烧结支架、LTCC基片烧结装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于烧结支架领域，尤其涉及一种烧结支架、LTCC基片烧结装置。其中，本申请第一方面提供了一种烧结支架，包括至少两层烧结台，沿烧结台表面延伸的方向，烧结台层叠设置，且在相邻两烧结台之间设置有垫块，将相邻两烧结台彼此隔开设置，并形成有用于放置LTCC基片的空间。本申请提供的烧结支架，相邻两烧结台之间设置垫块形成用于设置LTCC基片的空间。通过烧结台之间的叠加设置，可形成多个放置LTCC基片的空间，可实现多层摆放，提升烧结效率，且可通过调节垫块高度，抑制LTCC基片形变，有效改善LTCC基片的平面度。改善LTCC基片的平面度。改善LTCC基片的平面度。

【技术实现步骤摘要】
烧结支架、LTCC基片烧结装置


[0001]本技术属于烧结支架领域，尤其涉及一种烧结支架、LTCC基片烧结装置。

技术介绍

[0002]LTCC(低温共烧陶瓷该技术)是目前广泛使用的一种无源集成及混合电路封装技术，它将电容、电阻、电感集成在多层基板内部，可直接作为IC的封装基板，具有高可靠性，高集成度，和高性能的突出优势，为射频、微波系统的高速发展提供了一种解决方案。
[0003]在LTCC基片制作过程中，烧结是一个很重要的过程，烧结过程在物理变化的同时也伴随着一系列的化学变化，最终使基板尺寸发生明显改变，对于厚度小于0.2mmLTCC陶瓷基片，烧结过程产品收缩率较大，收缩应力较小，但由于产品太薄，烧结过程受窑炉温度均匀性影响很大，烧结效率低且烧结后产品平面度大，给后续生产带来很大困难。为改善平面度，有工艺采用将流延后生瓷带等静压叠层后烧结，烧结后研磨得到平整基片，但此方法需增加几道工序，使产品生产工艺复杂化，大大增加生产成本；有工艺采用基板表面撒隔离粉后压烧板压烧来改善平面度；但撒粉烧结后产品表面会留有很多凹坑，影响产品外观及性能；还有工艺采用压烧板直接压制产品烧结，但压烧板跟产品无间隙，会导致产品排胶不畅、排胶不完全，烧结后产品跟压烧板易粘接，烧结后产品表面发暗，强度低，且压烧板重量给产品压力会抑制产品收缩。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种烧结支架、LTCC基片烧结装置，旨在解决现有的压烧板跟LTCC基片无间隙造成排胶不畅、排胶不完全，抑制产品收缩的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：
[0006]本申请第一方面提供了一种烧结支架，包括至少两层烧结台，沿烧结台表面延伸的方向，烧结台层叠设置，且在相邻两烧结台之间设置有垫块，将相邻两烧结台彼此隔开设置，并形成有用于放置LTCC基片的空间。
[0007]本申请提供的烧结支架，相邻两烧结台之间设置垫块形成用于设置LTCC基片的空间。通过烧结台之间的叠加设置，可形成多个放置LTCC基片的空间，可实现多层摆放，提升烧结效率，且可通过调节垫块高度，抑制LTCC基片形变，有效改善LTCC基片的平面度。而且相对现有压烧板而言，烧结支架跟LTCC基片之间存在间隙，有利于LTCC基片排胶，烧结后的LTCC基片跟烧结台和垫块不易粘接，进而改善LTCC基片的强度和收缩率。
[0008]作为本实施例的进一步限定，垫块分布于烧结台的相对侧边处。
[0009]作为本实施例的进一步限定，垫块为耐温大于1000℃的垫块。
[0010]作为本实施例的进一步限定，烧结台为多孔结构，且孔隙率为20～30％。
[0011]作为本实施例的进一步限定，烧结台的表面粗糙度小于0.5um。
[0012]作为本实施例的进一步限定，烧结台的尺寸为100
×
100mm～300mm
×
300mm，厚度为1～10mm。
[0013]作为本实施例的进一步限定，垫块的尺寸为10
×
10～15
×
15mm，垫块的高度大于LTCC基片的厚度，且垫块的高度小于LTCC基片的厚度与LTCC基片的长度
×
0.2％之和。
[0014]作为本实施例的进一步限定，处于最顶层处的烧结台上还设置有盖板，处于最顶层处的烧结台和盖板之间设置有垫块，且形成有用于放置LTCC基片的空间。
[0015]本申请第二方面提供了一种LTCC基片烧结装置，包括炉体和设置在炉体内的上述文中的烧结支架，烧结支架的高度与炉体内腔体的高度相适应。
[0016]正是由于上述本申请提供的LTCC基片烧结装置，包括炉体和设置在炉体内的上述文中的烧结支架，烧结支架的高度与炉体内腔体的高度相适应。在使用时，将待烧结的LTCC基片直接装载在炉体内的各层烧结台上，然后关闭炉盖或炉门，控制烧结温度和烧结时间，即可完成LTCC基片的烧结。本技术的LTCC基片烧结装置和烧结支架每次都可以在各层烧结台上装载LTCC基片，能大幅度提高LTCC基片的烧结效率，而且烧结台四周没有侧壁阻挡，不会形成气氛死区，能保障炉体内氧气的流通，提高LTCC基片的烧结质量。
[0017]作为本实施例的进一步限定，烧结支架底部设置有水平底板，水平底板上设有装配孔，所述水平底板通过连接件与炉体的底板固定连接。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术的烧结支架的结构图；
[0020]图2为本技术的LTCC基片烧结装置的结构图。
[0021]其中，图中各附图标记：
[0022]1、烧结台；2、垫块；3、盖板；4、炉体。
具体实施方式
[0023]下面详细描本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0024]在本技术的描述中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0025]在本技术的描述中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b，或c中得至少一项(个)”，或，“a,b，和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a
‑
b(即a和b),a
‑
c,b
‑
c,或a
‑
b
‑
c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
[0026]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、
“
后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0027]此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种烧结支架，其特征在于，包括至少两层烧结台，沿所述烧结台表面延伸的方向，所述烧结台层叠设置，且在相邻两所述烧结台之间设置有垫块，将相邻两所述烧结台彼此隔开设置，并形成有用于放置LTCC基片的空间；所述烧结台为多孔结构，且孔隙率为20～30％；所述烧结台的表面粗糙度小于0.5um。2.如权利要求1所述烧结支架，其特征在于，所述垫块分布于所述烧结台的相对侧边处。3.如权利要求1所述烧结支架，其特征在于，所述垫块为耐温大于1000℃的垫块。4.如权利要求1所述烧结支架，其特征在于，所述烧结台为耐温大于1000℃的烧结台。5.如权利要求1所述烧结支架，其特征在于，所述烧结台的尺寸为100
×
100mm～300mm
×
300mm，厚度为1～10mm。6.如权利要求1所述烧结支架，其特征在于，所述垫块的尺寸为10<...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡传灯，张现利，王斌，岑远清，
申请(专利权)人：广东环波新材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：