一种LINK低电压高速模块改善电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LINK低电压高速模块改善电路，通过耳机端的第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一三极管和第一MCU的连接，在电路中利用三级管和二极管组合的方式实现低电压单LINK高速通讯：在第一MCU的第二端由将低电压的电平拉低时，通过在三极管基极连接一个二极管，使得三极管基极电流不受电源电压影响，加快基极的电流变化，使得三级管迅速完全导通，从而将电路LINK端的电压快速拉低，提高了电源电压供电时的高速通信传输效率。了电源电压供电时的高速通信传输效率。了电源电压供电时的高速通信传输效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LINK低电压高速模块改善电路


[0001]本技术涉及电路领域，尤其涉及一种LINK低电压高速模块改善电路。

技术介绍

[0002]传统意义上实现交流信号开关切换方式一般有几种方式：第一种方式：利用可控硅三级管、原理简单，但缺点为：不可靠，信号实现良好的高低压隔离需要光耦电路，电路实现方案复杂；第二种方式：使用继电器方案，但缺点为：继电器体积大，开通关断声音大，且开通次数有限制，容易损坏，寿命短小；第三种方式：利用MOS管实现开关控制，但缺点为：由于MOS管寄生二极管的存在，影响信号的传输，需要双MOS管实现，电路比较负载，成本比较高。这些切换方式在电压源VCC为3.3V时能够实现1M左右的速度，但VCC为1.8V时，三极管基级驱动电压太低，导致基级电流太小，延长了三极管开关时间，由于高电平拉低速度较慢，无法实现高速通信传输。综上，现有的切换电路在电源电压供电时会出现高速通信传输效率低。
[0003]因此，亟需一种低电压高速模块改善策略，来解决切换电路在电源电压供电所出现高速通信传输效率低的问题。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种LINK低电压高速模块改善电路，以提高切换电路在电源电压供电时的高速通信传输效率。
[0005]为了解决上述问题，本技术一实施例提供一种LINK低电压高速模块改善电路，包括：耳机端电路，所述耳机端电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一三极管和第一MCU；
[0006]所述第一电阻的第一端分别与所述第一MCU的第一端、所述第一三极管的第一端；所述第一三极管的集电极与所述第一MCU的第一端连接，所述第一三极管的基极与所述第二电阻的第一端连接，所述第一三极管的发射极与所述第一MCU的第二端连接；所述第二电阻的第二端与所述第一二极管的负极连接；供电电压源分别与所述第一电阻的第二端、所述第一二极管的正极。
[0007]作为上述方案的改进，本技术还包括：BASE端电路，所述耳机端电路包括：第三电阻、第二二极管、第二三极管和第二MCU；
[0008]所述第一电阻的第一端分别与所述第二MCU的第一端、所述第二三极管的第一端连接；所述第二三极管的集电极与所述第二MCU的第一端连接，所述第二三极管的基极与所述第三电阻的第一端连接，所述第二三极管的发射极与所述第二MCU的第二端连接；所述第三电阻的第二端与所述第二二极管的负极连接；所述供电电压源与所述第二二极管的正极连接。
[0009]作为上述方案的改进，所述第一电阻、所述第二电阻和所述第三电阻满足以下关系：
[0010]100Ω＜R1＜10KΩ；
[0011]100Ω＜R2＜10KΩ；
[0012]100Ω＜R3＜10KΩ；
[0013]其中，R1为第一电阻，R2为第二电阻，R3为第三电阻。
[0014]作为上述方案的改进，所述供电电压源的电压为1.8v。
[0015]由上可见，本技术具有如下有益效果：
[0016]本技术提供了一种LINK低压高速模块改善电路，通过耳机端的第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一三极管和第一MCU的连接，在电路中利用三级管和二极管组合的方式实现低电压单LINK高速通讯：在第一MCU的第二端由将低电压的电平拉低时，通过在三极管基极连接一个二极管，使得三极管基极电流不受电源电压影响，加快基极的电流变化，使得三级管迅速完全导通，从而将电路LINK端的电压快速拉低，提高了电源电压供电时的高速通信传输效率。
