用于存储器修复的非易失性存储器压缩制造技术

一个示例包括集成电路(IC)(100)。IC(100)包括非易失性存储器(106)和逻辑(108)。逻辑(108)被配置为接收与存储器实例相关联的修复代码并且基于所述存储器实例的配置向所述修复代码指派压缩参数。逻辑(108)还被配置为基于所述压缩参数来压缩所述修复代码以产生压缩修复代码并提供包括所述压缩修复代码和标识所述压缩参数的压缩控制数据的压缩修复数据。非易失性存储器控制器(104)耦合在非易失性存储器(106)与逻辑(108)之间。非易失性存储器控制器(104)被配置为将所述压缩修复数据传输到非易失性存储器(106)和/或从所述非易失性存储器中传输所述压缩修复数据。性存储器中传输所述压缩修复数据。性存储器中传输所述压缩修复数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器修复的非易失性存储器压缩


[0001]本文涉及用于存储器修复的非易失性存储器压缩。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)通常包括为执行各种功能而结合的各种模块。例如，数字信号处理器(DSP)包括嵌入到IC中的处理器和存储器实例。测试包含多个可寻址的存储器位置的存储器实例以发现缺陷，确保IC的可操作性。为了测试这些存储器实例，专用测试电路，称为“内建自测试”(BIST)电路结合到IC中。BIST电路生成测试模式来确定存储器实例是否有缺陷。
[0003]非易失性存储器(如电子熔丝(eFuse)或FuseROM)也被用于存储器修复。例如，FuseROM可以存储表示修复代码(也称为修复签名)的数据，该修复代码标识了存储器实例中的缺陷元件。被测试的存储器实例的修复签名可以存储在FuseROM中。修复签名用于通过标识缺陷元件的位置来修复相应存储器实例内的缺陷元件。在具有许多存储器的系统中，FuseROM的大小可能与IC中的可修复存储器实例总数直接相关。虽然需要存储器修复来提高器件的良率，但FuseROM的现有实施方式并不能随着器件密度的不断增加和器件尺寸的减小而很好地扩展。

技术实现思路

[0004]在所描述的示例中，一种集成电路(IC)包括非易失性存储器和逻辑。所述逻辑被配置为接收与存储器实例相关联的修复代码并且基于所述存储器实例的配置向所述修复代码指派压缩参数。所述逻辑还被配置为基于所述压缩参数来压缩所述修复代码以产生压缩修复代码并提供包括所述压缩修复代码和标识所述压缩参数的压缩控制数据的压缩修复数据。非易失性存储器控制器耦合在所述非易失性存储器与所述逻辑之间。所述非易失性存储器控制器被配置为将所述压缩修复数据传输到非易失性存储器和/或从所述非易失性存储器中传输所述压缩修复数据。
[0005]在另一个描述的示例中，一种集成电路(IC)包括可修复存储器系统，所述可修复存储器系统包括存储器实例。存储器修复控制器耦合到所述可修复存储器系统。所述存储器修复控制器被配置为生成与所述存储器实例相关联的修复代码。控制封装器(wrapper)耦合到所述可修复存储器系统和所述非易失性存储器。所述控制封装器包括被配置为从所述非易失性存储器中接收包括压缩修复代码和压缩控制数据的压缩修复数据的逻辑。所述压缩修复代码是与所述存储器实例相关联的修复代码的压缩版本。所述逻辑还被配置为基于所述压缩控制数据对所述压缩修复代码进行解压以产生用于所述存储器实例的修复代码。非易失性存储器控制器耦合在所述非易失性存储器与所述逻辑之间。所述非易失性存储器控制器被配置为将所述压缩修复数据传输到非易失性存储器和/或从所述非易失性存储器中传输所述压缩修复数据。
[0006]在另一个描述的示例中，一种方法包括将压缩修复数据存储在集成电路(IC)的非
