一种石墨烯原位改性硅胶基体及其制备方法和导热硅胶技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯原位改性硅胶基体及其制备方法和导热硅胶，包括如下步骤：(1)将氢氧化铵或烷基取代氢氧化铵分散并溶解在硅油单体中获得碱胶催化剂；(2)将石墨烯均匀分散在硅油单体中得到石墨烯分散液，然后与含有至少两个端烯烃基的硅氧烷混合并在第一加热条件以及真空条件下脱水，降温至室温下再加入碱胶催化剂，在第二加热条件下进行反应，再在第三加热条件下反应并抽真空通氮气脱低至无馏分馏出，得到石墨烯原位改性硅胶基体。导热硅胶包括上述方法制得的石墨烯原位改性硅胶基体，以及还包括铂金催化剂、侧含氢硅油、端含氢硅油、球形三氧化二铝经过混炼交联而得。本发明专利技术的导热硅胶的导热系数大于10W/m

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯原位改性硅胶基体及其制备方法和导热硅胶


[0001]本专利技术涉及导热硅胶的
，具体涉及一种石墨烯原位改性硅胶基体及其制备方法和导热硅胶。

技术介绍

[0002]散热是电子设备正常运行必须克服的问题，电子元器件温度每升高2℃，整机可靠性就会下降10％；温度达到50℃时的寿命只有25℃时的1/6。随着电子元器件向着高集成度、小尺寸、多功能发展，电子封装的功率密度越来越高，势必造成有限空间内的发热量剧增。在电子元件表面和散热器之间存在极细微的凹凸不平的空隙，如果将他们直接安装在一起，它们间的实际接触面积只有散热器底座面积的10％左右，其余均为空气间隙。空气是热的不良导体(导热系数仅为0.025W/(m
·
K))，这将导致芯片与散热器间的接触热阻非常大，严重阻碍了热量的传导，最终造成电子元器件温度过高。
[0003]导热界面材料主要用于填充这些间隙，排除其中的空气，在电子元件和散热器间建立有效的热传导通道，可以大幅度降低接触热阻。但是，我国90％的中高端导热凝胶市场份额被固美丽、莱尔德、贝格斯等欧美少数公司所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯原位改性硅胶基体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将氢氧化铵或烷基取代氢氧化铵分散并溶解在硅油单体中获得碱胶催化剂；(2)将石墨烯均匀分散在所述硅油单体中得到石墨烯分散液，然后与含有至少两个端烯烃基的硅氧烷混合并在第一加热条件以及真空条件下脱水，降温至室温下再加入所述碱胶催化剂，在第二加热条件下进行反应，再在第三加热条件下反应并抽真空通氮气脱低至无馏分馏出，得到石墨烯原位改性硅胶基体。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯原位改性硅胶基体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述烷基取代氢氧化铵为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵中的一种或多种；所述硅油单体为八甲基环四硅氧烷和/或十甲基环五硅氧烷；步骤(2)中所述含有至少两个端烯烃基的硅氧烷为二乙烯基四甲基二硅氧烷、二乙烯基四甲氧基二硅氧烷、二乙烯基四苯基二硅氧烷、1,1,3,3
‑
四乙烯基二甲基二硅氧烷、二乙烯基四(三甲基硅氧基)二硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷中的一种或多种；所述石墨烯为氧化石墨烯、还原氧化石墨烯、机械剥离石墨烯、石墨烯微片中的一种。3.根据权利要求1所述的一种石墨烯原位改性硅胶基体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述分散并溶解的方式是：采用机械搅拌将物料分散均匀的同时加热至70
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90℃混合0.5
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1h，使所述氢氧化铵或所述烷基取代氢氧化铵完全溶解；步骤(2)中所述第一加热条件的温度100
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120℃、脱水时间为0.1
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2h；所述第二加热条件的温度为90
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110℃、反应时间1
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5h；所述第三加热条件的温度为150
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180℃。4.根据权利要求1所述的一种石墨烯原位改性硅胶基体的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述氢氧化铵或所述烷基取代氢氧化铵与所述硅油单体的质量比为(1
‑
2.5):50；步骤(2)所述石墨烯与所述硅油单体的质量比为(1
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：常州畅锐元材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：