封装模块、封装发光器件及发光器件支架制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种封装模块、封装发光器件和发光器件支架，一种封装模块包括封装胶体，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；所述中间区域形成有朝第二表面凹陷的晶片容纳槽；所述周边区域形成有位于所述晶片容纳槽在第一方向上相对两侧的第一插接结构和第二插接结构；波长转换层，至少形成在所述第一表面和所述第二表面之一上，所述波长转换层包含荧光材料。本实用新型专利技术实施例公开的封装模块、封装发光器件和发光器件支架可以简化LED封装工艺，提升封装效率，提升色区集中度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
封装模块、封装发光器件及发光器件支架


[0001]本技术涉及半导体发光
，尤其涉及一种封装模块、一种封装发光器件和一种发光器件支架。

技术介绍

[0002]LED(light
‑
emitting diode，发光二极管)传统封装工艺较为繁琐，尤其点胶工序，试配时间长，且因配胶误差、点胶耗材磨损以及作业时间长导致荧光粉沉淀等因素，会导致色区集中度欠佳(3step<70％)，无法满足高色区集中度要求及客户对色容差的要求。
[0003]因此，亟需提供一种新的LED封装方案来解决传统工艺繁琐、色区集中度欠佳的问题。

技术实现思路

[0004]因此，为克服现有技术中的至少部分缺陷，本技术实施例提供了一种封装模块、一种封装发光器件和一种发光器件支架，可以简化LED封装工艺，提升封装效率，提升色区集中度。
[0005]具体地，一方面，本技术一个实施例提供的一种封装模块，包括：封装胶体，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；所述中间区域形成有朝第二表面凹陷的晶片容纳槽；所述周边区域形成有位于所述晶片容纳槽在第一方向上相对两侧的第一插接结构和第二插接结构；所述第一插接结构为第一胶体插槽或第一胶体凸柱；所述第二插接结构为第二胶体插槽或第二胶体凸柱；第一波长转换层，形成在所述第一表面上，所述第一波长转换层包含第一颜色荧光材料；第二波长转换层，形成在所述第二表面上，所述第二波长转换层包含第二颜色荧光材料；所述第一颜色荧光材料与所述第二颜色荧光材料不同。
[0006]本技术另一个实施例提供一种封装模块，包括封装胶体，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；所述中间区域形成有朝第二表面凹陷的晶片容纳槽；所述周边区域形成有位于所述晶片容纳槽在第一方向上相对两侧的第一插接结构和第二插接结构；波长转换层，至少形成在所述第一表面和所述第二表面之一上，所述波长转换层包含荧光材料。
[0007]在一个实施例中，所述波长转换层包括第一波长转换层，形成在所述第一表面上；所述第一波长转换层包括第一颜色荧光材料。
[0008]在一个实施例中，所述第一插接结构为第一胶体插槽；所述第二插接结构为第二胶体插槽；所述第一胶体插槽具有第一插槽底面，所述第二胶体插槽具有第二插槽底面，所述第一插槽底面和所述第二插槽底面均形成有所述第一波长转换层；所述第一插槽底面和所述第二插槽底面均倾斜于所述第二表面。
[0009]在一个实施例中，所述第一插槽底面和所述第二插槽底面的倾斜方向为自所述第二表面靠近所述周边区域的边缘朝靠近所述晶片容纳槽的方向倾斜。
[0010]在一个实施例中，所述波长转换层包括第二波长转换层，形成于所述第二表面上；所述第二波长转换层包括第二颜色荧光材料。
[0011]在一个实施例中，所述第一波长转换层的厚度为10～50微米；所述第二波长转换层的厚度为10～50微米。
[0012]在一个实施例中，所述第一表面包括在所述第一方向上相对的第一边缘和第二边缘，以及在第二方向上相对的第三边缘和第四边缘；所述第二方向与所述第一方向交叉；所述第一边缘与所述第二边缘之间的距离为第一边长；所述第三边缘与所述第四边缘之间的距离为第二边长；所述第一边长大于所述第二边长。
[0013]本技术一个实施例提供一种封装发光器件，包括：前述任意一项所述的封装模块；基板，所述基板的一侧形成有第三插接结构和第四插接结构；所述第三插接结构与所述第一插接结构相互插接；所述第四插接结构与所述第二插接结构相互插接；所述封装模块通过所述第一表面的所述周边区域与所述基板连接；发光晶片，固定在所述基板朝向封装模块的一侧，且位于所述晶片容纳槽内。
[0014]本技术一个实施例提供一种发光器件支架，包括：绝缘结构；基板，包括设置在所述绝缘结构相对两侧的第一子板和第二子板；所述第一子板上设置有第一支架插槽或第一支架凸柱，所述第二子板上设置有第二支架插槽或第二支架凸柱。
[0015]由上可知，本技术上述实施例可以达成以下一个或多个有益效果：设置带有第一插接结构和第二插接结构的封装模块，可代替传统点胶工艺直接使用封装模块与支架的插接将LED封装得到封装发光器件。因而可将繁琐的传统封装工艺简化为统一的贴合单工艺，可提升生产效率、色区集中度和良率。