易失性存储器中。所述压缩修复数据包括压缩控制数据和用于在所述IC上实施的可修复存储器系统的相应存储器实例的压缩修复代码。所述方法还包括基于所述压缩控制数据，将所述压缩修复数据解压为用于相应存储器实例的修复代码。所述方法还包括将所述修复代码传输到所述可修复存储器系统的相应存储器实例。
附图说明
[0007]图1是包括实施非易失性存储器压缩的存储器修复系统的示例集成电路的框图。
[0008]图2是存储器修复系统的一部分的框图，图示了被配置为对压缩修复数据进行解压的示例控制封装器。
[0009]图3是存储器修复系统的一部分的框图，图示了被配置为压缩并存储修复数据的示例控制封装器。
[0010]图4描绘了修复数据被压缩、存储和解压的示例。
[0011]图5描绘了修复数据被压缩、存储和解压的另一个示例。
[0012]图6描绘了修复数据被压缩、存储和解压的又一个示例。
[0013]图7描绘了可以用于控制对修复数据的解压的示例状态机。
具体实施方式
[0014]存储器修复用于通过为可修复存储器系统中的被确定为具有缺陷存储器元件(例如，存储器单元的行和/或列)的相应存储器生成存储器修复代码(例如，修复签名)来提高集成电路(IC)器件的良率。例如，修复代码可以包括用于标识缺陷存储器元件的修复签名，所述修复签名具有一定数量的位(例如，一个存储器器件有固定数量的位)。用于存储器的一个或多个修复签名可以存储在非易失性存储器中。可修复存储器被配置为具有一个或多个备用存储器元件(行和/或列)，以用于替换存储器的缺陷元件(行和/或列)。对于给定的存储器实例，需要替换的缺陷存储器元件的身份由用于所述给定存储器实例的相应存储器修复代码(签名)标识。存储器修复代码通过使存储器系统能够将缺陷元件(由签名标识)替换为对应的备用存储器元件来修复存储器内的缺陷元件。可用修复签名的长度(位数)取决于给定存储器实例中的可修复元件(行和/或列)的实际数量。不同的存储器实例配置可能具有不同数量的可修复元件(行和/或列)。因此，对于不同的相应存储器实例，用于所述相应存储器实例的修复代码中可以具有不同数量的可用位。然而，出于包括遵守非易失性存储器的字大小和在异构存储器之间保持统一的修复代码大小在内的各种原因，用于给定存储器实例的修复签名代码可以包括可用位和附加的填充位。进一步地，可能并非IC上所有存储器都有需要修复的缺陷。用于那些不修复的存储器的修复代码和超出特定存储器实例的可用范围的修复签名位将保持不被使用，浪费了非易失性存储器中被分配用于修复的空间。本文为存储在非易失性存储器上的修复代码提供了一种空间高效的压缩技术，所述技术可以被实施以存储和/或检索用于可修复存储器系统的存储器实例的修复代码。
[0015]作为示例，IC包括非易失性存储器，所述非易失性存储器被配置为存储与可修复存储器系统的缺陷存储器实例相对应的压缩修复数据。例如，非易失性存储器可以包括一个或多个电FuseROM、一次性可编程ROM(OTP ROM)、电可编程ROM(EPROM)或电可擦可编程ROM(EEPROM)。用于相应存储器实例的压缩修复数据包括压缩控制数据的一个或多个位以
及表示存储器修复代码的压缩(例如，紧缩)版本的位，所述压缩版本在本文中被称为压缩修复代码。修复代码的压缩版本在本文中也可以称为压缩修复代码。
[0016]非易失性存储器控制器耦合到非易失性存储器。在示例中，非易失性存储器控制器被配置为从非易失性存储器中读取用于相应存储器实例的压缩修复数据。非易失性存储器控制器包括被配置为基于压缩控制数据将用于相应存储器实例的压缩修复数据解压回完整(非压缩)修复代码(例如，修复签名)的逻辑。在另一个示例中，非易失性存储器控制器被配置为接收已为修复给定存储器实例生成的非压缩修复代码(例如，修复签名)。非易失性存储器控制器包括被配置为将修复代码压缩成压缩修复代码的附加逻辑。所述逻辑还提供具有一个或多个位的压缩控制数据以及表示压缩修复代码的位的压缩修复数据。可以针对在IC上实施的可修复存储器系统的每个存储器实例来重复存储和读取压缩修复数据的过程。
