一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线制造技术

本发明专利技术提供一种低损耗弯曲不敏感光纤，由内至外依次包括：芯层、第一包层、第二包层、第三包层、第一保护层以及第二保护层，光纤直径不超过165um，本发明专利技术所述的低损耗弯曲不敏感光纤，包覆涂层后的最大外直径能够保持在165um以下，并所述芯层掺杂锗元素，所述第二包层掺杂以质量计为5%~6%的氟，所述第一保护层的杨氏模量小于50Mpa，所述第二保护层的杨氏模量小于1200Mpa，本产品能够在弯曲状态下保持良好的折射率，并且通过对芯层、第一包层以及第二包层折射率的控制确保其在使用过程中的性能始终稳定，在需要进行长时间弯曲作业的场合具有良好的应用前景。场合具有良好的应用前景。场合具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线


[0001]本专利技术设计光纤
，具体指一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线。

技术介绍

[0002]近些年来，随着通信技术和传输网络的发展，光纤铺设的规模在逐步增大，这就使得同一区域内光纤通道资源日益紧张，为了能够在有限的资源空间中尽可能多地设置更多光纤，减小光纤直径就成为了目前研究的主要方向之一。
[0003]现有光纤的外径可达到125um左右，在其表面进行涂层处理后，直径约为245um左右，但是在降低其直径的同时，现有光纤很难做到同时保证较低的宏弯损耗以及衰减损耗，尤其针对一些室内光缆、跳线等需要进行弯曲光纤长时间工作的场合，开发出具有低衰减系数的小直径弯曲不敏感光纤是十分必要的。

