一种死区控制电路及开关电源制造技术

本实用新型专利技术提供一种死区控制电路，用于采用有源钳位反激拓扑的开关电源，开关电源包括控制电路、驱动电路及主功率电路；死区控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、比较器U1、MOS管Q1、二极管D1及电容C1；比较器U1的负相输入端接收电阻R3和电阻R4采集的输入电压信号，负相输入端接基准电压Vref，输出端接MOS管Q1的栅极；MOS管Q1的漏极与电阻R2的第一端连接；电阻R2的第二端分别与电容C1的第一端、电阻R1的第一端和二极管D1的阳极连接后接驱动电路的输入端；电阻R1的第二端与二极管D1的阴极连接后接控制电路的输出端；电阻R4的第二端、MOS管Q1的源极与电容C1的第二端均接地。本申请电路结构简单且在全输入范围下死区时间可调。可调。可调。

【技术实现步骤摘要】
一种死区控制电路及开关电源


[0001]本技术涉及开关电源领域，尤其涉及一种应用于有源钳位反激拓扑的死区控制电路。

技术介绍

[0002]在有源钳位反激电路中，通过实现开关管的零电压导通(ZVS)或波谷导通能够减少开关管的开关损耗从而实现更高的效率，而为提高效率同时降低整流管的应力，有源钳位反激电路一般在低压输入时工作在CCM模式(连续模式)，在标称及高压输入时工作在DCM模式(断续模式)，但由于工作在CCM模式和DCM模式实现ZVS或波谷导通所需要的死区时间(钳位管关断到开关管关断的时间)不同，因此需要对有源钳位反激电路进行死区时间调节，一般来说，DCM模式下所需死区时间比较短，CCM模式下所需死区时间比较长。
[0003]为使有源钳位反激电路在CCM模式和DCM模式下都能实现死区时间自适应调节，业界常在反激有源钳位拓扑中采用IC控制来调节，但IC控制较为复杂且一般应用于高压输入，不太适用于低压输入；目前，应用于低压输入的反激有源钳位电路一般采用固定死区的控制方式，此方式控制简单，调试方便，但由于无法实现死区调试，难以保证开关电源的主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种死区控制电路，应用于开关电源，所述开关电源采用有源钳位反激拓扑，所述开关电源包括控制电路、驱动电路及主功率电路；其特征在于，所述死区控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、比较器U1、开关单元及电容C1；所述电阻R3的第一端接入输入电压Vin，第二端分别与所述电阻R4的第一端和所述比较器U1的负相输入端连接；所述比较器U1的正相输入端接基准电压Vref，输出端与所述开关单元的控制端连接；所述开关单元的输出端与所述电阻R2的第一端连接；所述电阻R2的第二端分别与所述电容C1的第一端和所述电阻R1的第一端连接，其公共端与所述驱动电路的输入端连接；所述电阻R1的第二端与所述控制电路的输出端连接；所述电阻R4的第二端、所述开关单元的接地端与所述电容C1的第二端均接输入参考地GND_in。2.根据权利要求1所述的死区控制电路，其特征在于，所述开关单元为电压型开关器件。3.根据权利要求2所述的死区控制电路，其特征在于，所述开关单元为MOS管Q1，所述开关单元的控制端为MOS管Q1的栅极，所述开关单元的输出端为MOS管Q1的漏极，所述开关单元的接地端为MOS管Q1的源极。4.根据权利要求1所述的死区控制电路，其特征在于，所述开关单元为电流型开关器件。5.根据权利要求4所述的死区控制电路，其特征在于，所述开关单元包括：三极管Q1、电阻R5及电阻R6，所述电阻R5的第一端作为所述开关电源的控制端，所述电阻R5的第二端分别与所述三极管Q1的基极和所述电阻R6的第一端连接；所述三极管Q1的发射极与所述电阻R6的第二端的连接节点作为所述开关单元的接地端，所述三极管Q1的集电极作为所述开关单元的输出端。6.根据权利要求1所述的死区控制电路，其特征在于，还包括下拉单元，所述下拉单元接在所述电阻R1的两端，用于快速关断所述主功率电路中的开关管。7.根据权利要求6所述的死区控制电路，其特征在于，所述下拉单元为二极管D1，所述二极管D1的阳极与所述电阻R1的第一端连接，所述二极管D1的阴极与所述电阻R1的第二端连接。8.一种死区控制电路，应用于开关电源，所述开关电源采用有源钳位反激拓扑，所述开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海荣，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：