阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请属于显示面板技术领域，提出一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，阵列基板包括层叠设置的衬底基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中，有源层包括第一有源层和第二有源层，第一有源层构成沟道区，通过将第一栅极作为有源层的导体化掩膜，对第二有源层进行导体化，不会影响第一有源层的沟道区的延伸宽度，使得沟道区与第一栅极的宽度差值在预设范围内，减少沟道区的扩散现象引起的宽度差值过大的问题，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。面板的清晰度要求。面板的清晰度要求。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请属于显示面板
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT ）是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置应用在如液晶显示装置（Liquid Crystal Display，LCD）、有机电激光显示装置（Organic Light Emitting Display，OLED)）等显示装置中。
[0003]其中，在玻璃基板或塑料基板上制作薄膜晶体管时，通常采用栅极作为有源层的导体化掩膜形成对应的沟道区，但是，由于不同的导体化工艺均存在扩散现象，导致实际的沟道区的宽度比栅极的宽度小，由于显示面板的清晰度要求，需要尽可能压缩薄膜晶体管的尺寸，如果沟道区的宽度与栅极的宽度之间的差值过大，将导致短沟道的薄膜晶体管失去开关特性，因此，差值需要尽量小，但由于扩散效应，差值大小无法保证，最终无法兼顾开关特性要求。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种阵列基板，旨在解决传统的阵列基板在满足清晰度要求时无法兼顾开关特性要求的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面提出了一种阵列基板，包括：衬底基板；沿第一方向在所述衬底基板依次层叠的缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层；沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；在所述缓冲层上设置的层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，所述层间绝缘层上设置有分别对应于两个所述第二有源层上方的两个通孔；在所述层间绝缘层上设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极通过两个所述通孔分别连接至对应的所述第二有源层的导体部。
[0006]可选地，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合，与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。
[0007]可选地，沿所述第二方向上，所述第一栅极的延伸宽度小于所述栅极绝缘层的延伸宽度；所述第一有源层的延伸宽度大于所述栅极绝缘层的延伸宽度。
[0008]可选地，所述阵列基板还包括：第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度。
[0009]可选地，所述阵列基板还包括：钝化层，所述钝化层覆盖所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极。
[0010]本申请实施例的第二方面提出了一种阵列基板的制备方法，包括：沿第一方向在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；以所述第一栅极为掩膜对所述第二有源层进行导体化，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部；沉积层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述缓冲层、所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，在所述层间绝缘层上曝光显影形成直达至对应的所述第二有源层的导体部的两个通孔；在所述层间绝缘层上和两个所述通孔内沉积源极和漏极。
[0011]可选地，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合；与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。
[0012]可选地，所述在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极的步骤具体包括：在所述衬底基板上依次沉积所述缓冲层和所述第一有源层；在所述第一有源层两侧分别沉积形成一个所述第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠；沿所述第二方向上，对所述第二有源层进行刻蚀，使得与所述第二有源层未交叠的部分所述第一有源层和两个所述第二有源层的边缘形成容置所述栅极绝缘层的沟槽；在所述沟槽内沉积所述栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上沉积所述第一栅极。
[0013]可选地，所述阵列基板的制备方法还包括：在所述衬底基板上沉积第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度；在所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极上沉积钝化层。
[0014]本申请实施例的第三方面提出了一种显示面板，包括OLED器件和阵列基板，所述OLED器件叠设于所述阵列基板的上方，所述阵列基板为本申请实施例的第一方面提供的阵列基板或者基于本申请实施例的第二方面提供的制备方法制备的阵列基板。
[0015]本申请实施例的第一方面提供一种阵列基板，包括层叠设置的衬底基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中，有源层包括第一有源层和
第二有源层，第一有源层构成沟道区，通过将第一栅极作为有源层的导体化掩膜，对第二有源层进行导体化，不会影响第一有源层的沟道区的延伸宽度，使得沟道区与第一栅极的宽度差值在预设范围内，减少沟道区的扩散现象引起的宽度差值过大的问题，能够同时满足薄膜晶体管的开关特性要求和显示面板的清晰度要求。
[0016]可以理解的是，上述第二方面和第三方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本申请实施例一提供的阵列基板的第一种结构示意图；图2为本申请实施例一提供的阵列基板的第二种结构示意图；图3为本申请实施例一提供的阵列基板的第三种结构示意图；图4为本申请实施例一提供的阵列基板的第四种结构示意图；图5为本申请实施例二提供的阵列基板的制备方法的第一种流程示意图；图6为本申请实施例二提供的步骤S10具体流程示意图；图7为本申请实施例二提供的步骤S11对应的结构示意图；图8为本申请实施例二提供的步骤S12对应的结构示意图；图9为本申请实施例二提供的步骤S14对应的结构示意图；图10为本申请实施例二提供的步骤S30对应的结构示意图；图11为本申请实施例二提供的阵列基板的制备方法的第二种流程示意图；图12为本申请实施例三提供的显示面板的结构示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；沿第一方向在所述衬底基板依次层叠的缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层；沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，所述第一有源层形成沟道区，所述第二有源层形成导体部，沿第二方向上，所述第一有源层的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度，所述第一方向与所述第二方向交叉；在所述缓冲层上设置的层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第一栅极、所述第二有源层和所述栅极绝缘层，所述层间绝缘层上设置有分别对应于两个所述第二有源层上方的两个通孔；在所述层间绝缘层上设置的源极和漏极，所述源极和所述漏极通过两个所述通孔分别连接至对应的所述第二有源层的导体部。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一栅极的两侧分别与两个所述第二有源层的一侧重合，与所述第一栅极重合的部分所述第二有源层和所述第一有源层形成所述沟道区，与所述第一栅极未重合的部分所述第二有源层形成所述导体部。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第二方向上，所述第一栅极的延伸宽度小于所述栅极绝缘层的延伸宽度；所述第一有源层的延伸宽度大于所述栅极绝缘层的延伸宽度。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第二栅极，所述第二栅极位于所述衬底基板和所述缓冲层之间，所述缓冲层覆盖所述第二栅极，沿所述第二方向上，所述第二栅极的延伸宽度大于所述第一栅极的延伸宽度。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：钝化层，所述钝化层覆盖所述层间绝缘层、所述源极和所述漏极。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：沿第一方向在衬底基板上依次沉积形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层和第一栅极，所述有源层包括第一有源层和分别位于所述第一有源层两侧的第二有源层，沿所述第一方向上，两个所述第二有源层分别与所述第一有源层的两侧交叠，沿第二方向上，所述第一有源层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁鑫，周秀峰，陈晨，叶利丹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：