异常测试结构获取方法、验证方法及相关装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种异常测试结构获取方法、验证方法及相关装置，其中，异常测试结构获取方法包括获取测试数据集；获取驱动电流不满足对应的驱动电流阈值，或漏电流不满足对应的漏电流阈值的单参数异常数据，得到单参数异常测试结构集和单参数正常测试结构集；根据单参数正常测试结构集中的各个单参数正常测试结构的驱动电流和漏电流，构建双参数特征，获取双参数特征阈值；获取双参数特征不满足双参数特征阈值的双参数异常数据，获取双参数异常数据所对应的各个双参数异常测试结构，得到双参数异常测试结构集；根据单参数异常测试结构集和双参数异常测试结构集，得到异常测试结构集。本申请实施例所提供的方法可提高获取异常测试结构的准确性。测试结构的准确性。测试结构的准确性。

【技术实现步骤摘要】
异常测试结构获取方法、验证方法及相关装置


[0001]本申请实施例涉及半导体
，尤其涉及一种异常测试结构获取方法、验证方法及相关装置。

技术介绍

[0002]受到加工工艺等的影响，在芯片制造过程中，会产生缺陷芯片。为了提高芯片制造的良率，降低制造成本，在不同的阶段，会对芯片进行测试，基于测试结果了解工艺对于芯片良率的影响，以便在后续批次加工过程中调整工艺，提高后续加工的芯片良率。
[0003]在晶圆产品流片结束后，会进行不同批次晶圆的WAT(Wafer Acceptance Test，晶圆级可接受性)测试，以测量特定测试结构的电性参数，从而得到WAT测试数据，通过对WAT测试数据中与CP(晶圆测试)测试良率的性能损失项存在相关性的参数的测试数据的筛选，可以获取WAT测试的测试异常数据，进而确定测试异常数据所对应的异常特定测试结构(为方便描述本文称为异常测试结构)，并指导调整工艺。
[0004]然而，现有的获取异常测试结构的方法的准确性较低。
[0005]因此，如何提高获取异常测试结构的准确性，就成为亟需解决的技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异常测试结构获取方法，其特征在于，包括：获取测试数据集，所述测试数据集包括特定测试结构集中各个特定测试结构的WAT晶圆可接受性测试的驱动电流和漏电流；获取所述驱动电流不满足对应的驱动电流阈值，或所述漏电流不满足对应的漏电流阈值的单参数异常数据，得到单参数异常数据所对应的单参数异常测试结构集和单参数正常测试结构集；根据所述单参数正常测试结构集中的各个单参数正常测试结构的所述驱动电流和所述漏电流，构建双参数特征，获取双参数特征阈值；获取所述双参数特征不满足所述双参数特征阈值的双参数异常数据，并获取所述双参数异常数据所对应的各个双参数异常测试结构，得到双参数异常测试结构集；根据所述单参数异常测试结构集和所述双参数异常测试结构集，得到异常测试结构集。2.如权利要求1所述的异常测试结构获取方法，其特征在于，所述双参数特征阈值包括MCD最小协方差行列式马氏距离阈值。3.如权利要求2所述的异常测试结构获取方法，其特征在于，所述MCD最小协方差行列式马氏距离阈值通过以下步骤获取：根据所述单参数正常数据集中对应于同一所述特定测试结构的所述驱动电流和所述漏电流，获取协方差矩阵；利用MCD最小协方差行列式算法获取所述单参数正常数据集的子数据集构成的矩阵中协方差行列式最小的矩阵，得到最小协方差行列式矩阵，利用对应于同一所述特定测试结构的所述驱动电流和所述漏电流所构成的数据元素与最小协方差行列式矩阵获取马氏距离异常分数阈值，得到所述MCD最小协方差行列式马氏距离阈值。4.如权利要求1所述的异常测试结构获取方法，其特征在于，所述获取测试数据集的步骤包括：获取各个特定测试结构的WAT晶圆可接受性测试的原始数据集；清洗所述原始数据集中的失效数据。5.如权利要求1所述的异常测试结构获取方法，其特征在于，所述获取所述驱动电流不满足对应的驱动电流阈值，或所述漏电流不满足对应的漏电流阈值的单参数测试数据的步骤之前还包括：获取与各个所述特定测试结构的阈值电压所对应的产品规格数据界限，得到各个所述驱动电流阈值和各个所述漏电流阈值。6.如权利要求1所述的异常测试结构获取方法，其特征在于，所述根据所述单参数正常数据集中对应于同一所述特定测试结构的所述驱动电流和所述漏电流，构建双参数特征，获取双参数特征阈值的步骤之前还包括：对所述单参数正常数据集中的所述驱动电流进行特征缩放归一化。7.如权利要求6所述的异常测试结构获取方法，其特征在于，所述对所述单参数正常数据集中的所述驱动电流进行特征缩放归一化的步骤包括：利用以下公式对所述单参数正常数据集中的所述驱动电流进行特征缩放归一化：x
normalized
＝(x
‑
min(x))/(max(x)
‑
min(x))
其中，x
normalized
‑‑
特征缩放归一化后的驱动电流，且x
normalized
∈[0,1]；x
‑‑
特征缩放归一化前的驱动电流；min(x)
‑‑
所述单参数正常数据集中的所述驱动电流的最小值；max(x)
‑‑
所述单参数正常数据集中的所述驱动电流的最大值。8.一种异常测试结构获取方法的验证方法，其特征在于，包括：通过如权利要求1
‑
7任一项所述的异常测试结构获取方法，获取验证数据集所对应的验证特定测试结构集中的双参数验证异常测试结构集和验证异常测试结构集；根据所述验证特定测试结构集和所述验证异常测试结构集获取验证正常测试结构集；分别获取所述所述双参数验证异常测试结构集和所述验证正常测试结构集所对应的晶圆测试的器件速度相关良率损失项比例和缺陷相关良率损失项比例；当确定所述双参数验证异常测试结构集的器件速度相关良率损失项比例大于所述验证正常测试结构集的器件速度相关良率损失项比例，且所述双参数验证异常测试结构集的缺陷相关良率损失项比例大于所述验证正常测试结构集的缺陷相关良率损失项比例时，确定所述异常测试结构获取方法有效。9.一种异常测试结构获取装置，其特征在于，包括：测试数据集获取单元，适于获取测试数据集，所述测试数据集包括特定测试结构集中各个特定测试结构的WAT晶圆可接受性测试的驱动电流和漏电流；单参数正常测试结构集获取单元，适于获取所述驱动电流不满足对应的驱动电流阈值，或所述漏电流不满足对应的漏电流阈值的单参数异常数据，得到单参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：张琪麟，詹扬扬，王伟，
申请(专利权)人：海光集成电路设计北京有限公司，
类型：发明
国别省市：