阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板的周边区容易发生短路的问题。本公开的阵列基板具有显示区及围绕显示区的周边区，阵列基板包括：基底、位于基底上依次设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层、及位于第二导电层和第三导电层之间的有机绝缘层；在周边区，第一导电层形成第一衬垫，第二导电层形成第二衬垫，有机绝缘层设置有第一过孔；第一衬垫和第二衬垫在第一过孔位置处通过第三导电层电连接；至少两个第一衬垫和两个第二衬垫在基底上的正投影落在第一过孔在基底上的正投影内。影落在第一过孔在基底上的正投影内。影落在第一过孔在基底上的正投影内。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置


[0001]本公开属于显示
，具体涉及一种阵列基板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，增强现实(Augmented Reality，AR)显示和虚拟显示(Virtual Reality，VR)显示等高PPI(每英寸像素数)产品在显示行业备受关注。但是，高PPI产品由于金属布线密度增加等原因，其开口率和透过率相比常规产品，会大大降低，同时其负载较大。为了满足高PPI产品的要求，通常采用厚度较大的有机绝缘层(ORG)进行开发，对于设置有厚度较大的有机绝缘层的显示产品中，当不同层的两层导电层需要连接时，需要对有机绝缘层进行打孔，以将底部的导电层漏出，然后利用其他导电层将该两层导电层连接起来。
[0003]在一些区域，例如栅极驱动区，过孔比较密集。有机绝缘层中相邻的过孔之间距离较近(小于15微米)，过孔之间的有机绝缘层形成挡墙，由于有机绝缘层的厚度较大(大于2微米)，挡墙容易坍塌，形成凹凸不平的表面。在导电层在此处曝光时，容易发生残留，而将临近的多孔之间的导电层连接起来，导致短路不良。

