一种紧凑型低损耗大带宽的片上集成式三导体巴伦结构制造技术

本发明专利技术涉及一种紧凑型低损耗大带宽的片上集成式三导体巴伦结构，属于微波毫米波集成电路领域。目的在于针对亚太赫兹及其以上波段，采用亚四分之一波长三导体巴伦结构，实现大带宽范围内单端

【技术实现步骤摘要】
一种紧凑型低损耗大带宽的片上集成式三导体巴伦结构


[0001]本专利技术涉及一种紧凑型低损耗大带宽的片上集成式三导体巴伦结构，属于微波毫米波集成电路领域。

技术介绍

[0002]巴伦是平衡
‑
不平衡变换器(Balanced
‑
Unbalanced Transformer，Balun)的简称，能够实现平衡信号(差分信号)和不平衡信号(单端信号)之间进行相互转换。巴伦已经成为射频和微波电路中不可或缺的器件之一，广泛应用于现代无线电设备、通信设备、雷达等领域。
[0003]随着现代无线通信技术的蓬勃发展，较低频段的频谱资源使用越发紧张，毫米波乃至太赫兹波成为第六代通信技术的关键着力点。毫米波(30
‑
300GHz)/亚太赫兹(100GHz及以上)在应用中易受到干扰，为了提升共模噪声抑制性能，一般在集成电路内部采用差分形式进行信号传输，而收发芯片的射频输入输出端口则采用单端信号形式。因此，在毫米波/亚太赫兹波集成电路中需内嵌巴伦以完成单端
‑
差分信号的相互转换。传统的微带线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紧凑型低损耗大带宽的片上集成式三导体巴伦结构由巴伦主体和调谐电容组成，采用集成电路工艺实现；其中，巴伦主体采用3层金属实现；其中，顶层金属M3用作输入端口1，输出端口2、输出端口3、输出端口4、输出端口5，金属侧壁1、金属侧壁2、金属侧壁3、金属侧壁4、金属侧壁5，传输线1；其中，传输线1两侧通过金属化过孔VIA32与金属层M2相连，作为短路枝节实现亚四分之一波长的紧凑型结构；其中，金属侧壁1、金属侧壁2、金属侧壁3、金属侧壁4、金属侧壁5通过金属化过孔VIA32同金属层M2相连；其中，金属层M2用于桥接顶层金属M3和底层金属M1，通过金属化过孔VIA21同底层金属M1相连，并分别同顶层金属M3和底层金属M1实现信号传输；其中，巴伦主体中的不对称式导体结构由金属层M2构成的平面1、平面2、平面3构成；其中，金属层M2构成的平面2、平面3面积相等，金属层M2构成的平面1小于金属层M2构成的平面2、平面3面积之和，平面2、平面3与平面1之间间隔断开；其中，底层金属M1用作参考地平面；其中，调谐电容采用MIM(metal
‑
insulator
‑
metal)电容形式，并与参考地平面相连；其中，顶层金属M3用作MIM电容顶极板，作为电容的正极与负极；其中，底层金属M1用作MIM电容底极板；所述一种紧凑型低损耗大带宽的片上集成式三导体巴伦结构中各部分连接关系如下：输入端口1采用顶层金属M3，并沿着X轴方向对称布置，在传输线1两侧通过金属化过孔VIA32与金属层M2构成的平面2、平面3相连；金属层M2构成的平面1、平面2、平面3分别通过金属化过孔VIA21与底层金属M1构成的参考地平面相连；输出端口2、输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：于伟华，李尧，赵亮，周雨萌，秦雪妮，高岩，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：