技术实现思路

[0004]为此，本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中小直径光纤的宏弯损耗及衰减损耗过大的问题，提供一种低损耗弯曲不敏感光纤及跳线。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种低损耗弯曲不敏感光纤，由内至外依次包括：芯层、第一包层、第二包层、第三包层、第一保护层以及第二保护层，所述光纤直径不超过165um，所述芯层、所述第一包层、所述第二包层及所述第三包层的基材均为二氧化硅，其中，所述芯层掺杂锗元素，所述第二包层掺杂5%~6%的氟，所述第一保护层的杨氏模量小于50Mpa，所述第二保护层的杨氏模量小于1200Mpa，光线通过所述芯层的相对折射率差Δn1为0.445％~0.465%，光线通过所述第一包层的相对折射率差Δn2为
‑r/>0.1％~ 0.1%，光线通过所述第二包层的相对折射率差Δn3为
‑
0.53％~
‑
0.43%。
[0006]在本专利技术的一个实施例中，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.03dB/圈,且衰减损耗不超过0.191dB/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.100dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km。
[0007]在本专利技术的一个实施例中，当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.100dB/圈,且衰减损耗不超过0.191dB/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.200dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km。
[0008]在本专利技术的一个实施例中，当所述光纤弯曲半径在7.5mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.500dB/圈,且衰减损耗不超过0.191dB/km，当所述光纤弯曲半径7.5mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过1.000dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km。
[0009]在本专利技术的一个实施例中，所述芯层厚度为6.3
‑
6.7um，所述第一包层厚度为22.7
‑
23.3um，所述第二包层厚度为18
‑
21um，所述第三包层厚度为50
‑
51um。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，所述第一保护层厚度为31
‑
39um，所述第二保护层厚度为20
‑
30um。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，所述第一保护层为聚丙烯酸树脂层。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种跳线，包括上述低损耗弯曲不敏感光纤、发光组件以及电源，其中，所述低损耗弯曲不敏感光纤连接所述发光组件，所述发光组件连接电源。
[0013]在本专利技术的一个实施例中，还包括接触装置，所述低损耗弯曲不敏感光纤一端通过所述接触装置连接所述发光组件。
[0014]在本专利技术的一个实施例中，其包括至少两条所述低损耗弯曲不敏感光纤，且任意所述低损耗弯曲不敏感光纤均独立连接所述发光组件。
[0015]本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本专利技术所述的低损耗弯曲不敏感光纤，包覆涂层后的最大外直径能够保持在165um以下，其中，基于芯层掺杂的锗元素、第二包层掺杂的5%~6%的氟、第一保护层的杨氏模量小于50Mpa以及第二保护层的杨氏模量小于1200Mpa的设置，本产品能够在弯曲状态下保持良好的折射率以及性能的稳定性，在需要进行长时间弯曲作业的场合具有良好的应用前景。
附图说明
[0016]为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明。
[0017]图1是本专利技术优选实施例中低损耗弯曲不敏感光纤的结构示意图。
[0018]说明书附图标记说明：1、芯层；2、第一包层；3、第二包层；4、第三包层；5、第一保护层；6、第二保护层。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。
[0020]参见图1所示，本实施例中的低损耗弯曲不敏感光纤，由内至外依次包括：芯层1、第一包层2、第二包层3、第三包层4、第一保护层5以及第二保护层6，光纤直径不超过165um，其中，光线通过芯层1的相对折射率差Δn1为0.445％~0.465%，光线通过第一包层2的相对折射率差Δn2为
‑
0.1％~ 0.1%，光线通过第三包层4的相对折射率差Δn3为
‑
0.53％~
‑
0.43%，当光纤弯曲半径在15.0mm时，光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.03dB/圈,且衰减不超过0.191dB/km，当光纤弯曲半径在15.0mm时，光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.100dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km;当光纤弯曲半径在10.0mm时，光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.100dB/圈,且衰减不超过0.191dB/km，当光纤弯曲半径10.0mm时，光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.200dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km;当光纤弯曲半径在7.5mm时，光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.500dB/圈,且衰减不超过0.191dB/km，当光纤弯曲半径7.5mm时，光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过1.000dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km。本专利技术的低损耗弯曲不敏感光纤，包覆
涂层后的最大外直径能够保持在165um以下，并且在此基础上于常用特定波长下能够维持低宏弯损耗以及低衰减损耗，此外，本产品还能够通过对芯层1、第一包层2以及第二包层3折射率的控制确保其在使用过程中的性能始终稳定，在需要进行长时间弯曲作业的场合具有良好的应用前景。
实施例一
[0021]本实施例中光纤的直径为164.5um，进一步地，本实施例中芯层1厚度为6.63um，其基材为二氧化硅，掺杂锗元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：由内至外依次包括：芯层、第一包层、第二包层、第三包层、第一保护层以及第二保护层，所述光纤直径不超过165um，所述芯层、所述第一包层、所述第二包层及所述第三包层的基材均为二氧化硅，其中，所述芯层掺杂锗元素，所述第二包层掺杂以质量计为5%~6%的氟，所述第一保护层的杨氏模量小于50Mpa，所述第二保护层的杨氏模量小于1200Mpa，光线通过所述芯层的相对折射率差Δn1为0.445％~0.465%，光线通过所述第一包层的相对折射率差Δn2为
‑
0.1％~ 0.1%，光线通过所述第二包层的相对折射率差Δn3为
‑
0.53％~
‑
0.43%。2.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.03dB/圈,且衰减损耗不超过0.191dB/km，当所述光纤弯曲半径在15.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.100dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km。3.根据权利要求1所述的低损耗弯曲不敏感光纤，其特征在于：当所述光纤弯曲半径在10.0mm时，所述光纤在1550nm波长下的宏弯损耗不超过0.100dB/圈,且衰减损耗不超过0.191dB/km，当所述光纤弯曲半径10.0mm时，所述光纤在1625nm波长下的宏弯损耗不超过0.200dB/圈，且衰减损耗不超过0.201dB/km。4.根据权利要求1所述的低损耗弯...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐成，刘延辉，蒋锡华，眭立洪，罗詠淋，何炳，田佳，
申请(专利权)人：江苏永鼎精密光学材料有限公司，
类型：发明
国别省市：