电路连接用黏合剂膜、以及电路连接结构体及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电路连接结构体的制造方法，其包括：准备电路连接用黏合剂膜的工序，该电路连接用黏合剂膜具备含有导电粒子的第1黏合剂层和设置于第1黏合剂层上的第2黏合剂层，并且第1黏合剂层的流率为130～250％；将具有第1电极的第1电路部件和具有第2电极的第2电路部件以第1电极与第2电极对置的方式配置的工序；及以第1黏合剂层成为第1电路部件侧且第2黏合剂层成为第2电路部件侧的方式使电路连接用黏合剂膜介于第1电路部件与第2电路部件之间的状态下，对第1电路部件及第2电路部件进行热压接的工序，在热压接的工序中，将第1电极与第2电极经由导电粒子相互电连接而形成电极连接部分，并且在相邻的电极连接部分之间以向第1电路部件侧或第2电路部件侧凸出的方式弯曲第1黏合剂层而使电路连接用黏合剂膜固化。曲第1黏合剂层而使电路连接用黏合剂膜固化。曲第1黏合剂层而使电路连接用黏合剂膜固化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路连接用黏合剂膜、以及电路连接结构体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电路连接用黏合剂膜、以及电路连接结构体及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，例如，作为用于液晶显示器与带载封装(TCP)的连接、挠性印刷配线基板(FPC)与TCP的连接或FPC与印刷配线板的连接的黏合材料，使用了在黏合剂中分散有导电粒子的电路连接用黏合剂膜(例如，具有各向异性导电性的电路连接用黏合剂膜)。并且，在基板上安装半导体硅晶片的情况下，也进行了在基板上直接安装半导体硅晶片的、所谓的覆晶玻璃封装(COG)来代替以往的引线接合，在此也使用了电路连接用黏合剂膜(例如具有各向异性导电性的电路连接用黏合剂膜)。在此，“各向异性导电性”是指在加压方向上导通，在非加压方向上保持绝缘性。
[0003]近年来，随着电子设备的发展，配线的高密度化及电路的高功能化不断进展。其结果，要求如连接电极之间的间隔例如成为15μm以下的连接结构体，连接部件的凸块电极也不断被小面积化。为了在面积变小的凸块连接中获得稳定的电连接，需要足够数量的导电粒子介于凸块电极与基板侧的电路电极之间。
[0004]对此，例如在专利文献1中提出了一种层叠分散有导电粒子的黏合剂层(导电粒子层)和只有黏合剂的层(黏合剂层)而成的双层结构的黏合剂膜。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开平8
‑
279371号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]然而，在专利文献1的方法中有如下顾虑，即，在制造电路连接结构体时的热压接时，位于对置的电极之间的电路连接用黏合剂膜的黏合剂成分被挤出，因被挤出的黏合剂成分而导电粒子流动。其结果，在相邻的电极之间导电粒子凝集，从而有可能会发生短路。
[0010]对此，本专利技术人等进行深入探讨的结果发现了一种通过预先使导电粒子偏在的区域的黏合剂固化来抑制电路连接时(热压接时)的导电粒子的流动，从而抑制由导电粒子引起的短路的发生的方法。然而，近年来，不断要求进一步降低对置的电极之间的连接电阻，在上述方法中，难以满足降低连接电阻的要求。
[0011]因此，本专利技术的目的之一在于制造抑制由导电粒子凝集引起的短路的发生的同时对置的电极之间的连接电阻足够低的电路连接结构体。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术人等获得了如下构思：若能够进行热压接以使包含导电粒子的黏合剂层固化而成的树脂固化层成为在电路连接结构体的相邻的电极之间(电极连接部分之间)弯曲成凸状的结构，则在上述弯曲的过程中位于对置的电极之间的黏合剂成分减少，从而在设
为使相邻的电极之间的导电粒子相互分开的状态下能够降低连接电阻。本专利技术人等根据这样的构思进行探讨，发现通过将包含导电粒子的黏合剂层的流率设在特定的范围内而能够形成上述弯曲成凸状的结构的树脂固化层，从而完成了本专利技术。
[0014]即，本专利技术的一方面涉及一种以下所示的电路连接结构体的制造方法。
[0015][1]一种电路连接结构体的制造方法，其包括：准备电路连接用黏合剂膜的工序，所述电路连接用黏合剂膜具备含有导电粒子的第1黏合剂层和设置于所述第1黏合剂层上的第2黏合剂层，并且按下述(A1)～(A4)的顺序测定的所述第1黏合剂层的流率为130～250％；将具有第1电极的第1电路部件和具有第2电极的第2电路部件以所述第1电极与所述第2电极对置的方式配置的工序；及以所述第1黏合剂层成为所述第1电路部件侧且所述第2黏合剂层成为所述第2电路部件侧的方式使所述电路连接用黏合剂膜介于所述第1电路部件与所述第2电路部件之间的状态下，对所述第1电路部件及所述第2电路部件进行热压接的工序，在所述热压接的工序中，将所述第1电极与所述第2电极经由所述导电粒子相互电连接而形成电极连接部分，并且在相邻的所述电极连接部分之间以向所述第1电路部件侧或所述第2电路部件侧凸出的方式弯曲所述第1黏合剂层而使所述电路连接用黏合剂膜固化。
[0016](A1)将所述电路连接用黏合剂膜在该电路连接用黏合剂膜的两个主表面上贴附有基材的状态下沿着厚度方向冲裁，而获得直径R(单位：mm)为0.1～1mm的圆板状的评价用黏合剂膜。
[0017](A2)从所述评价用黏合剂膜剥离第1黏合剂层侧的所述基材之后，将所述评价用黏合剂膜从所述第1黏合剂层侧放置在厚度为0.15mm的玻璃板上，在压接温度为60℃、压接压力为1MPa、压接时间为0.1s的条件下进行热压接，而获得临时固定体。
[0018](A3)从所述临时固定体剥离所述基材之后，在第2黏合剂层上放置厚度为0.15mm的玻璃板，在压接温度为170℃、压接压力为80MPa、压接时间为5s的条件下进行热压接，而获得压接体。
[0019](A4)求出所述压接体中的、固化后的所述第1黏合剂层与所述玻璃板的黏合面积S1(单位：mm2)，并根据下述式(a)计算流率。
[0020]流率[％]＝(黏合面积S1)/(0.25π
