静电保护电路、IO电路、静电保护芯片和电子设备制造技术

本申请提供一种静电保护电路、IO电路、静电保护芯片和电子设备，涉及电子电路技术领域。该静电保护电路包括：GGNMOS管、触发单元和开关单元；GGNMOS管的漏极连接输入输出接口和待保护电路，GGNMOS管的栅极、源极和衬底连接后接地，GGNMOS管的栅极和源极之间还连接有触发单元；开关单元的控制端连接预设电源，开关单元的两端分别连接触发单元的两端。本申请可以提高静电保护电路对待保护电路进行保护的安全性。安全性。安全性。

【技术实现步骤摘要】
静电保护电路、IO电路、静电保护芯片和电子设备


[0001]本技术涉及电子电路
，具体而言，涉及一种静电保护电路、IO电路、静电保护芯片和电子设备。

技术介绍

[0002]在集成电路(Integrated Circuits)中，静电放电(ESD，Electrostatic discharge)对芯片的可靠性影响不容忽视，尤其在深亚微米、纳米技术普遍应用的当今，外部环境、人体、机械、辐射场等静电放电对IC破坏性的影响更加显著，业界在IC的设计与制造过程中对ESD的防护做了大量的研究与实践。
[0003]请参考图1，为传统的静电保护电路的结构示意图一，如图1所示，在使用GGNMOS(gate connect to ground NMOS)晶体管作为ESD器件的静电保护电路中，输入电压Vin、待保护电路的漏源击穿电压BVds值、以及GGNMOS管的Vt1之间的关系为Vin<Vt1<BVds，请参考图2，为理想状态下GGNMOS管的传输线路脉冲曲线图，如图2所示，GGNMOS管的Vt1满足安全使用条件Vin<Vt1<BVds，才能保证GGNMOS管即可以实现对待保护电路的静电防护，也可以在ESD脉冲到来时泄放ESD电流，还可以在正常工作时保证输入电压Vin不会通过GGNMOS管漏电。
[0004]但是在通常情况下，请参考图3，为实际状态下GGNMOS管的传输线路脉冲曲线图一，如图3所示，由于待保护电路中采用与GGNMOS管同类型的器件，导致Vt1和BVds的值非常接近，为待保护电路中的器件的安全防护带来了风险。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种静电保护电路、IO电路、静电保护芯片和电子设备，以便提高静电保护电路对待保护电路进行保护的安全性。
[0006]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种静电保护电路，所述静电保护电路包括：GGNMOS管、触发单元和开关单元；
[0008]所述GGNMOS管的漏极连接输入输出接口和待保护电路，所述GGNMOS管的栅极、源极和衬底连接后接地，所述GGNMOS管的栅极和源极之间还连接有所述触发单元；
[0009]所述开关单元的控制端连接预设电源，所述开关单元的两端分别连接所述触发单元的两端。
[0010]在一种可能的实现方式中，所述静电保护电路还包括：延时单元；
[0011]所述延时单元的输入端连接所述预设电源，所述延时单元的输出端连接所述开关单元的控制端。
[0012]在一种可能的实现方式中，所述开关单元包括：开关管，所述开关管的输入端和输出端分别连接所述触发单元的两端，所述开关管的控制端连接所述预设电源。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述开关管为NMOS管，所述NMOS管的栅极为所述开关
管的控制端，所述NMOS管的漏极为所述开关管的输入端，所述NMOS管的源极为所述开关管的输出端。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述触发单元包括：第一电阻。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述静电保护电路还包括：第一电容，所述第一电容连接在所述GGNMOS管的漏极和栅极之间。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述延时单元包括：第二电阻和第二电容；
[0017]所述第二电阻的一端作为所述延时单元的输入端，所述第二电阻的另一端和所述第二电容的一端连接作为所述延时单元的输出端，所述第二电容的另一端接地。
[0018]第二方面，本申请实施例还提供一种IO电路，所述IO电路包括：输入输出接口和上述第一方面任一所述的静电保护电路，所述输入输出接口连接所述静电保护电路。
[0019]第三方面，本申请实施例还提供一种静电保护芯片，所述静电保护芯片包括如第二方面所述的IO电路。
[0020]第四方面，本申请实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括：如第三方面所述的静电保护芯片和待保护电路，所述IO电路连接所述待保护电路。
[0021]本申请的有益效果是：
[0022]本申请提供一种静电保护电路、IO电路、静电保护芯片和电子设备，通过开关单元控制触发单元在静电释放脉冲能量到来时降低GGNMOS管的击穿电压，实现对待保护电路中器件的保护，在静电释放脉冲能量结束待保护电路正常工作时将触发单元短路，降低GGNMOS在正常工作时被误触发的风险，避免因为输入电压的波动导致GGNMOS管的击穿而引起的漏电问题，保证在待保护电路正常工作时不会出现漏电问题。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0024]图1为传统的静电保护电路的结构示意图一；
[0025]图2为理想状态下GGNMOS管的传输线路脉冲曲线图；
[0026]图3为实际状态下GGNMOS管的传输线路脉冲曲线图一；
[0027]图4为传统的静电保护电路的结构示意图二；
[0028]图5为实际状态下GGNMOS管的传输线路脉冲曲线图二；
[0029]图6为实际状态下GGNMOS管的传输线路脉冲曲线图三；
[0030]图7为本申请实施例提供的静电保护电路的原理框图一；
[0031]图8为本申请实施例提供的静电保护电路的电路图一；
[0032]图9为本申请实施例提供的静电保护电路的电路图二；
[0033]图10为本申请实施例提供的静电保护电路的等效图；
[0034]图11为本申请实施例提供的静电保护电路的原理框图二；
[0035]图12为本申请实施例提供的静电保护电路的电路图三；
[0036]图13为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0037]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0038]因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0039]此外，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：GGNMOS管、触发单元和开关单元；所述GGNMOS管的漏极连接输入输出接口和待保护电路，所述GGNMOS管的栅极、源极和衬底连接后接地，所述GGNMOS管的栅极和源极之间还连接有所述触发单元；所述开关单元的控制端连接预设电源，所述开关单元的两端分别连接所述触发单元的两端。2.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：延时单元；所述延时单元的输入端连接所述预设电源，所述延时单元的输出端连接所述开关单元的控制端。3.如权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述开关单元包括：开关管，所述开关管的输入端和输出端分别连接所述触发单元的两端，所述开关管的控制端连接所述预设电源。4.如权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，所述开关管为NMOS管，所述NMOS管的栅极为所述开关管的控制端，所述NMOS管的漏极为所述开关管的输入端，所述NMOS管的源极为所述开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄戈，周江云，唐超，
申请(专利权)人：成都市易冲半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：