摄像装置和电子设备制造方法及图纸

为了提供一种能够抑制由插入在模数转换器中的信号线和负载电流源之间的比较器的输入晶体管引起的整个摄像装置的动态范围的减小的摄像装置。本公开的摄像装置包括：负载电流源；比较器，其包括连接在传输从像素读取的信号的信号线和负载电流源之间的输入晶体管；以及参考信号供给部，其向像素的电荷电压转换部提供预定的参考信号。部提供预定的参考信号。部提供预定的参考信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月1日提交的日本优先权专利申请JP 2020199510的权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及摄像装置和电子设备。

技术介绍

[0004]在摄像装置上安装有将从像素读取的模拟像素信号数字化的模数转换部。安装在摄像装置上的模数转换部是所谓的列并行模数转换部，其包括对应于像素列布置的多个模数转换器。
[0005]作为包含在列并行模数转换部中的模数转换器，例如，已知一种所谓的单斜率模数转换器，其通过将从像素读取的模拟像素信号与预定的参考信号进行比较来将模拟像素信号数字化。
[0006]单斜率模数转换器例如包括将模拟像素信号与预定参考信号进行比较的比较器以及基于比较器的比较结果进行计数的计数器。作为包括单斜率模数转换器的摄像装置，例如，提出了一种具有如下构造的摄像装置：在该构造中，将模拟像素信号与预定参考信号进行比较的比较器的输入晶体管被插入在用于传输从像素读取的信号的信号线和负载电流源之间(例如，参见专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光检测装置，其包括：像素，其包括浮动扩散部；信号线，其被构造为传输从所述像素读取的信号；比较器，其包括输入晶体管和第一负载电流源，所述输入晶体管包括源极和漏极，所述源极与传输从所述像素读取的所述信号的所述信号线连接，并且所述漏极连接到所述第一负载电流源；和参考信号供应电路，其被构造为向所述像素的所述浮动扩散部提供第一参考信号。2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述输入晶体管的栅极耦合到接地线。3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，所述输入晶体管通过耦合电容器耦合到所述接地线。4.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述比较器还包括输出晶体管，所述输出晶体管的源极连接到所述信号线，并且所述输出晶体管的漏极连接到第二负载电流源。5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一参考信号包括具有以预定的斜率线性变化的倾斜状波形的电压。6.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述预定的斜率是向上的斜率。7.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，所述比较器将通过所述信号线提供并且与具有所述倾斜状波形的所述电压重叠的信号电压和预定的基准电压进行比较。8.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述参考信号供应电路被构造为向所述输入晶体管的栅极提供第二参考信号。9.根据权利要求8所述的光检测装置，其中，所述第一参考信号包括具有以预定的斜率线性变化的倾斜状波形的电压，所述第二参考信号包括偏移电压。10.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述浮动扩散部在多个所述像素之间共用。11.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述参考信号供应电路包括：参考信号生成器，其生成所述第一参考信号；和输入电容元件，其将由所述参考信号生成器生成的所述第一参考信号耦合到所述像素的所述浮动扩散部。12.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述像素在像素阵列中，在所述像素阵列中，多个所述像素以矩阵形式二维排列，所述浮动扩散部是分别与所述多个像素中的每一个对应的多个所述浮动扩散部中的一者，并且所述参考信号供应电路是分别将所述第一参考信号提供给所述像素阵列中的各像素列的多个所述参考信号供应电路中的一者。13.根据权利要求12所述的光检测装置，其中，针对像素列中的各所述像素分别设置有输入电容元件，并且所述输入电容元件将由用于所述像素列的相应所述参考信号供应电路提供的所述第一参考信号耦合到所述像素列
中的所述像素的各所述浮动扩散部。14.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述像素在像素阵列中，在所述像素阵列中，多个所述像素以矩阵形式二维排列，并且针对所述像素阵列的所有像素列共同布置所述参考信号供应电路。15.根据权利要求14所述的光检测装置，其中，针对每个所述像素列，所述参考信号供应电路通过缓冲电路将所述第一参考信号提供给与所述像素列中的所述像素对应的所述浮动扩散部。16.根据权利要求14所述的光检测装置，其中，针对每个所述像素列，所述参考信号供应电路将所述第一参考信号直接提供给与所述像素列中的所述像素对应的所述浮动扩散部。17.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述像素在像素阵列中，在所述像素阵列中，多个所述像素以矩阵形式二维排列，并且所述参考信号供应电路是分别布置在所述像素阵列的相对侧的两个所述参考信号供应电路中的一者。18.根据权利要求17所述的光检测装置，其中，所述两个参考信号供应电路分别布置在所述像素阵列的像素列方向的上侧和下侧。19.根据权利要求17所述的光检测装置，其中，所述两个参考信号供应电路分别布置在所述像素阵列的像素行方向的左侧和右侧。20.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述像素在像素阵列中，在所述像素阵列中，多个所述像素以矩阵形式二维排列，并且所述参考信号供应电路是将所述第一参考信号分别提供给所述像素阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：马上崇，植野洋介，山下知宪，大迫洋平，梅田谦吾，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：