技术实现思路

[0004]本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种阵列基板及显示装置。
[0005]第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，具有显示区及围绕所述显示区的周边区，所述阵列基板包括：基底、位于所述基底上依次设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层、及位于所述第二导电层和所述第三导电层之间的有机绝缘层；
[0006]在所述周边区，所述第一导电层形成第一衬垫，所述第二导电层形成第二衬垫，所述有机绝缘层设置有第一过孔；所述第一衬垫和所述第二衬垫在所述第一过孔位置处通过所述第三导电层电连接；
[0007]至少两个所述第一衬垫和两个所述第二衬垫在所述基底上的正投影落在所述第一过孔在所述基底上的正投影内。
[0008]可选地，所述第三导电层在所述基底上的正投影落在所述第一过孔在所述基底上的正投影内。
[0009]可选地，所述第三导电层在所述基底上的正投影的边缘与所述第一过孔在所述基底上的正投影的边缘之间的距离为10微米至50微米。
[0010]可选地，所述阵列基板还包括：位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一无机绝缘层；在所述周边区，所述第一无机绝缘层设置有第二过孔；
[0011]多个所述第二过孔在所述基底上的正投影落在同一所述第一过孔在所述基底上的正投影内。
[0012]可选地，所述阵列基板还包括：位于所述有机绝缘层和所述第三导电层之间的第
二无机绝缘层；在所述周边区，所述第二无机绝缘层设置有第三过孔；
[0013]多个所述第三过孔在所述基底上的正投影落在同一所述第一过孔在所述基底上的正投影内。
[0014]可选地，所述阵列基板还包括：位于所述基底上设置于显示区的多个薄膜晶体管和像素电极；
[0015]在所述显示区，所述第二导电层形成薄膜晶体管的源极和漏极，所述第三导电层形成像素电极，所述有机绝缘层设置有第四过孔；所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极在所述第四过孔位置处电连接；
[0016]所述漏极在所述基底上的正投影的至少部分边缘落在所述第四过孔在所述基底上的正投影内。
[0017]可选地，所述第四过孔包括：第一子过孔和第二子过孔；所述第一子过孔在所述基底上的正投影面积小于所述第二子过孔在所述基底上的正投影面积；
[0018]所述漏极在所述基底上的正投影的至少部分边缘落在所述第一子过孔在所述基底上的正投影内。
[0019]可选地，所述阵列基板还包括：位于所述基底上设置于显示区的多个薄膜晶体管和像素电极；
[0020]在所述显示区，所述第二导电层形成薄膜晶体管的源极和漏极，所述第三导电层形成像素电极，所述有机绝缘层设置有第四过孔；所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极在所述第四过孔位置处电连接；
[0021]所述阵列基板还包括：位于所述有机绝缘层和所述第三导电层之间的第二无机绝缘层；在所述显示区，所述第二无机绝缘层设置有第五过孔；
[0022]所述第五过孔在所述基底上的正投影的部分边缘落在所述第四过孔在所述基底上的正投影内，部分边缘落在所述第四过孔在所述基底上的正投影外。
[0023]可选地，在所述第四过孔和所述第五过孔对应位置，所述第三导电层形成第一台阶和第二台阶；
[0024]部分所述第一台阶的高度大于所述第二台阶的高度；部分所述第一台阶的高度小于所述第二台阶的高度。
[0025]第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上述提供的阵列基板。
附图说明
[0026]图1为一种示例性的阵列基板的平面结构示意图。
[0027]图2为图1所示的阵列基板中非显示区的局部结构示意图。
[0028]图3为图2所示的结构沿A
‑
A
’
方向上的截面结构示意图。
[0029]图4为图2所示的结构沿B
‑
B
’
方向上的截面结构示意图。
[0030]图5为本公开实施例提供的一种阵列基板非显示区的局部结构示意图。
[0031]图6为图5所示的结构沿C
‑
C
’
方向上的截面结构示意图。
[0032]图7为图5所示的结构沿D
‑
D
’
方向上的截面结构示意图。
[0033]图8为图1所示的阵列基板中显示区的局部结构示意图。
[0034]图9为图8所示的结构沿E
‑
E
’
方向上的截面结构示意图。
[0035]图10为本公开实施例提供的一种阵列基板显示区的局部结构示意图。
[0036]图11为图10所示的结构沿F
‑
F
’
方向上的第一种截面结构示意图。
[0037]图12为图10所示的结构沿F
‑
F
’
方向上的第二种截面结构示意图。
[0038]图13为图10所示的结构沿F
‑
F
’
方向上的第三种截面结构示意图。
[0039]图14为图10所示的结构沿F
‑
F
’
方向上的第四种截面结构示意图。
[0040]图15为本公开实施例提供的另一种阵列基板显示区的局部结构示意图。
[0041]图16为图15所示的结构沿G
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G
’
方向上的一种截面结构示意图。
[0042]图17为图15所示的结构沿H
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H
’
方向上的一种截面结构示意图。
[0043]图18为本公开实施例提供的又一种阵列基板显示区的局部结构示意图。
[0044]图19为图18所示的结构沿I
‑
I<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，具有显示区及围绕所述显示区的周边区，其特征在于，所述阵列基板包括：基底、位于所述基底上依次设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层、及位于所述第二导电层和所述第三导电层之间的有机绝缘层；在所述周边区，所述第一导电层形成第一衬垫，所述第二导电层形成第二衬垫，所述有机绝缘层设置有第一过孔；所述第一衬垫和所述第二衬垫在所述第一过孔位置处通过所述第三导电层电连接；至少两个所述第一衬垫和两个所述第二衬垫在所述基底上的正投影落在所述第一过孔在所述基底上的正投影内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导电层在所述基底上的正投影落在所述第一过孔在所述基底上的正投影内。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导电层在所述基底上的正投影的边缘与所述第一过孔在所述基底上的正投影的边缘之间的距离为10微米至50微米。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一无机绝缘层；在所述周边区，所述第一无机绝缘层设置有第二过孔；多个所述第二过孔在所述基底上的正投影落在同一所述第一过孔在所述基底上的正投影内。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述有机绝缘层和所述第三导电层之间的第二无机绝缘层；在所述周边区，所述第二无机绝缘层设置有第三过孔；多个所述第三过孔在所述基底上的正投影落在同一所述第一过孔在所述基底上的正投影内。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述基底上设置于显示区的多个薄膜晶体管和像素电极；在所述显...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金良，王文超，朴相镇，陈吉湘，徐旭，林捷，
申请(专利权)人：福州京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：