【技术实现步骤摘要】
一种GIS内导体连接接触情况测量方法及装置
[0001]本专利技术属于电气设备测量
，具体地，涉及一种GIS内导体连接接触情况测量方法及装置。
技术介绍
[0002]电力系统中导电回路要承载高压电流，在导电回路中，特别是高压GIS(气体绝缘金属封闭开关设备)的导电回路是由多导体拼接，中间接头非常多；中间接头的接触情况会严重影响整个电器设备的运行；在特殊情况下，如接触不良导致导体发热融流，将会发生严重电气事故。
[0003]GIS内部导体的连接方式包括螺栓紧固连接和触头压紧连接。两种连接方式下，螺栓松动或者触指接触不良，都会导致导通电流减小。现有技术中，导体连接接触情况的检测方法包括：
[0004]1、基于电测量确定导体的连接状态和连接性能，比如，停电情况下，在导体两端施加电流后测量电压，根据电流和电压计算得到导体所在回路的电阻，将计算得到的电阻与导体的设计值进行比对，以判断连接接触情况。在停电情况下进行测量，能够准确反应导体连接接触情况，但停电测量需要结合设备停电检修时间，无法根据GIS设备运行情况实时...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种GIS内导体连接接触情况测量方法，其特征在于，包括：步骤1，在GIS内导体的中部区域对应的GIS外筒的外壁上设置参考磁场测量点，在参考磁场测量点测量得到磁场基准值；步骤2，在待测导体接头对应的GIS外筒的外壁上沿着圆周方向设置多个磁场测量点，分别在各磁场测量点测量得到对应的磁场测量值；步骤3，以任一磁场测量点作为起始点，其余各磁场测量点与起始点形成的圆心角作为测量点坐标；步骤4，绘制磁场测量值对磁场基准值的比值与测量点布置角度的关系曲线；步骤5，基于关系曲线，当磁场测量值对磁场基准值的比值超过阈值时，判定GIS内导体连接存在接触不良情况。2.根据权利要求1所述的GIS内导体连接接触情况测量方法，其特征在于：阈值是导体连接接触良好情况下磁场测量值对磁场基准值的比值。3.根据权利要求2所述的GIS内导体连接接触情况测量方法，其特征在于：导体连接接触良好情况下关系曲线的形状为圆形，各测量点坐标对应的磁场测量值对磁场基准值的比值一致。4.根据权利要求3所述的GIS内导体连接接触情况测量方法，其特征在于：导体连接存在接触不良情况下，根据磁场测量值对磁场基准值的比值超过阈值的幅度确定导体连接接触不良的程度。5.根据权利要求4所述的GIS内导体连接接触情况测量方法，其特征在于：导体连接存在接触不良情况下关系曲线的形状偏离圆形，部分测量点坐标对应的磁场测量值对磁场基准值的比值增大、且部分测量点坐标对应的磁场测量值对磁场基准值的比值减小。6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：付海金，马德英，王东晖，王栋，辛伟峰，陈泰羽，吕乐，王耀晨，
申请(专利权)人：国网河南省电力公司郑州供电公司国网河南省电力公司济源供电公司，
类型：发明
国别省市：
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