一种LED和探测器的集成器件及其制备方法技术

本申请实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法，集成器件包括导电衬底、LED外延层、探测器外延层、第一电极及第二电极；LED外延层设于导电衬底且与导电衬底电连接；探测器外延层设于导电衬底且与导电衬底之间绝缘设置，探测器外延层与LED外延层相互隔离设置；第一电极的两端分别与LED外延层远离导电衬底的一端和探测器外延层远离导电衬底的一端电连接；第二电极与探测器外延层靠近导电衬底的一端电连接。本申请将LED外延层与探测器外延层集成在同一器件上，使集成器件中同时具有通信功能以及探测功能，在保证LED外延层体积的前提下，减少集成器件的占用空间，提升器件通信过程的稳定性。提升器件通信过程的稳定性。提升器件通信过程的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED和探测器的集成器件及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种LED和探测器的集成器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]为保证紫外LED器件的通信能力，目前通过在LED器件上外置探测器来实现对LED器件通信能力的监测，但在通信产品的有限LED器件安装空间内，新增外置的探测器，使安装空间内LED器件的安装空间减少，降低了LED器件通信稳定性。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种LED和探测器的集成器件及其制备方法，用于解决LED器件通信稳定性差的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种LED和探测器的集成器件，采用了如下所述的技术方案：
[0005]一种LED和探测器的集成器件，包括：
[0006]导电衬底；
[0007]LED外延层，所述LED外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底电连接；
[0008]探测器外延层，所述探测器外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底之间绝缘设置，所述探测器外延层与所述LED外延层相互隔离设置；
[0009]第一电极，所述第一电极的两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接；
[0010]第二电极，所述第二电极与所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端电连接。
[0011]进一步的，所述LED外延层与所述探测器外延层分别独立包括依序设于所述导电衬底上的P型半导体层、有源层以及N型半导体层；
[0012]所述第一电极的两端分别与所述LED外延层的所述N型半导体层和所述探测器外延层的所述N型半导体层电连接；
[0013]所述第二电极与所述探测器外延层的所述P型半导体层电连接。
[0014]进一步的，所述LED外延层的所述N型半导体层与所述探测器外延层的所述N型半导体层的材料相同；和/或，
[0015]所述LED外延层的所述有源层与所述探测器外延层的所述有源层的材料相同；和/或，
[0016]所述LED外延层的所述P型半导体层与所述探测器外延层的所述P型半导体层的材料相同；和/或，
[0017]所述集成器件还包括反射镜层和/或第一绝缘层；所述反射镜层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间；所述第一绝缘层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间，以使所述导电衬底与所述探测器外延层之间绝缘设置。
[0018]进一步的，所述集成器件还包括保护层；所述保护层设于所述导电衬底上，所述反射镜层和/或所述第一绝缘层嵌设于所述保护层远离所述导电衬底的一端。
[0019]进一步的，所述LED外延层和所述探测器外延层之间设有隔离槽；
[0020]所述集成器件还包括第二绝缘层；所述第二绝缘层形成于所述LED外延层的外表面、所述探测器外延层的外表面以及所述隔离槽的内壁上；
[0021]所述第一电极设于所述第二绝缘层远离所述导电衬底的一端，且所述第一电极的两端分别穿过所述第二绝缘层与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接。
[0022]进一步的，所述第二绝缘层的两端分别覆盖所述LED外延层的外表面和所述探测器外延层的外表面，且所述第二绝缘层的中部覆盖或填充所述隔离槽的内壁。
[0023]进一步的，所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端设有朝向所述第二绝缘层的外侧延伸的延伸段；
[0024]所述延伸段与所述导电衬底之间绝缘设置；所述第二电极设于所述延伸段远离所述导电衬底的一端且与所述延伸段电连接。
[0025]为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种LED和探测器的集成器件的制备方法，采用了如下所述的技术方案：
[0026]一种LED和探测器的集成器件的制备方法，包括下述步骤：
[0027]提供外延衬底；