×
(直径R)2)
×
100
……
(a)
[0021][2]根据[1]所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0022]所述第1黏合剂层含有第1热固化性成分。
[0023][3]根据[2]所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0024]所述第1热固化性成分包含(甲基)丙烯酸酯化合物作为热固化性化合物。
[0025][4]根据[3]所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0026]所述第1热固化性成分包含有机过氧化物作为所述热固化性化合物用固化剂。
[0027][5]根据[2]至[4]中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0028]所述第1黏合剂层含有光固化性成分的固化物。
[0029][6]根据[1]至[5]中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0030]所述第1黏合剂层中的所述导电粒子的密度为5000～50000个/mm2。
[0031][7]根据[1]至[6]中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0032]所述第1黏合剂层的厚度为所述导电粒子的平均粒径的0.6倍以上且小于1.0倍。
[0033][8]根据[1]至[7]中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0034]所述第1黏合剂层的厚度为1.0～6.0μm。
[0035][9]根据[1]至[8]中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0036]所述导电粒子的平均粒径为2.5～6.0μm。
[0037][10]根据[1]至[9]中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[0038]所述第2黏合剂层含有第2热固化性成分。
[0039][11]根据[10]所述的电路连接结构体的制造方法，其中，
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电路连接结构体的制造方法，其包括：准备电路连接用黏合剂膜的工序，所述电路连接用黏合剂膜具备含有导电粒子的第1黏合剂层和设置于所述第1黏合剂层上的第2黏合剂层，并且按下述(A1)～(A4)的顺序测定的所述第1黏合剂层的流率为130～250％；将具有第1电极的第1电路部件和具有第2电极的第2电路部件以所述第1电极与所述第2电极对置的方式配置的工序；及以所述第1黏合剂层成为所述第1电路部件侧且所述第2黏合剂层成为所述第2电路部件侧的方式使所述电路连接用黏合剂膜介于所述第1电路部件与所述第2电路部件之间的状态下，对所述第1电路部件及所述第2电路部件进行热压接的工序，在所述热压接的工序中，将所述第1电极与所述第2电极经由所述导电粒子相互电连接而形成电极连接部分，并且在相邻的所述电极连接部分之间以向所述第1电路部件侧或所述第2电路部件侧凸出的方式弯曲所述第1黏合剂层而使所述电路连接用黏合剂膜固化，其中，(A1)将所述电路连接用黏合剂膜在该电路连接用黏合剂膜的两个主表面上贴附有基材的状态下沿着厚度方向冲裁，而获得直径R(单位：mm)为0.1～1mm的圆板状的评价用黏合剂膜，(A2)从所述评价用黏合剂膜剥离第1黏合剂层侧的所述基材之后，将所述评价用黏合剂膜从所述第1黏合剂层侧放置在厚度为0.15mm的玻璃板上，在压接温度为60℃、压接压力为1MPa、压接时间为0.1s的条件下进行热压接，而获得临时固定体，(A3)从所述临时固定体剥离所述基材之后，在第2黏合剂层上放置厚度为0.15mm的玻璃板，在压接温度为170℃、压接压力为80MPa、压接时间为5s的条件下进行热压接，而获得压接体，(A4)求出所述压接体中的、固化后的所述第1黏合剂层与所述玻璃板的黏合面积S1(单位：mm2)，并根据下述式(a)计算流率，流率[％]＝(黏合面积S1)/(0.25π
×
(直径R)2)
×
100
……
(a)。2.根据权利要求1所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1黏合剂层含有第1热固化性成分。3.根据权利要求2所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1热固化性成分包含(甲基)丙烯酸酯化合物作为热固化性化合物。4.根据权利要求3所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1热固化性成分包含有机过氧化物作为所述热固化性化合物用固化剂。5.根据权利要求2至4中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1黏合剂层含有光固化性成分的固化物。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1黏合剂层中的所述导电粒子的密度为5000～50000个/mm2。7.根据权利要求1至6中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1黏合剂层的厚度为所述导电粒子的平均粒径的0.6倍以上且小于1.0倍。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述第1黏合剂层的厚度为1.0～6.0μm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电路连接结构体的制造方法，其中，所述导电粒子的平均粒径为2.5～6.0μm。10.根据权利要求1至9中任一项所述的电路连接结构体的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎智阳，市村刚幸，小林亮太，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：