一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法，包括基底层和固化在基底层顶部的防护层，所述防护层厚度为1

【技术实现步骤摘要】
一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及信息安全防护领域，具体涉及一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]办公自动化、无纸化办公、电子政务、电子商务等信息化工具在计算机和互联网技术的带动下迅猛发展，计算机已经广泛应用于社会生活的各个领域，其中电磁辐射是计算机及其网络系统泄密的中要求途径之一，如何防止信息泄密，保障信息安全，已成为迫切需要解决的问题。
[0003]随着激光技术的发展，漫反射激光语音获取技术凭借无植入、风险低的语音信息获取优势越来越受到关注，但是对其防护手段相对比较少。伴随着光电技术在语音信息获取应用，如漫反射激光窃听具有非接触、隐蔽性好、灵敏度高等优点，使得信息的窃取目标由玻璃向多种材料转变。窃听系统可以透过玻璃对室内物品(图片、水杯、烟盒等)进行窃听，已经成为一种主要的窃听手段，给传统在窗户玻璃上放置振动干扰器，使玻璃产生额外的振动噪声来湮灭有用的语音信息泄漏防护系统带来了较大的冲击。
[0004]为了有效的防止光电信息泄露，现有技术中也有多种防护方法：
[0005]CN202120871876.9公开了一种金属镀层屏蔽方法，其在薄膜上镀金属导电层进行电磁屏蔽，但薄膜因为镀金属层导致光反射率增加，从而增加了因红外激光导致信息泄漏风险；CN201920263546.4公开了针对红外激光阻隔的方法，但该方法仅考虑了阻隔因素，对电磁屏蔽没有任何作用。以上方法仅仅满足其中部分功能，而不能完全满足光电磁信息泄漏要求。
[0006]现有技术中也公开有多层防护方法，如ZL202110899153.4的防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露的防护膜，其技术方案是在按防护需求依次进行电磁屏蔽层、热敏层、红外吸收层以及光致发光层，其中电磁屏蔽通过溅射镀膜方式附着在基底上，而且通过各层叠加实现各自功能，因此层数多，每层都对可见光有损失，因此该方法生产出来的薄膜可见光透过率低，且其生产工艺复杂，生产成本高。
[0007]而CN202111586781.3的防止光电信息泄漏防护膜在红外防护波长范围，效果以及电磁屏蔽范围等均优于ZL202110899153.4，但采用多层镀膜方式，但也存在生产工艺复杂，生产成本高等缺点。
[0008]为此需要一种制备工艺简单、能够实现薄膜电磁屏蔽和红外吸收功能的防止光电信息泄漏防护膜。

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的在于提供一种光电信息泄露防护薄膜及其制备方法，所述防护薄膜结构简单，防护层由纳米银线和氧化铟锡/铯钨青铜/三氧化二砷混合后一次成型在基底层上，通过简单方法能够实现薄膜电磁屏蔽和红外吸收功能。
[0010]本专利技术的第一个方面涉及一种光电信息泄露防护薄膜，包括基底层，以及固化在基底层顶部的防护层，所述基底层用于为防护薄膜提供支撑，所述防护层厚度为1
‑
100μm，其由纳米银线和氧化铟锡/铯钨青铜/三氧化二砷混合后通过涂布方式一次成型耦合在基底层的上表面；其中，多条纳米银线相互搭接层叠形成不规则的导电网格；所述纳米银线和氧化铟锡/铯钨青铜/三氧化二砷的重量比为1：9至9：1之间；所述防护层能够反射电磁信号，从入射方向防止电磁辐射信号透过防护层产生电磁泄漏，同时从入射方向防止入射的红外激光形成红外出射光。
[0011]进一步的，所述光电信息泄露防护薄膜，从下至上依次设置有所述基底层、所述防护层、胶层和保护层，所述胶层粘贴化在所述防护层顶部，所述保护层粘贴在所述胶层顶部；
[0012]所述基底层和保护层为透明的膜，所述基底层和保护层的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物(EVA)，所述基底层厚度为5
‑
100μm；
[0013]所述胶层为丙烯酸酯胶粘剂，涂覆在所述防护层顶部，用于粘附防护层和保护层，所述胶层的厚度为10
‑
50μm；
[0014]所述保护层厚度为1
‑
100μm，用于在贴装前保护所述防护层不受损坏，同时保证胶层不受污染。
[0015]进一步的，所述防护薄膜在波长为900nm
‑
1800nm之间的透过率小于0.1％，在30MHz
‑