[0028]于所述外延衬底上形成初始外延层；
[0029]于所述初始外延层远离所述外延衬底的一端上形成导电衬底；
[0030]去除所述外延衬底，以暴露所述初始外延层远离所述导电衬底的一端；
[0031]对所述初始外延层进行蚀刻处理，得到相互隔离设置的LED外延层和探测器外延层；其中，所述LED外延层与所述导电衬底电连接，所述探测器外延层与所述导电衬底之间绝缘设置；
[0032]形成两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接的第一电极、以及与所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端电连接的第二电极。
[0033]进一步的，所述于所述初始外延层远离所述外延衬底的一端上形成导电衬底的步骤之前，还包括：
[0034]于所述初始外延层远离所述外延衬底的一端形成反射镜层和第一绝缘层；其中，所述反射镜层与所述LED外延层位置对应，所述第一绝缘层与所述探测器外延层位置对应。
[0035]进一步的，在所述形成两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接的第一电极的步骤之前，还包括：
[0036]于所述LED外延层远离导电衬底的一端和所述探测器外延层远离导电衬底的一端形成第二绝缘层；
[0037]所述形成两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接的第一电极的步骤包括：
[0038]于所述第二绝缘层远离所述导电衬底的一端形成第一电极
[0039]与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：本申请将LED外延层与探测
器外延层集成在同一器件上，使形成的集成器件中同时具有通信功能以及探测功能，且在保证LED外延层体积的前提下，减少集成器件的占用空间，提升器件通信过程的稳定性。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本申请的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1是根据本申请的LED和探测器的集成器件的一个实施例的结构示意图；
[0042]图2是根据本申请的LED和探测器的集成器件的制备方法的一个实施例的流程图。
[0043]附图标记：
[0044]1、导电衬底；2、金属键合层；3、保护层；4、反射镜层；5、P型半导体层；6、电子阻挡层；7、有源层；8、N型半导体层；9、第一电极；10、第二绝缘层；11、第二电极；12、第一绝缘层。
具体实施方式
[0045]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED和探测器的集成器件，其特征在于，包括：导电衬底；LED外延层，所述LED外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底电连接；探测器外延层，所述探测器外延层设于所述导电衬底且与所述导电衬底之间绝缘设置，所述探测器外延层与所述LED外延层相互隔离设置；第一电极，所述第一电极的两端分别与所述LED外延层远离所述导电衬底的一端和所述探测器外延层远离所述导电衬底的一端电连接；第二电极，所述第二电极与所述探测器外延层靠近所述导电衬底的一端电连接。2.根据权利要求1所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述LED外延层与所述探测器外延层分别独立包括依序设于所述导电衬底上的P型半导体层、有源层以及N型半导体层；所述第一电极的两端分别与所述LED外延层的所述N型半导体层和所述探测器外延层的所述N型半导体层电连接；所述第二电极与所述探测器外延层的所述P型半导体层电连接。3.根据权利要求2所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述LED外延层的所述N型半导体层与所述探测器外延层的所述N型半导体层的材料相同；和/或，所述LED外延层的所述有源层与所述探测器外延层的所述有源层的材料相同；和/或，所述LED外延层的所述P型半导体层与所述探测器外延层的所述P型半导体层的材料相同；和/或，所述集成器件还包括反射镜层和/或第一绝缘层；所述反射镜层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间；所述第一绝缘层设于所述导电衬底与所述LED外延层的所述P型半导体层之间，以使所述导电衬底与所述探测器外延层之间绝缘设置。4.根据权利要求3所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述集成器件还包括保护层；所述保护层设于所述导电衬底上，所述反射镜层和/或所述第一绝缘层嵌设于所述保护层远离所述导电衬底的一端。5.根据权利要求1至4中任一项所述的LED和探测器的集成器件，其特征在于，所述LED外延层和所述探测器外延层之间设有隔离槽；所述集成器件还包括第二绝缘层；所述第二绝缘层形成于所述LED外延层的外表面、所述探测器外延层的外表面以及所述隔离槽的内壁上；所述第一电极设于所述第二绝缘层远离所述导电衬底的一端，且所述第一电极的两端分别穿过所述第二绝缘层与所述LED外延层远...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：