钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池技术

本申请提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本申请提供的钙钛矿薄膜的材料包括钙钛矿前驱体和添加剂，本申请提供的钙钛矿薄膜通过在材料中添加同时兼具亲电基团和亲核基团的添加剂，利用亲电基团和亲核基团来弥补钙钛矿晶体结构的离子空位，与钙钛矿中的阴离子或阳离子相互作用，并富集在晶界和钙钛矿表面，并通过卤素离子促进钙钛矿晶粒的生产的同时促进异质结界面上的载流子传输，进而有效提高钙钛矿的晶粒尺寸，钝化晶界和表面缺陷，抑制离子迁移，提高电荷传输，提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。钙钛矿太阳能电池的稳定性。钙钛矿太阳能电池的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池


[0001]本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池
，具体而言，涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。

技术介绍

[0002]钙钛矿薄膜中晶粒的尺寸和生长方向以及晶界缺陷密度的调控可以有效提升钙钛矿太阳能电池的能量转换效率(PCE)。目前，钙钛矿晶粒尺寸的主要调控方式为热退火，通过改变退火温度来调节溶剂的挥发速度，从而控制钙钛矿薄膜的结晶过程。另外，通过溶剂蒸气后处理，也可以进一步调节钙钛矿薄膜的结晶。
[0003]但是传统的结晶调控方式只能够最大限度地控制晶粒的尺寸，并不能够有效低晶界处的缺陷，以及提高钙钛矿吸光层中和界面处的电荷传出。
[0004]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池，以解决传统的钙钛矿薄膜的结晶调控方式只能够最大限度地控制晶粒的尺寸，并不能够有效降低晶界出的缺陷以及提高钙钛矿吸光层中和界面处的电荷输出的问题。
[0006]为了实现上述目的，根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的材料包括钙钛矿前驱体和添加剂，所述添加剂具有如下式(I)所示结构：其中，X为卤素，R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、氘、卤素、羧基、硝基、羟基、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C3～C10的环烷基、取代或未取代的C4～C10的环烷基烷基、C4～C20的烷基环烷基；R5、R6、R7各自独立地选自直接键、取代或未取代的C1～C10的亚烷基、取代或未取代的C3～C10的亚环烷基、取代或未取代的C4～C20的亚环烷基烷基、C4～C20的亚烷基环烷基。2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述R1、所述R2、所述R3、所述R4各自独立地选自H、氘、卤素、羧基、硝基、羟基、取代或未取代的C1～C6的烷基、取代或未取代的C3～C6的环烷基、取代或未取代的C4～C6的环烷基烷基；优选地，所述R1、所述R2、所述R3、所述R4各自独立地选自H、取代或未取代的C1～C4的烷基、取代或未取代的C3～C4的环烷基、取代或未取代的C4的环烷基烷基、取代或未取代的C4的烷基环烷基。3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述R5、所述R6、所述R7各自独立地选自直接键、取代或未取代的C1～C6的亚烷基、取代或未取代的C3～C6的亚环烷基、取代或未取代的C4～C6的亚环烷基烷基、C4～C6的亚烷基环烷基；优选地，所述R5、所述R6、所述R7各自独立地选自直接键、取代或未取代的C1～C4的亚烷基、C3～C4的亚环烷基、C4的亚环烷基烷基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴涛，王皓正，牛闯，宗贝贝，王宏涛，邱开富，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：