一种光刻热点识别方法、目标图形组合的查找方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻热点识别方法，在版图上找到目标图形组合，并识别为光刻热点；包括采用第一、第二掩膜分别形成的位于同一金属层的第一、第二金属连线以及连接第二金属连线的金属通孔；第二金属连线的两侧各分布有与其平行的第一金属连线，且第一金属连线与第二金属连线在垂直于延伸方向上的距离均满足预设距离范围s；位于第二金属连线两侧的其中一根第一金属连线的左端部在金属通孔上形成第一投影，另一根第一金属连线的右端部在金属通孔上形成第二投影，第一投影和第二投影在第一方向上的长度均满足预设长度范围d。还提供了一种目标图形组合的查找方法。可用于在大量的版图数据中进行搜索和定位光刻通孔热点，提前预知可能的风险。知可能的风险。知可能的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻热点识别方法、目标图形组合的查找方法


[0001]本专利技术属于半导体设计和制造
，具体涉及一种光刻热点识别方法、一种目标图形组合的查找方法和计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得越来越复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺，其光波波长却一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸却不断缩小，进而会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较小的光刻图形，称之为光刻缺陷热点图形，一般是指版图中具有某种几何特征以及特征尺寸在某个范围内的容易引起光刻缺陷的图形或者图形组合。特定尺寸、特定图形的组合可能会造成晶圆缺陷，通过对版图特定图形的搜索，可提前了解晶圆生产过程中存在风险的地方。
[0003]在实际的制造生产中，因不同制造厂商处理工艺不同，光刻缺陷热点图形不一定都会实际引起光刻缺陷，也就是对于不同制造厂商来说，实际导致光刻缺陷发生的光刻缺陷热点图形可能是不同的。对提前在大量的版图数据中快速准确地定位出光刻缺陷热点图形，对制造厂商进行设计生产等的指导具有重大的实际意义。不能有效便捷的识别出所述热点图形，这对于光刻工艺及设计的进一步完善是很不利的。
[0004]在 20nm以下的工艺中，由于相邻金属线（metal wire）的间距太小，使得光刻过程中相邻的光线间距过小，相互之间发生干涉，导致metal wire边缘模糊，出现瑕疵。为了解决这个问题，开始采用double pattern（DPT），将原来的一层 mask拆分成两层。而在double pattern工艺中，两层mask需要对准，容易导致光刻通孔与金属连线之间出现缺陷。光刻通孔热点也属于一种光刻缺陷热点图形，图形光刻过程中由于光学邻近效应的存在，曝光后的图形相比版图上的图形拐角处会变圆滑，从而影响到通孔层在相应层上的覆盖面积，可能导致连接失效。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的全部或部分不足，本专利技术的目的在于：提供一种光刻热点识别方法、一种目标图形组合的查找方法和计算机可读存储介质，可用于在大量的版图数据中进行搜索和定位光刻通孔热点。以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。
[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种光刻热点识别方法，包括：获取版图信息，包括金属层和用于连接所述金属层的通孔层；在所述版图上找到目标图形组合，并识别为光刻热点；所述目标图形组合包括采用第一掩膜形成的第一金属连线、采用第二掩膜形成的第二金属连线、以及位于所述第二金属连线上用于连接其他金属层的金属通孔，所述第一
金属连线和所述第二金属连线属于同个金属层；所述第二金属连线的延伸方向为第一方向，垂直于所述延伸方向为第二方向；所述第二金属连线的两侧各分布有与第二金属连线平行的第一金属连线，即所述第一金属连线沿所述第二方向分布于所述第二金属连线的两侧，且所述第一金属连线与第二金属连线在第二方向上的距离均满足预设距离范围s；位于第二金属连线两侧的其中一根第一金属连线的左端部在金属通孔上形成第一投影，另一根第一金属连线的右端部在金属通孔上形成第二投影，第一投影和第二投影在第一方向上的长度均满足预设长度范围d;所述左端部和右端部为第一金属连线沿所述第一方向分布的两端。此处的左端部和右端部并非用于限定第一金属连线的方向，而是为了区分第一金属连线的首尾两个端点(即line end，左侧线端/右侧线端)。所述第一掩膜和第二掩膜仅为区分double pattern工艺中的两层掩膜版，并不用于限定光刻先后顺序，在实际光刻工艺中，可以先利用第一掩膜形成第一金属连线，也可以先利用第二掩膜形成第二金属连线。
