一种减少闪存读耗时的方法及其系统技术方案

本发明专利技术提供一种减少闪存读耗时的方法及其系统，该方法包括接收下发的NAND Flash读命令，从NAND page中读取数据；在读取数据时，针对每个传输的字节计算“0”和“1”的个数，进行累加，并且在传输完成后，在寄存器中输出总数数量；对读取到的数据进行ECC纠错；若ECC纠错失败，判断该NAND page中“0”或者“1”的比例，若该NAND page中“0”或者“1”的比例不超过设定值N，则使用read retry方式重新读取该NAND page，尝试获取正确的数据，直到获取正确的数据或者尝试读取所有的重试值仍无法获取正确数据后，结束读操作；若ECC纠错成功，则正确读取数据，结束读操作。本发明专利技术在保证数据安全性的前提下可以降低Read Retry操作对NAND Flash设备的读性能的影响，读取数据速度快，读操作耗时小。读操作耗时小。读操作耗时小。

【技术实现步骤摘要】
一种减少闪存读耗时的方法及其系统


[0001]本专利技术涉及闪存存储
，具体涉及一种减少闪存读耗时的方法以及应用该方法的系统。

技术介绍

[0002]NAND Flash的发展经历了SLC、MLC、TLC、QLC等阶段，每个存储cell中存储的bit数一直在增加，即每个cell可以存储的数据状态在成倍增加。NAND Flash中通过cell的电压来表示存储的数据状态，随着cell中可存储的状态的增加，每个状态间的电压间隔在减小。受到data retention、read disturb、异常掉电造成的未完整编程等因素影响，阈值电压分布会发生变化，cell中存储的可能的数据状态对应的阈值电压分布会相互靠拢。每个状态间的电压间隔减小，甚至电压分布状态重叠，在默认读参考电压下无法判断cell中存储的状态，出现bit反转。
[0003]闪存设备是高性能、非易失性的存储设备，广泛应用于数据中心、移动终端等场合，是一种重要的存储介质。在MLC、TLC、QLC等类型的NAND Flash中，存在Read Retry技术，Read Retry技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少闪存读耗时的方法，其特征在于，包括以下步骤：接收下发的NAND Flash读命令，根据NAND Flash读命令从NAND page中读取数据；在读取数据时，针对每个传输的字节计算“0”和“1”的个数，进行累加，并且在传输完成后，在寄存器中输出总数数量；对读取到的数据进行ECC纠错；若ECC纠错失败，判断该NAND page中“0”或者“1”的比例，若该NAND page中“0”或者“1”的比例不超过设定值N，则使用read retry方式重新读取该NAND page，尝试获取正确的数据，直到获取正确的数据或者尝试读取所有的重试值仍无法获取正确数据后，结束读操作；若ECC纠错成功，则正确读取数据，结束读操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在判断该NAND page中“0”或者“1”的比例时，若该NAND page中“0”或者“1”的比例超过设定值N，则判断该NAND page无法正确读取数据，结束读操作。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：设定值N的取值范围为60
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100，其中，N为正整数，N/100为比例。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在NAND控制器中设置有ECC纠错模块，ECC纠错模块使用BCH或者LDPC纠错算法检查和纠正读取数据的错误；在ECC纠错模块中设有上限，即每个code word最多只能纠正若干个错误比特，超过则无法进行纠错；在NAND控制器中设置有ecc状态寄存器，用于将无法纠错的code word指示出来。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用read retry方式重新读取该NAND page，包括：通过CPU下发的命令设置NAND控制器内部cell的读偏移电压，尝试将每个cell中存储的数据状态区分开，使得在该读偏移电压下重读一次能够将数据读对。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在读取数据时，还执行对NAND Flash进行数据检查：按...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾裕，龚晖，赖鼐，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：