一种晶圆自旋转刷片清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆自旋转刷片清洗装置，涉及半导体技术领域。包括：壳体，壳体的内腔为晶圆刷片腔体；刷片组件，包括上侧毛刷组、下侧毛刷组、固定板、第一驱动装置和晶圆承载平台；上侧毛刷组包括第二驱动装置和上侧毛刷，下侧毛刷组包括第三驱动装置和下侧毛刷；固定板固定在壳体的内壁，上侧毛刷组和下侧毛刷组固定在固定板上；晶圆承载平台包括左侧板和右侧板，上侧毛刷和下侧毛刷位于左侧板和右侧板之间的间隔位置处，且分别位于待清洗晶圆的上方和下方；第一驱动装置连接上侧毛刷组和下侧毛刷组，用于驱动毛刷组在垂直方向上运动，将待清洗晶圆夹持或松开。本发明专利技术可保证晶圆在刷片过程中受力均匀，刷洗效果稳定，避免晶圆被损坏。晶圆被损坏。晶圆被损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆自旋转刷片清洗装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种晶圆自旋转刷片清洗装置。

技术介绍

[0002]化学机械抛光技术（CMP）是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低，占次品率的50%左右，清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。在CMP工艺中，表面缺陷和玷污必然会出现，这些缺陷和玷污是物理性或化学性的。微粒缺陷主要是由于抛光过程中产生的微粒粘着在晶片表面造成的，这些微粒来源于抛光垫、晶圆或抛光液。
[0003]目前的CMP工艺清洗多是垂直放置晶圆，通过毛刷电机带动毛刷转动，药水喷淋刷片保持湿润，同步晶圆转动装置与晶圆匹配转动，完成刷片。这种刷片方法，晶圆边缘受力不均，尤其是第二代和第三代半导体较脆或者晶圆倾斜翘曲时，转动滚轮容易导致晶圆受到侧面力，从而导致晶圆破裂，或者变更晶圆毛刷时因传动有复杂的匹配关系容易参数不匹配导致晶圆破裂，破裂后导致二次污染。或采用毛刷与晶圆有一定的倾本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆自旋转刷片清洗装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体的内腔为晶圆刷片腔体；刷片组件，所述刷片组件包括结构相同的上侧毛刷组和下侧毛刷组，以及固定板、第一驱动装置和晶圆承载平台；所述上侧毛刷组包括第二驱动装置和上侧毛刷，所述第二驱动装置的驱动端与所述上侧毛刷连接，用于驱动所述上侧毛刷绕该毛刷的中心轴旋转，所述下侧毛刷组包括第三驱动装置和下侧毛刷，所述第三驱动装置的驱动端与所述下侧毛刷连接，用于驱动所述下侧毛刷绕该毛刷的中心轴旋转；其中，所述上侧毛刷与所述下侧毛刷的旋转方向相反；所述固定板固定设置在所述壳体的内壁上，所述上侧毛刷组和所述下侧毛刷组分别穿过所述固定板，且与所述固定板固定连接，使所述第二驱动装置和所述第三驱动装置位于所述壳体的外壁，所述上侧毛刷和所述下侧毛刷位于所述晶圆刷片腔体中；所述晶圆承载平台包括左侧板和右侧板，所述左侧板和所述右侧板分别固定在所述壳体内相对两个侧壁的同一高度位置上，使所述晶圆承载平台上放置待清洗晶圆时，晶圆表面为水平状态，所述左侧板和所述右侧板之间设置间隔，使所述上侧毛刷和所述下侧毛刷位于该间隔位置处，且分别位于所述待清洗晶圆的上方和下方，分别用于对所述待清洗晶圆的上表面和下表面进行刷洗；所述第一驱动装置分别连接所述上侧毛刷组和下侧毛刷组，用于驱动所述上侧毛刷组和所述下侧毛刷组在垂直方向上运动，将所述待清洗晶圆夹持或松开。2.根据权利要求1所述的晶圆自旋转刷片清洗装置，其特征在于，所述上侧毛刷和所述下侧毛刷均位于所述待清洗晶圆直径的3/4位置处。3.根据权利要求1所述的晶圆自旋转刷片清洗装置，其特征在于，所述第一驱动装置为气缸，所述气缸的驱动输出端连接齿条，所述上侧毛刷组和所述下侧毛刷组中分别设置齿轮，所述齿条与所述齿轮相配合，以通过所述齿轮和齿条的配合，驱动所述上侧毛刷组和所述下侧毛刷组在垂直方向上运动。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：任潮群，陈泳，周军奎，吴荣崇，杨冬野，
申请(专利权)人：苏州芯慧联半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：