[0007]本专利技术通过寻找目标图形组合，该目标图形组合中的金属通孔即为光刻热点，存在该种目标图形组合中的金属通孔则存在开路风险，将视觉上的左右线端line end用计算机可识别的方式描述，用于查找该特定组合的weak pattern，可按照该定义找出芯片版图中所有同类型的图形，提前预知可能的风险。
[0008]所述预设长度范围d小于所述金属通孔沿第一方向的水平边长度。在此基础上，预设长度范围d的具体范围可以进一步根据实际应用需要进行选择，即此时第一投影和第二投影均不与所述金属通孔沿第二方向的竖直边重合。
[0009]本专利技术还包括一种目标图形组合的查找方法，用于查找上述任一方案的一种光刻热点识别方法中的所述目标图形组合，包括：S1.找出落有金属通孔Vm的第二金属连线MnCB，记为MnCB1；S2.找出在MnCB1两侧的预设距离范围s内均有与之平行的第一金属连线MnCA的MnCB1，记为MnCB2；被找出的所述预设距离范围s内分布的MnCA，记为MnCA1；S3.找出MnCA1上与所述第一方向平行的水平边，记为MnCAh；找出MnCAh沿所述第二方向在Vm上有投影的线段部分，记为segA；S4.找出MnCA1上与所述第二方向平行的竖直边，记为MnV，通过将所有MnV沿所述水平边的方向左移一个单位的预设长度x得到MnVL，MnVL与MnV组成的长方形与MnCAh有共同部分的线段记为MnVL_2；通过将所有MnV沿所述水平边的方向右移一个单位的预设长度x得到MnVR，MnVR与MnV组成的长方形与MnCAh有共同部分的线段记为MnVR_2；S5.从segA中筛选出与MnVL_2有共同部分的segA，记为segA_L；从segA中筛选出与MnVR_2有共同部分的segA，记为segA_R；S6.找出沿第一方向分布在同一个MnCB2两侧的segA_L和segA_R，该segA_L和segA_R沿所述第二方向均落有投影的Vm，记为Vm_target；最终得到所述目标图形组合，该目标图形组合中的Vm即为光刻热点。
[0010]找出沿第一方向分布在同一个MnCB2两侧的segA_L和segA_R，即对应上述位于第二金属连线两侧的其中一根第一金属连线的左端部在金属通孔上形成第一投影，另一根第一金属连线的右端部在金属通孔上形成第二投影。
[0011]在另一个实施方案中，S5中，从segA中筛选出与MnVL_2有共同部分的segA后，筛选出其中长度在预设长度范围d内的segA，记为segA_L；从segA中筛选出与MnVR_2有共同部分的segA后，筛选出其中长度在预设长度范围d内的segA，记为segA_R；所述预设长度范围d小于所述金属通孔Vm沿所述第一方向的水平边长度。在此基础上，预设长度范围d的具体范围可以进一步根据实际应用需要进行选择，即此时第一投影和第二投影均不与所述金属通孔Vm沿第二方向的竖直边重合。
[0012]所述目标图形组合中的Vm具有开路风险。
[0013]还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一方案中所述的一种光刻热点识别方法，和/或，上述任一方案中所述的一种目标图形组合的查找方法的步骤。
[0014]与现有技术相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻热点识别方法，其特征在于，包括：获取版图信息，包括金属层和用于连接所述金属层的通孔层；在所述版图上找到目标图形组合，并识别为光刻热点；所述目标图形组合包括采用第一掩膜形成的第一金属连线、采用第二掩膜形成的第二金属连线、以及位于所述第二金属连线上用于连接其他金属层的金属通孔，所述第一金属连线和所述第二金属连线属于同个金属层；所述第二金属连线的延伸方向为第一方向，垂直于所述延伸方向为第二方向；所述第二金属连线的两侧各分布有与第二金属连线平行的第一金属连线，即第一金属连线沿所述第二方向分布于所述第二金属连线的两侧，且所述第一金属连线与第二金属连线在第二方向上的距离均满足预设距离范围s；位于第二金属连线两侧的其中一根第一金属连线的左端部在金属通孔上形成第一投影，另一根第一金属连线的右端部在金属通孔上形成第二投影，第一投影和第二投影在第一方向上的长度均满足预设长度范围d;所述左端部和右端部为第一金属连线沿所述第一方向分布的两端。2.根据权利要求1所述的一种光刻热点识别方法，其特征在于，所述预设长度范围d小于所述金属通孔沿第一方向的水平边长度。3.一种目标图形组合的查找方法，用于查找权利要求1或2所述的光刻热点识别方法中的所述目标图形组合，包括：S1.找出落有金属通孔Vm的第二金属连线MnCB，记为MnCB1；S2.找出在MnCB1两侧的预设距离范围s内均有与之平行的第一金属连线MnCA的MnCB1，记为MnCB2；被找出的所述预设距离范围s内分布的MnCA，记为MnCA1；S3.找出MnCA1上与所述第一方向平行的水平边，记为MnCAh；找出MnCAh沿所述第二方向在Vm上有投影的线段部分，记为segA；S4.找出MnCA...

【专利技术属性】
技术研发人员：万晶，杨璐丹，瞿屹超，
申请(专利权)人：广立微上海技术有限公司，
类型：发明
国别省市：