区和第三区，所述第三区在所述输送方向的长度大于所述第一区和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宗锐，李孝波，曾俊雄，
申请(专利权)人：深圳藤淦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：