一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法技术

本发明专利技术提供了一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法，用于解决相控阵天线扫描时阵元间存在耦合的技术问题。本发明专利技术公开了一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法，使用遗传算法优化阵元之间特定位置有无金属柱，引入新的耦合来抵消原有的耦合，以实现去耦。方法包括以下步骤：步骤一、对四块介质板表面金属化并纵向开槽形成阵元；步骤二、对其中两块阵元一端侧面开槽，另外两块阵元两端侧面开槽，去除阵元的部分金属壁；步骤三、将四块阵元拼合，其中，两块一侧端面开槽的阵元放置在两端，两块两侧开槽的阵元放置在中间，且相邻两块阵元开槽处两两相对；步骤四、去除的金属壁用若干等间距金属柱代替，确保目标频段的阻抗匹配良好，并降低端口有源反射系数。步骤五、用离散端口代替金属柱。步骤五、用离散端口代替金属柱。步骤五、用离散端口代替金属柱。

【技术实现步骤摘要】
一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法


[0001]本专利技术涉及天线
，尤其涉及一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法。

技术介绍

[0002]相控阵天线当扫描角度增大时，由于天线阵列单元间距较小，单元间的耦合增大，不仅单元方向图和阵因子会影响扫描能力，天线单元间较大的耦合也会对天线扫描能力有较大影响。单元间的耦合会导致馈电端口的阻抗发生较大变化从而影响阵列扫描时的端口阻抗匹配，将对天线的工作带宽带来较大恶化，所以阵元间去耦对于阵列性能的提升有很大的意义。
[0003]阵元间耦合主要分为表面波耦合，近场耦合，远场耦合。表面波耦合主要由于阵元间的介质较厚或者具有较高的介电常数；近场耦合来自于天线的空间近场辐射；远场耦合是天线远场辐射造成。因为远场耦合是对处于远场的天线元进行耦合，所以耦合较小，一般不考虑。
[0004]目前去耦合主要分作两大类，第一类是从耦合源头去耦，阻止耦合的发生，去除耦合路径，让表面波或者近场不能到达附近天线单元，其中就包括DGS结构，EBG结构，通过类似滤波功能阻止表面波耦合至邻近单元；对于近场耦合可以通过单元间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法，其特征在于：使用遗传算法优化阵元之间特定位置有无金属柱，引入新的耦合来抵消原有的耦合，以实现去耦。包括以下步骤：步骤一、对四块介质板表面金属化并纵向开槽形成阵元；步骤二、对其中两块阵元一端侧面开槽，另外两块阵元两端侧面开槽，去除阵元的部分金属壁；步骤三、将四块阵元拼合，其中，两块一侧端面开槽的阵元放置在两端，两块两侧开槽的阵元放置在中间，且相邻两块阵元开槽处两两相对；步骤四、去除的金属壁用若干等间距金属柱代替；步骤五、用离散端口代替金属柱。2.根据权利要求1所述的一种SIW宽角扫描天线阵去耦方法，其特征在于：所述介质板材料为ROGERS RO3003，介电常数为3
±
0.04，损耗因子tanδ为0.0010，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王任，黄浩，邵俊杰，董明华，梁木生，王秉中，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：