数控机床直流电机保护控制装置制造方法及图纸

技术编号:38628431 阅读:22 留言:0更新日期:2023-08-31 18:28
本实用新型专利技术提供的一种数控机床直流电机保护控制装置,包括防反接电路、过压保护控制电路以及电流调整电路;所述防反接电路包括NMOS管M3以及反接检测电路,所述反接检测电路用于检测直流电源是否反接并控制NMOS管M3的导通与关断;所述过压保护控制电路的输入端连接于直流电源正极,过压保护控制电路的输出端连接于电流调整电路的输入端,电流调整电路的输出端连接于直流电机M1的输入端,直流电机M1的负极通过检流电阻R21连接于NMOS管M3的漏极,NMOS管M3的源极接地;所述电流调整电路用于检测通过检流电阻R21的电流的大小并在过流时降低直流电机的输入电流。时降低直流电机的输入电流。时降低直流电机的输入电流。

【技术实现步骤摘要】
数控机床直流电机保护控制装置


[0001]本技术涉及一种保护控制装置,尤其涉及一种数控机床直流电机保护控制装置。

技术介绍

[0002]数控机床目前广泛应用于工业生产中,在数控机床中,直流电机是数控机床的关键部件,用于数控机床的动作提供动力,比如控制数控机床的刀具进给以及退刀,在数控机床加工中,直流电机负荷是否稳定影响到数控机床的稳定性。
[0003]直流电机的稳定性与安全性主要体现在直流电机的供电稳定性以及电源是否反接,当电源反接后,会造成电机烧损,存在严重的安全隐患,而过压以及过流也会对电机造成影响,比如过压或者过流为长期化状态时,会导致电机绕组的漆包线脱皮等,进而发生短路,从而存在严重的安全隐患。
[0004]现有技术中,对于上述技术问题的解决存在电路结构复杂,并且主要依赖于传感器以及控制芯片,一旦逻辑错误容易引起误判,而且外接干扰等也会对判断造成影响。
[0005]因此,为了解决上述技术问题,亟需提出一种新的技术手段。

