等离子体破坏保护装置及保护方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体破坏保护装置及保护方法。等离子体破坏保护装置设置在集成电路中。等离子体破坏保护装置包括开关组件以及传输结构。开关组件耦接在参考电源轨线与焊垫间。开关组件根据焊垫上的电荷以被导通或断开，其中焊垫耦接至受保护组件。传输结构用以在后段工艺中传输焊垫上的电荷至开关组件的控制端。其中在后段工艺中，开关组件根据焊垫上的电荷以被导通。上的电荷以被导通。上的电荷以被导通。

【技术实现步骤摘要】
等离子体破坏保护装置及保护方法


[0001]本专利技术涉及一种等离子体破坏保护装置及保护方法，尤其涉及一种可达成双向极性保护的等离子体破坏保护装置及保护方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，进行例如蚀刻工艺时，常需要施加等离子体于集成电路中。这些施加的等离子体所带来的电荷，可能会累积在电路组件中，并对电路组件产生损坏。
[0003]在已知技术中，常在受保护组件旁，设置二极管来进行等离子体破坏的保护动作。这种二极管通常只能针对单一极性的电荷进行保护。因此，已知技术也通过设置双极性晶体管来达成双极性的等离子体破坏的保护动作。然而，通过双极性晶体管所达成的等离子体破坏的保护动作，无论是在正极性或是负极性电荷的保护动作的表现上都欠佳。因此，提出一种高效能的等离子体破坏保护装置，是本领域设计者的重要课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术是针对一种等离子体破坏保护装置及保护方法，可提升对于工艺中所产生的等离子体破坏的保护效能。
[0005]根据本专利技术的实施例，等离子体破坏保护装置设置在集成电路中。等离子体破坏保护装置包括开关组件以及传输结构。开关组件耦接在参考电源轨线与焊垫间。开关组件根据焊垫上的电荷以被导通或断开，其中焊垫耦接至受保护组件。传输结构用以在后段工艺中传输焊垫上的电荷至开关组件的控制端。其中在后段工艺中，开关组件根据焊垫上的电荷以被导通。
[0006]根据本专利技术的实施例，等离子体破坏保护方法包括：形成传输结构以耦接至焊垫；形成开关组件以耦接至传输结构、受保护组件、焊垫以及参考电源轨线；以及，在后段工艺中，使传输结构传输焊垫上的电荷至开关组件的控制端，并使开关组件根据焊垫上的电荷以被导通。
[0007]基于上述，本专利技术通过在后段工艺中，提供传输结构来传输焊垫上的电荷至开关组件的控制端，并通过导通开关组件以进行焊垫上的电荷的宣泄动作。并经以防止集成电路中的组件受到焊垫上等离子体所累积的电荷的破坏，维持集成电路的可靠度。
附图说明
[0008]图1为本专利技术一实施例的等离子体破坏保护装置的示意图；
[0009]图2为本专利技术另一实施例的等离子体破坏保护装置的示意图；
[0010]图3A以及图3B为本专利技术图2实施例的等离子体破坏保护装置200的动作方式的示意图；
[0011]图4为本专利技术实施例的在后段工艺后的等离子体破坏保护装置的示意图；
[0012]图5为本专利技术实施例的等离子体破坏保护方法的流程图。
[0013]附图标号说明
[0014]100、200、400:等离子体破坏保护装置；
[0015]110、210、410:开关组件；
[0016]120、220、420:传输结构；
[0017]130、230:连接结构；
[0018]140、240、440:传输导线；
[0019]ML、M1、M2:金属层；
[0020]PC:受保护组件；
[0021]PD1、PD2:焊垫；
[0022]RPWL:参考电源轨线；
[0023]S510～S530:等离子体破坏保护步骤；
[0024]T1:晶体管。
具体实施方式
[0025]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0026]请参照图1，等离子体破坏保护装置100包括开关组件110以及传输结构120。开关组件110耦接在参考电源轨线RPWL与焊垫PD1间。开关组件110根据焊垫PD1上的电荷以被导通或断开，其中，焊垫PD1耦接至受保护组件PC。受保护组件PC可以是晶体管，或其他种类的半导体组件。传输结构120耦接至开关组件110以及参考电源轨线RPWL。在本实施例中，传输结构120可通过连接结构130耦接至焊垫PD1。
[0027]在本实施例中，在后段工艺中(Back
‑
End
‑
of
‑
