显示装置及显示装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:38500083 阅读:11 留言:0更新日期:2023-08-15 17:08
本发明专利技术涉及显示装置及显示装置的制造方法。根据一实施方式,显示装置包括:基板;配置在基板的上方的下电极;由硅氧化物或硅氧氮化物形成且具有与下电极重叠的开口的肋部;具有配置在肋部之上的下部和配置在下部之上并从下部的侧面突出的上部的隔壁;有机层,具有配置在下电极之上并与隔壁的下部分离的第1部分和配置在上部之上的第2部分,第1部分和第2部分包含由同一材料形成的发光层;上电极,其具有配置在有机层的第1部分之上并与隔壁的下部相接的第1部分和配置在有机层的第2部分之上的第2部分;盖层,其具有配置在上电极的第1部分之上的第1部分和配置在上电极的第2部分之上的第2部分;和封固层,其覆盖盖层的第1部分及第2部分。及第2部分。及第2部分。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制造方法
[0001]关联申请的交叉参照
[0002]本申请基于2022年2月8日提出申请的日本专利申请第2022

018015号主张优先权,并引用该日本申请记载的全部记载内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及显示装置及显示装置的制造方法。

技术介绍

[0004]近年来,作为显示元件应用有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件包括:包含薄膜晶体管的像素电路;与像素电路连接的下电极;覆盖下电极的有机层;和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外,还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。
[0005]在制造这样的显示元件的过程中,需要抑制可靠性降低的技术。

技术实现思路

[0006]实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。
[0007]根据一个实施方式,显示装置包括:
[0008]基板;下电极,其配置在所述基板的上方;肋部,其由硅氧化物或硅氧氮化物形成,具有与所述下电极重叠的开口;隔壁,其具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部;有机层,其具有配置在所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1部分、和配置在所述上部之上的第2部分,所述第1部分和所述第2部分包含由同一材料形成的发光层;上电极,其具有配置在所述有机层的所述第1部分之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1部分、和配置在所述有机层的所述第2部分之上的第2部分;盖层,其具有配置在所述上电极的所述第1部分之上的第1部分、和配置在所述上电极的所述第2部分之上的第2部分;和封固层,其覆盖所述盖层的所述第1部分及所述第2部分。
[0009]根据一个实施方式,在显示装置的制造方法中:
[0010]在基板的上方形成下电极;将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上,向所述腔室内导入四氢化硅(SiH4)及一氧化二氮(N2O)的混合气体,形成与所述下电极重叠的硅氧化物层;使所述硅氧化物层图案化,形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部,形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁;形成有机层,所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层,所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层;形成上电极,所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极;形成盖层,
所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层,形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。
[0011]根据一个实施方式,在显示装置的制造方法中:
[0012]在基板的上方形成下电极;将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上,向所述腔室内导入四氢化硅(SiH4)、一氧化二氮(N2O)及氮气(N2)的混合气体,形成与所述下电极重叠的硅氧氮化物层;使所述硅氧氮化物层图案化,形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部;形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁;形成有机层,所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层,所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层;形成上电极,所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极;形成盖层,所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层;形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。
[0013]根据实施方式,能够提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。
附图说明
[0014]图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
[0015]图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
[0016]图3是沿着图2中的III

III线的显示装置DSP的示意性剖视图。
[0017]图4是示出显示元件20的构成的一例的图。
[0018]图5是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
[0019]图6是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。
[0020]图7是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。
[0021]图8是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。
[0022]图9是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。
[0023]图10是用于说明准备处理基板SUB的工序的图。
[0024]图11是经过步骤ST1准备的处理基板SUB的剖视图。
[0025]图12是用于说明形成第1薄膜31的工序的图。
[0026]图13是用于说明形成抗蚀剂41的工序的图。
[0027]图14是用于说明以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻的工序的图。
[0028]图15是用于说明以抗蚀剂41为掩模进行蚀刻的工序的图。
[0029]图16是用于说明将抗蚀剂41除去的工序的图。
具体实施方式
[0030]参照附图说明一个实施方式。
[0031]本公开文本只不过是一例,本领域技术人员容易想到的保持专利技术主旨的适当变更当然包含在本专利技术的范围内。另外,为了使说明更加明确,与实际方式相比,附图有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等,但只不过是一例,并非限定本专利技术的解释。另外,在
本说明书和各图中,存在对发挥与关于前文出现的附图已说明的构成要素相同或类似功能的构成要素标注同一附图标记,并适当省略重复的详细说明的情况。
[0032]需要说明的是,根据需要,为了便于理解而在附图中记载相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向,将沿着Y轴的方向称为第2方向,将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素称为俯视观察。
[0033]本实施方式的显示装置是作为显示元件具备有机发光二极管(OLED)的有机电致发光显示装置,能够搭载于电视、个人计算机、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。
[0034]图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
[0035]显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10既可以是玻璃,也可以是具有挠性的树脂膜。
[0036]在本实施方式中,俯视观察的基板10的形状为长方形。需要说明的是,基板10的俯视观察的形状不限于长方形,也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
[0037]显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上排列为矩阵状的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一个例子中,像素PX包含红色的子像素SP1、绿色的子像素SP2及蓝色的子像素SP3。需要说明的是,像素本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示装置,其包括:基板;下电极,其配置在所述基板的上方;肋部,其由硅氧化物或硅氧氮化物形成,具有与所述下电极重叠的开口;隔壁,其具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部;有机层,其具有配置在所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1部分、和配置在所述上部之上的第2部分,所述第1部分和所述第2部分包含由同一材料形成的发光层;上电极,其具有配置在所述有机层的所述第1部分之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1部分、和配置在所述有机层的所述第2部分之上的第2部分;盖层,其具有配置在所述上电极的所述第1部分之上的第1部分、和配置在所述上电极的所述第2部分之上的第2部分;和封固层,其覆盖所述盖层的所述第1部分及所述第2部分。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封固层由硅氮化物形成。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述肋部的厚度比所述隔壁的厚度小。4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述肋部的厚度为200nm以上且400nm以下。5.显示装置的制造方法,其中,在基板的上方形成下电极,将形成有所述下电极的处理基板配置在腔室内的载置台之上,向所述腔室内导入四氢化硅(SiH4)及一氧化二氮(N2O)的混合气体,从而形成与所述下电极重叠的硅氧化物层,使所述硅氧化物层图案化,形成具有与所述下电极重叠的开口的肋部,形成具有位于所述肋部之上的下部和位于所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部的隔壁,形成有机层,所述有机层包含位于所述下电极之上并与所述隔壁的所述下部分离的第1有机层、和位于所述上部之上的第2有机层,所述第1有机层及所述第2有机层包含由同一材料形成的发光层,形成上电极,所述上电极包含位于所述第1有机层之上并与所述隔壁的所述下部相接的第1上电极、和位于所述第2有机层之上的第2上电极,形成盖层,所述盖层包含位于所述第1上电极之上的第1盖层、和位于所述第2上电极之上的第2盖层,形成覆盖所述第1盖层及所述第2盖层的封固层。6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法,其中,所述封固层由硅氮化物形成。...

【专利技术属性】
技术研发人员:山本裕也今井信雄小川浩
申请(专利权)人:株式会社日本显示器
类型:发明
国别省市:

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