一种O-Ring直槽的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种O

【技术实现步骤摘要】
一种O
‑
Ring直槽的加工方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种O
‑
Ring直槽的加工方法。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)指的是，在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使材料源蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，然后通过电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上形成某种特殊功能的薄膜。PVD技术是半导体芯片制造业、太阳能行业、LCD制造业等多种行业的核心技术，主要方法有真空蒸镀、电弧等离子体镀、离子镀膜、分子束外延和溅射镀膜等。
[0003]磁控溅射是PVD技术中比较常用的一种，通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。由于磁控溅射是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率，以此实现了溅射高速率、低温度、低损伤。然而，长时间的磁控溅射，往往会使靶材产生大量的热量，如果不及时进行冷却，容易造成溅射靶材局部烧焦或呈现晶粒化现象。现有技术中，多是采用在靶座内设置冷却通道的方式，但是该种方式靶座和靶材接触面积小，冷却效果低，传热不显著。
[0004]由于溅射靶材的强度不一，在实际应用过程中，需要将符合性能要求的溅射靶材和具有一定强度的背板结合制成靶材组件，然后安装在溅射机台上，在磁场、电场作用下有效地进行溅射控制。现有技术中，在背板中开设冷却通道形成冷却背板，一方面可以为溅射靶材提供支撑作用，另一方面可以有效地传导热量，对溅射靶材进行有效地冷却。
[0005]溅射靶材在磁控溅射镀膜的过程中需要注意以下五点：溅射准备，靶材清洁，靶材安装，短路及密封性检测，靶材预溅射。其中，冷却通道是否漏水是短路及密封性检测是否合格的关键因素。由于靶材的磁控溅射环境是真空的，一旦发生真空室内漏水或漏气，真空室内有挥发成分，真空室没有充入氩气，真空室内充入空气等情况，都会导致杂质成分和靶材成分发生反应，引起溅射靶材中毒，生成黑色物质覆盖在溅射靶材表面，严重影响磁控溅射镀膜的成膜速度和成膜质量。其中，冷却通道对应的进出水口存在一定的漏水风险。
[0006]O
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Ring槽是用于放置O
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Ring的槽，主要包括O
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Ring直槽和O
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Ring燕尾槽两种，O
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Ring作为一种截面是圆形或者说是O形的橡胶密封圈，其主要作用是密封，如气密封、水密封、油密封等。CN108555539A公开了一种O
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Ring槽加工方法及装置，所述方法应用于加工设备，所述加工设备包括至少一个铣刀及至少一个燕尾槽刀，以及铣刀加工模块与槽刀加工模块。所述方法包括：确定待加工溅射靶材的加工点；根据O
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Ring槽的加工规格信息，利用目标铣刀在加工点进行加工，得到初始槽，其中，初始槽位于所述待加工溅射靶材内；根据O
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Ring槽的加工规格信息，利用目标燕尾槽刀对初始槽进行加工，得到O
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Ring槽。通过上述方式可以加工得到与O
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Ring槽的加工规格信息对应的O
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Ring槽。
[0007]CN113787317A公开了一种半导体机台部件气体分配盘O型密封槽的加工方法，所述的加工方法包括依次用直槽刀具、斜上槽刀具、斜下槽刀具对气体分配盘进行切削加工得到O型密封槽。所述加工方法从加工刀具解决气体分配盘O型密封槽加工技术，能够保证
实际生产的技术要求，具体地，利用了自制的直槽刀具、斜上槽刀具、斜下槽刀具先后对气体分配盘进行切削加工得到O型密封槽，整个加工方法稳定性和安全性更高，便于操作人员使用。
[0008]然而，现有的O
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Ring直槽加工方法往往存在切削控制和排屑的难题，由于半导体领域的O
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Ring直槽往往属于圆形槽，存在一定的弯曲度，一方面，若加工过程中切削控制对刀具的运行曲线稍有偏差，即可能造成较大加工偏差，甚至无法挽回，另一方面，弯曲的槽不利于排屑，逐渐堆积的切屑会堵塞O
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Ring直槽，甚至会导致刀片破裂，从而严重影响加工的安全性。
[0009]因此，目前亟需开发一种O
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Ring直槽的加工方法，不仅可以有效可靠地进行O
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Ring直槽的加工，实现切削控制和有效排屑，还可以有效提高加工的生产效率以及安全性。