技术实现思路

[0006]有鉴于此,本技术的目的是提供一种数控机床直流电机保护控制装置,能够对数控机床的直流电机是否发生反接、过压以及过流进行实时准确的检测,并能够及时执行相应的保护,从而能够有效防止反接、过流以及过压对直流电机造成的影响,有效确保直流电机的稳定性和安全性。
[0007]本技术提供的一种数控机床直流电机保护控制装置,包括防反接电路、过压保护控制电路以及电流调整电路;
[0008]所述防反接电路包括NMOS管M3以及反接检测电路,所述反接检测电路用于检测直流电源是否反接并控制NMOS管M3的导通与关断;
[0009]所述过压保护控制电路的输入端连接于直流电源正极,过压保护控制电路的输出端连接于电流调整电路的输入端,电流调整电路的输出端连接于直流电机M1的输入端,直流电机M1的负极通过检流电阻R21连接于NMOS管M3的漏极,NMOS管M3的源极接地;所述电流调整电路用于检测通过检流电阻R21的电流的大小并在过流时降低直流电机的输入电流。
[0010]进一步,所述反接检测电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管D1、稳压管D2、稳压管D3;
[0011]电阻R1的一端连接于过压保护控制电路的输入端,电阻R1的另一端通过电阻R2连接于稳压管D1的正极,稳压管D1的负极接地,电阻R3的一端连接于NMOS管M3的栅极,电阻R3的另一端连接于稳压管D2的负极,稳压管D2的正极连接于稳压管D3的正极,稳压管D3的负极连接于过压保护电路的输入端,电阻R3和稳压管D2之间的公共连接点通过电阻R4连接于电阻R1和电阻R2之间的公共连接点。
[0012]进一步,所述过压保护控制电路包括PMOS管M1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、稳压管D4、稳压管D5、三极管Q1、电阻R23和三极管Q2;
[0013]PMOS管M1的源极连接于电阻R23的一端,电阻R23的另一端作为过压保护控制电路的输入端,PMOS管M1的漏极作为过压保护控制电路的输出端,电阻R5的一端连接于过压保护控制电路的输入端,电阻R5的另一端连接于稳压管D4的负极,稳压管D4的正极连接于稳压管D5的负极,稳压管D5的正极连接于检流电阻R21与直流电机的负极之间的公共连接点,稳压管D5的负极连接于三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极连接于检流电阻R21与直流电机的负极之间的公共连接点,三极管Q1的集电极连接于三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极连接于检流电阻R21与直流电机的负极之间的公共连接点,三极管Q2的集电极通过电阻R7连接于PMOS管M1的栅极,三极管Q2的基极通过电阻R8和电阻R6串联后连接于PMOS管M1的源极,电阻R8和电阻R6之间的公共连接点连接于PMOS管M1的栅极。
[0014]进一步,所述电流调整电路包括NMOS管M2、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、三极管Q3以及电流检测电路;
[0015]所述NMOS管M2的漏极作为电流调整电路的输入端,NMOS管M2的源极作为电流调整电路的输出端,NMOS管M2的漏极通过电阻R9连接于三极管Q3的集电极,三极管Q3的集电极通过电阻R10连接于NMOS管M2的栅极,三极管Q3的发射极通过电阻R11接地,三极管Q3的基极连接于电阻R12的一端,电阻R12的另一端连接于电流检测电路的输出端,电流检测电路用于采集通过检流电阻R21的电流。
[0016]进一步,所述电流检测电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电容C1、运放U2和比较器U1;
[0017]电阻R20的一端连接于检流电阻R21与直流电机的负极之间的公共连接点,电阻R20的另一端连接于运放U2的同相端,运放U2的同相端通过电阻R18接地,运放U2的反相端通过电阻R19连接于检流电阻R21和NMOS管M3的漏极之间的公共连接点,运放U2的反相端通过电容C1和电阻R17并联后连接于运放U2的输出端,运放U2的输出端通过电阻R15连接于比较器U1的同相端,比较器U1的反相端通过电阻R14和电阻R16串联后接地,电阻R14和电阻R16之间的公共连接点通过电阻R13连接于电源VCC,比较器U1的输出端作为电流检测电路的输出端。
[0018]本技术的有益效果:能够对数控机床的直流电机是否发生反接、过压以及过流进行实时准确的检测,并能够及时执行相应的保护,从而能够有效防止反接、过流以及过压对直流电机造成的影响,有效确保直流电机的稳定性和安全性。
附图说明
[0019]下面结合附图和实施例对本技术作进一步描述:
[0020]图1为本技术的原理图。
具体实施方式
[0021]以下进一步对本技术做出详细说明:
[0022]本技术提供的一种数控机床直流电机保护控制装置,包括防反接电路、过压保护控制电路以及电流调整电路;
[0023]所述防反接电路包括NMOS管M3以及反接检测电路,所述反接检测电路用于检测直流电源是否反接并控制NMOS管M3的导通与关断;
[0024]所述过压保护控制电路的输入端连接于直流电源正极,过压保护控制电路的输出端连接于电流调整电路的输入端,电流调整电路的输出端连接于直流电机M1的输入端,直流电机M1的负极通过检流电阻R21连接于NMOS管M3的漏极,NMOS管M3的源极接地;所述电流调整电路用于检测通过检流电阻R21的电流的大小并在过流时降低直流电机的输入电流;通过上述结构,能够对数控机床的直流电机是否发生反接、过压以及过流进行实时准确的检测,并能够及时执行相应的保护,从而能够有效防止反接、过流以及过压对直流电机造成的影响,有效确保直流电机的稳定性和安全性。
[0025]本实施例中,所述反接检测电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管D1、稳压管D2、稳压管D3;
[0026]电阻R1的一端本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数控机床直流电机保护控制装置,其特征在于:包括防反接电路、过压保护控制电路以及电流调整电路;所述防反接电路包括NMOS管M3以及反接检测电路,所述反接检测电路用于检测直流电源是否反接并控制NMOS管M3的导通与关断;所述过压保护控制电路的输入端连接于直流电源正极,过压保护控制电路的输出端连接于电流调整电路的输入端,电流调整电路的输出端连接于直流电机M1的输入端,直流电机M1的负极通过检流电阻R21连接于NMOS管M3的漏极,NMOS管M3的源极接地;所述电流调整电路用于检测通过检流电阻R21的电流的大小并在过流时降低直流电机的输入电流。2.根据权利要求1所述数控机床直流电机保护控制装置,其特征在于:所述反接检测电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管D1、稳压管D2、稳压管D3;电阻R1的一端连接于过压保护控制电路的输入端,电阻R1的另一端通过电阻R2连接于稳压管D1的正极,稳压管D1的负极接地,电阻R3的一端连接于NMOS管M3的栅极,电阻R3的另一端连接于稳压管D2的负极,稳压管D2的正极连接于稳压管D3的正极,稳压管D3的负极连接于过压保护电路的输入端,电阻R3和稳压管D2之间的公共连接点通过电阻R4连接于电阻R1和电阻R2之间的公共连接点。3.根据权利要求1所述数控机床直流电机保护控制装置,其特征在于:所述过压保护控制电路包括PMOS管M1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、稳压管D4、稳压管D5、三极管Q1、电阻R23和三极管Q2;PMOS管M1的源极连接于电阻R23的一端,电阻R23的另一端作为过压保护控制电路的输入端,PMOS管M1的漏极作为过压保护控制电路的输出端,电阻R5的一端连接于过压保护控制电路的输入端,电阻R5的另一端连接于稳压管D4的负极,稳压管D4的正极连接于稳压管D5的负极,稳压管D5的正极连接于检流电阻R21与直流电机的负极之间的公共连接点,稳压管D5的负极连接于三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极连...

【专利技术属性】
技术研发人员:苟孝贵刘鸿飞曹小平邓文亮
申请(专利权)人:重庆科创职业学院
类型:新型
国别省市:

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