[0017]作为进一步的示例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路(IC)，包括：非易失性存储器；被配置为进行以下操作的逻辑：接收与存储器实例相关联的修复代码；基于所述存储器实例的配置向所述修复代码指派压缩参数；基于所述压缩参数来压缩所述修复代码以产生压缩修复代码；以及提供包括所述压缩修复代码和标识所述压缩参数的压缩控制数据的压缩修复数据；耦合在所述非易失性存储器与所述逻辑之间的非易失性存储器控制器，所述非易失性存储器控制器被配置为将所述压缩修复数据传输到所述非易失性存储器和/或从所述非易失性存储器中传输所述压缩修复数据。2.根据权利要求1所述的IC，其中，所述压缩控制数据包括所述压缩修复数据中的一个或多个位的序列。3.根据权利要求2所述的IC，其中，所述压缩控制数据包括所述压缩修复数据的前缀。4.根据权利要求1所述的IC，其中，所述逻辑被配置为基于所述修复代码的大小和/或值将所述修复代码指派给相应的仓，被指派的仓包括由所述逻辑用来压缩所述修复代码的所述压缩参数。5.根据权利要求4所述的IC，其中，所述逻辑被配置为基于所述修复代码被指派到的相应仓而将所述压缩控制数据的相应值指派给所述修复代码，所指派的压缩控制数据值被附加到所述压缩修复代码以提供所述压缩修复数据。6.根据权利要求5所述的IC，进一步包括查找表，所述查找表由所述压缩控制数据索引以提供相应的查找表输出，所述逻辑被配置为通过基于所述查找表输出将一个或多个位添加到所述压缩修复代码来控制所述压缩修复数据到所述修复代码的解压。7.根据权利要求1所述的IC，其中，所述逻辑被配置为基于所述修复代码被指派到的相应仓而从所述修复代码中移除一定数量的位并添加所述压缩控制数据的一个或多个位以提供所述压缩修复数据，所述修复代码被指派到相应仓是基于所述修复代码中的可用修复签名位的大小和/或值。8.根据权利要求7所述的IC，其中，所述修复代码中的可用修复签名位的大小和/或值是基于所述存储器实例的配置。9.根据权利要求1所述的IC，进一步包括：可修复存储器系统，所述可修复存储器系统包括所述存储器实例；以及耦合到所述可修复存储器系统的存储器修复控制器，所述存储器修复控制器被配置为生成用于所述存储器实例的所述修复代码，所述修复代码被存储在所述存储器实例的修复寄存器中，所述逻辑进一步被配置为将所述修复代码传输到所述存储器实例和/或从所述存储器实例中传输所述修复代码。10.根据权利要求1所述的IC，其中，所述逻辑进一步被配置为：从所述非易失性存储器中接收包括所述压缩修复代码和所述压缩控制数据的压缩修复数据；基于所述压缩控制数据对所述压缩修复代码进行解压以产生用于所述存储器实例的所述修复代码；以及
将所述修复代码提供到所述存储器实例。11.一种集成电路(IC)，包括：可修复存储器系统，所述可修复存储器系统包括存储器实例；以及耦合到所述可修复存储器系统的存储器修复控制器，所述存储器修复控制器被配置为生成与所述存储器实例相关联的修复代码；非易失性存储器；耦合到所述可修复存储器系统和所述非易失性存储器的控制封装器，所述控制封装器包括：被配置为进行以下操作的逻辑：从所述非易失性存储器中接收包括压缩修复代码和压缩控制数据的压缩修复数据，所述压缩修复代码是与所述存储器实例相关联的所述修复代码的压缩版本；以及基于所述压缩控制数据对所述压缩修复代码进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：