一种半导体二氧化钛的制备方法技术

提供一种半导体二氧化钛的制备方法，该方法不需要复杂的预处理，使用通用的设备就能够简单地制备半导体二氧化钛。该方法包括：将含钛基材在70～90℃的过氧化氢水溶液中浸泡1～28小时的第一浸泡工序；以及，第二浸泡工序；所述第二浸泡工序包括：将经过了所述第一浸泡工序的所述基材在10～30℃的常温水中浸泡24～48小时的常温水浸泡工序；以及，将经过了所述常温水浸泡工序的所述基材在70～90℃的温水中浸泡24～96小时的温水浸泡工序。中浸泡24～96小时的温水浸泡工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种半导体二氧化钛的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体二氧化钛的制备方法。

技术介绍

[0002]众所周知，半导体二氧化钛作为光催化剂，具有例如有机物的氧化分解能力和超亲水功能等性质。这种半导体二氧化钛的氧化分解能力可用于抗菌、除臭等，而超亲水功能则例如可用于防污。上述这种半导体二氧化钛，例如可以通过以下专利文献1和2中记载的方法来制备。
[0003]此外，包括用过氧化氢的处理工序和用水的处理工序的二氧化钛膜的制备方法(例如专利文献3)，以及通过过氧化氢、常温水和温水处理使无定形的二氧化钛结晶为锐钛矿也是已知的(例如非专利文献1)。
[0004]相关技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利特开2000
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271493号公报
[0007]专利文献2：日本专利第3795515号
[0008]专利文献3：中国专利第1252310号说明书
[0009]非专利文献
[0010]非专利文献1：Jin
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体二氧化钛的制备方法，包括：将含钛基材在70～90℃的过氧化氢水溶液中浸泡1～28小时的第一浸泡工序；以及，第二浸泡工序；所述第二浸泡工序包括：将经过了所述第一浸泡工序的所述基材在10～30℃的常温水中浸泡24～48小时的常温水浸泡工序；以及，将经过了所述常温水浸泡工序的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：池尻誉広，田中良汰，塚田晋也，远藤欢一，古南博，
申请(专利权)人：株式会社齿健，
类型：发明
国别省市：