附图说明
[0017]图1是本技术一实施例提供的LINK低电压高速模块改善电路的结构示意图；
[0018]图2是本技术另一实施例提供的LINK低电压高速模块改善电路的结构示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]实施例一
[0021]参见图1，图1是本技术一实施例提供的一种LINK低电压高速模块改善电路的结构示意图，如图1所示，本实施例包括：耳机端电路，所述耳机端电路包括：第一电阻101、第二电阻102、第一二极管103、第一三极管104和第一MCU 105；
[0022]所述第一电阻101的第一端分别与所述第一MCU 105的第一端、所述第一三极管104的第一端；所述第一三极管104的集电极与所述第一MCU 105的第一端连接，所述第一三极管104的基极与所述第二电阻102的第一端连接，所述第一三极管104的发射极与所述第一MCU 105的第二端连接；所述第二电阻102的第二端与所述第一二极管103的负极连接；供电电压源分别与所述第一电阻101的第二端、所述第一二极管103的正极。
[0023]在一具体的实施例中，第一MCU为耳机端MCU，第一MCU的第一端为RX_A(接收口)，第一MCU的第二端为TX_A(发送口)。
[0024]作为上述方案的改进，本技术还包括：BASE端电路，所述耳机端电路包括：第三电阻、第二二极管、第二三极管和第二MCU；
[0025]所述第一电阻的第一端分别与所述第二MCU的第一端、所述第二三极管的第一端连接；所述第二三极管的集电极与所述第二MCU的第一端连接，所述第二三极管的基极与所述第三电阻的第一端连接，所述第二三极管的发射极与所述第二MCU的第二端连接；所述第
三电阻的第二端与所述第二二极管的负极连接；所述供电电压源与所述第二二极管的正极连接。
[0026]在一具体的实施例中，第二MCU为BASE端MCU，第二MCU的第一端为RX_B(接收口)，第二MCU的第二端为TX_B(发送口)。
[0027]在一具体的实施例中，本实施例的耳机端和BASE端电路为半双工，若耳机端发送数据时，BASE端只能接受数据(同理，BASE端发送数据时，耳机端只能接收数据)，TX是MCU内部的UART串口控制，传输需要的串口数据，比如BASE对耳机升级的数据，MCU软件程序发送控制。
[0028]在一具体的实施例中，请参见图2，图中，第一电阻为R1，第二电阻为R2，第三电阻为R3，第一二极管为D1，第一三极管为T1，第二二极管为D2，第二三极管为T2，供电电压源为VCC；并提供以下例子说明工作原理：
[0029]当TX_A传输低电平时，二极管D1始终处于导通状态，b点电压为VCC
‑
VB(on)＝1.8V
‑
0.4V＝1.4V，a点电压大于三极管导通阈值电压0.7V，三极管T1导通，a点电压被三极管T1的PN结钳位到0.7V，此时三极管T1导通，c点电压被TX_A低电平拉低到0V，低电平传输完成。
[0030]当TX_A传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LINK低电压高速模块改善电路，其特征在于，包括：耳机端电路，所述耳机端电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一三极管和第一MCU；所述第一电阻的第一端分别与所述第一MCU的第一端、所述第一三极管的第一端；所述第一三极管的集电极与所述第一MCU的第一端连接，所述第一三极管的基极与所述第二电阻的第一端连接，所述第一三极管的发射极与所述第一MCU的第二端连接；所述第二电阻的第二端与所述第一二极管的负极连接；供电电压源分别与所述第一电阻的第二端、所述第一二极管的正极。2.根据权利要求1所述的LINK低电压高速模块改善电路，其特征在于，还包括：BASE端电路，所述耳机端电路包括：第三电阻、第二二极管、第二三极管和第二MCU；所述第一电阻的第一端分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂宣宝，
申请(专利权)人：厦门亿联网络技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：