18GHz，屏蔽效能超过30db。
[0016]本专利技术的第二个方面涉及所述光电信息泄露防护薄膜的制备方法，包括：将重量比为1：9至9：1之间的纳米银线和氧化铟锡/铯钨青铜/三氧化二砷混合均匀后放入丙酮中，采用超声搅拌形成悬浮液，将悬浮液通过涂布工艺在预制的PET材料的基底层1的表面涂布；在150℃
‑
185℃下干燥3
‑
5h后自然冷却，形成沉淀的防护层2。
[0017]进一步的，所述光电信息泄露防护薄膜的制备方法，包括将光电信息泄漏防护薄膜的基底层或保护层安装在待防护的装置上。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的技术方案所带来的有益效果是：
[0019]本专利技术所述防护薄膜的防护层采用涂覆的方式将纳米银线和纳米铯钨青铜/ITO/ATO进行混合，采用涂布技术，把分散液涂布到基膜上形成防护层，通过一次成型方式实现薄膜电磁屏蔽和红外吸收功能，该防护薄膜工艺简单，成本相对低廉；
[0020]而且所述防护层只有一层结构，有效避免多层防护层导致的可见光的损失，而且避免复杂的生产工艺，同时避免由于操作人员误操作贴反的情况。因此，本专利技术可以通过简单的结构实现对电磁辐射信息泄露和红外入侵防护效果。
附图说明
[0021]图1是本专利技术所述光电信息泄露防护薄膜的结构示意图；
[0022]图2是本专利技术所述光电信息泄露防护薄膜的电磁泄露防护示意图；
[0023]图3是本专利技术所述光电信息泄露防护薄膜的红外吸收工作示意图；
[0024]图4是实施例1的所述光电信息泄露防护薄膜的光谱透射比分布图。
[0025]其中，
[0026]1：基底层2：防护层3：胶层4：保护层
[0027]5：电磁辐射信号
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
6：反射信号
[0028]7：透射信号
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
8：红外入侵信号
[0029]9：反射光
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
10：透射光
具体实施方式
[0030]为使本专利技术实施例的目的、技术方案、有益效果及显著进步更加清楚，将以下述实施例结合本专利技术实施例中所提供的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所有描述的这些实施例仅是本专利技术的部分实施例，而不是全部的实施例；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本专利技术所述光电信息泄露防护薄膜仅采用该特定层状结构相结合构成的防护膜，就能够有效防止红外激光信息泄露及电磁信息泄露。具体结构及制备方法如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电信息泄露防护薄膜，包括基底层(1)，其特征在于，还包括固化在基底层(1)顶部的防护层(2)，所述基底层(1)用于为防护薄膜提供支撑，所述防护层(2)厚度为1
‑
100μm，其由纳米银线和氧化铟锡/铯钨青铜/三氧化二砷混合后通过涂布方式一次成型耦合在基底层(1)的上表面；其中，多条纳米银线相互搭接层叠形成不规则的导电网格；所述纳米银线和氧化铟锡/铯钨青铜/三氧化二砷的重量比为1：9至9：1之间；所述防护层(2)能够反射电磁信号，同时从入射方向吸收入射的红外激光。2.根据权利要求1所述光电信息泄露防护薄膜，其特征在于，所述光电信息泄露防护薄膜，从下至上依次设置有所述基底层(1)、所述防护层(2)、胶层(3)和保护层(4)，所述胶层(3)粘贴化在所述防护层(2)顶部，所述保护层(4)粘贴在所述胶层3顶部；所述基底层(1)和保护层(4)为透明的膜，所述基底层(1)和保护层(4)的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇缩丁醛或乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物，所述基底层(1)厚度为5
‑
100μm；所述胶层(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：王团伟，刘伟，刘志武，耿姗姗，许小晨，张薏，
申请(专利权)人：天津弘捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：