[0016]通过以下参考附图的详细说明，本技术的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本技术的范围的限定。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
附图说明
[0017]下面将结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细的说明。
[0018]图1为本技术一个实施例提供的封装发光器件的剖面结构示意图。
[0019]图2为本技术另一个实施例提供的封装发光器件的剖面结构示意图。
[0020]图3为本技术一个实施例提供的封装模块的结构示意图。
[0021]图4为一个具体实施例中图3所示的封装模块沿A
‑
A的剖面的示意图。
[0022]图5为另一个具体实施例中图3所示的封装模块沿A
‑
A的剖面的示意图。
[0023]图6为本技术一个实施例提供的发光器件支架的结构示意图。
[0024]图7为一个具体实施例中图6所示的发光器件支架沿B
‑
B的剖面的示意图。
[0025]图8为另一个具体实施例中图6所示的发光器件支架沿B
‑
B的剖面示意图。
[0026]【附图标记说明】
[0027]100：封装模块；10：封装胶体；11：第一表面；111：第一边缘；112：第二边缘；113：第三边缘；114：第四边缘；12：第二表面；13：晶片容纳槽；14：第一插接结构；141：第一胶体插槽；1411：第一插槽底面；142：第一胶体凸柱；15：第二插接结构；151：第二胶体插槽；1511：
第二插槽底面；152：第二胶体凸柱；21：第一波长转换层；22：第二波长转换层；20：波长转换层；30：发光器件支架；31：基板；311：第一子板；312：第二子板；32：第三插接结构；321：第一支架凸柱；322：第一支架插槽；33：第四插接结构；331：第二支架凸柱；332：第二支架插槽；34：绝缘结构；40：发光晶片；200：封装发光器件。
具体实施方式
[0028]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
[0029]为了使本领域普通技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装模块(100)，其特征在于，包括：封装胶体(10)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)，所述第一表面(11)包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；所述中间区域形成有朝第二表面(12)凹陷的晶片容纳槽(13)；所述周边区域形成有位于所述晶片容纳槽(13)在第一方向上相对两侧的第一插接结构(14)和第二插接结构(15)；所述第一插接结构(14)为第一胶体插槽(141)或第一胶体凸柱(142)；所述第二插接结构(15)为第二胶体插槽(151)或第二胶体凸柱(152)；第一波长转换层(21)，形成在所述第一表面(11)上；第二波长转换层(22)，形成在所述第二表面(12)上。2.一种封装模块(100)，其特征在于，包括：封装胶体(10)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)，所述第一表面(11)包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；所述中间区域形成有朝第二表面(12)凹陷的晶片容纳槽(13)；所述周边区域形成有位于所述晶片容纳槽(13)在第一方向上相对两侧的第一插接结构(14)和第二插接结构(15)；波长转换层(20)，至少形成在所述第一表面(11)和所述第二表面(12)之一上。3.如权利要求2所述的封装模块(100)，其特征在于，所述波长转换层包括第一波长转换层(21)，形成在所述第一表面(11)上。4.如权利要求3所述的封装模块(100)，其特征在于，所述第一插接结构(14)为第一胶体插槽(141)；所述第二插接结构(15)为第二胶体插槽(151)；所述第一胶体插槽(141)具有第一插槽底面(1411)，所述第二胶体插槽(151)具有第二插槽底面(1511)，所述第一插槽底面(1411)和所述第二插槽底面(1511)均形成有所述第一波长转换层(21)；所述第一插槽底面(1411)和所述第二插槽底面(1511)均倾斜于所述第二表面(12)。5.如权利要求4所述的封装模块(100)，其特征在于，所述第一插槽底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少锋，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：