Line,BEoL)，传输结构120可通过连接结构130维持耦接至焊垫PD1，并使焊垫PD1上的电荷可以通过传输结构120被传送至开关组件110的控制端。其中，开关组件110为晶体管T1。晶体管T1的第一端接至焊垫PD1，晶体管T1的第二端以及基极端共同耦接至参考电源轨线RPWL，晶体管T1的控制端则耦接至传输结构120。
[0028]值得一提的，开关组件110可根据焊垫PD1上的电荷来被导通或断开。其中，当工艺中，施加的等离子体在焊垫PD1上所累积的电荷超过一个预期的量时，开关组件110可被导通，并经以宣泄焊垫PD1上的电荷至参考电源轨线RPWL，并使受保护组件PC不会因为焊垫PD1上过多的电荷而造成损毁。
[0029]附带一提的，参考电源轨线RPWL可耦接至焊垫PD2。参考电源轨线RPWL可通过焊垫PD2以接收参考电压。
[0030]另外，在本实施例中，当后段工艺完成后，连接结构130可被移除。并且，开关组件110的控制端与参考电源轨线RPWL间可形成一传输导线140。传输导线140用以使开关组件110的控制端上的电压被拉低至参考电源轨线RPWL上的参考电压。如此一来，开关组件110中的晶体管T1可以维持为被截止的状态。
[0031]请参照图2，等离子体破坏保护装置200包括开关组件210以及传输结构220。开关组件210由晶体管T1所建构。晶体管T1耦接在焊垫PD1以及参考电源轨线RPWL间，晶体管T1的控制端耦接至传输结构220。在本实施例中，焊垫PD1由金属层ML所构成，其中金属层ML与
金属层M1、M2可相互耦接，金属层M1可直接连接至晶体管T1以及受保护组件PC。
[0032]此外，传输结构220形成在至少一金属层中。在一实施例中，传输结构220可由金属层ML、M2、M1来形成。金属层ML、M2、M1依序耦接。并且，在后段工艺未完成前，传输结构220可通过连接结构230来与焊垫PD1相互耦接。连接结构230可以与传输结构220利用相同的金属层ML、M2、ML来建构。
[0033]在后段工艺中，焊垫PD1上的电荷可通过连接结构230以及传输结构220来被传导至晶体管T1的控制端。若当焊垫PD1上的电荷大过一定的临界量时，晶体管T1可对应被导通，并在焊垫PD1与参考电源轨线RPWL间形成一个导通路径。通过晶体管T1所提供的导通路径，焊垫PD1上的电荷可有效被宣泄，并使受保护组件PC不因焊垫PD1上的电荷而产生损坏。
[0034]在本实施例中，参考电源轨线RPWL耦接至焊垫PD2，并可接收参考电压。
[0035]在另一方面，当后段工艺完成后，连接结构230则可被移除，并且，在晶体管T1的控制端以及参考电源轨线RPWL之间可形成传输导线240。传输导线240用以将参考电源轨线RPWL上的参考电压传输至晶体管T1的控制端，并使晶体管T1可维持在被截止的状态。
[0036]附带一提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体破坏保护装置，设置在集成电路中，其特征在于，包括：开关组件，耦接在参考电源轨线与焊垫间，根据所述焊垫上的电荷以被导通或断开，其中所述焊垫耦接至受保护组件；以及传输结构，用以在后段工艺中传输所述焊垫上的电荷至所述开关组件的控制端，其中在所述后段工艺中，所述开关组件根据所述焊垫上的电荷以被导通。2.根据权利要求1所述的等离子体破坏保护装置，其特征在于，还包括：连接结构，用以连接所述焊垫以及所述传输结构，其中所述连接结构在所述后段工艺后被移除。3.根据权利要求1所述的等离子体破坏保护装置，其特征在于，所述开关组件包括：晶体管，具有第一端耦接至所述焊垫，所述晶体管的控制端耦接至所述传输结构，所述晶体管的第二端以及基极端均耦接至所述参考电源轨线。4.根据权利要求3所述的等离子体破坏保护装置，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管，当所述焊垫上的电荷为正极性时，所述晶体管根据控制端上的所述焊垫上的电荷被导通。5.根据权利要求3所述的等离子体破坏保护装置，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管，当所述焊垫上的电荷为负极性时，所述晶体管的基极端与所述晶体管的第一端间所形成的P
‑
N接面被导通。6.根据权利要求1所述的等离子体破坏保护装置，其特征在于，所述传输结构形成在至少一金属层中。7.根据权利要求1所述的等离子体破坏保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昭龙，许至淳，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：