技术实现思路

[0010]鉴于现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种O
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Ring直槽的加工方法，准备待加工件并定位O
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Ring直槽的圆心位置，沿远离所述圆心位置或者靠近所述圆心位置的方向，依次进行首次轴向车削、二次径向车削以及三次轴向车削，完成O
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Ring直槽的加工。相比于现有技术中单纯重复轴向车削或者单纯重复径向车削进行O
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Ring直槽的加工，本专利技术所述O
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Ring直槽的加工方法将轴向车削和径向车削相结合，不仅有效避免了较大较长碎屑的产生，从而实现了切削控制和有效排屑，还可以有效提高加工的生产效率以及安全性。
[0011]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0012]本专利技术的目的在于提供一种O
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Ring直槽的加工方法，准备待加工件并定位O
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Ring直槽的圆心位置，沿远离所述圆心位置或者靠近所述圆心位置的方向，依次进行首次轴向车削、二次径向车削以及三次轴向车削，完成O
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Ring直槽的加工。
[0013]本专利技术所述O
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Ring直槽的加工方法将轴向车削和径向车削相结合，相比于现有技术中单纯重复轴向车削或者单纯重复径向车削进行O
‑
Ring直槽的加工，不仅有效避免了较大较长碎屑的产生，从而实现了切削控制和有效排屑，还可以有效提高加工的生产效率以及安全性。
[0014]作为本专利技术优选的技术方案，所述加工方法采用合金刀具，所述合金刀具的型号为CCGT09T304MFP
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SKS。
[0015]值得说明的是，本专利技术所述合金刀具表面设置了DLC涂层，以提高合金刀具的硬度、耐磨性和耐高温性。
[0016]作为本专利技术优选的技术方案，在所述合金刀具与所述待加工件相接触的地方同时喷射上方冷却液与下方冷却液。
[0017]值得说明的是，本专利技术所述加工方法在车削过程中同时喷射上方冷却液与下方冷却液，可以利用上方冷却液对车削过程中产生的细小碎屑进行有效排屑，同时利用下方冷却液对合金刀具进行有效降温，避免积屑瘤的产生。
[0018]作为本专利技术优选的技术方案，所述上方冷却液为乳化切削液。
[0019]优选地，所述乳化切削液的浓度为8
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10％，例如8％、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种O
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Ring直槽的加工方法，其特征在于，准备待加工件并定位O
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Ring直槽的圆心位置，沿远离所述圆心位置或者靠近所述圆心位置的方向，依次进行首次轴向车削、二次径向车削以及三次轴向车削，完成O
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Ring直槽的加工。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述加工方法采用合金刀具，所述合金刀具的型号为CCGT09T304MFP
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SKS。3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于，在所述合金刀具与所述待加工件相接触的地方同时喷射上方冷却液与下方冷却液。4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述上方冷却液为乳化切削液；优选地，所述乳化切削液的浓度为8
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10％。5.根据权利要求3或4所述的加工方法，其特征在于，所述下方冷却液为水，且水的喷射压力为10
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50kg。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的加工方法，其特征在于，所述O
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Ring直槽的深度为4.09
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4.15mm，宽度为4.867
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4.969mm。7.根据权利要求1
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6任一项所述的加工方法，其特征在于，所述首次轴向车削的背吃刀量为0.1
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0.3mm；优选地，所述首次轴向车削的切削速度为0.01
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0.1mm/r；优选地，所述首次轴向车削的主轴转速为200
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300r/min。8.根据权利要求1
‑
7任一项所述的加工方法，其特征在于，所述二次径向车削的背吃刀量为0.1
‑
0.3mm；优选地，所述二次径向车削的切削速度为0.01
‑
0.1mm/r；优选地，所述二次径向车削的主轴转速为200
‑
300r/min。9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，姚泽新，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：