一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及复合材料技术领域，具体公开了一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法，制备方法如下：(1)：将Sr

【技术实现步骤摘要】
一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及复合材料
，尤其涉及一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着信息技术的快速发展，传统材料越来越难以满足产品高频、高速、高容量、高热稳定性及其高频带宽等要求。而高介电常数微波电路板(9.0～20)有利于减小电路板的尺寸，被广泛用于天线、通讯系统、放大器和卫星导航等领域。传统印制电路板行业，主要使用玻纤布浸渍方法制备高频覆铜板，其介电常数范围小于3.45，难以使板材的介电常数得到提升。要得到高的介电常数(大于10)就要添加陶瓷粉末作为填料，以提高微波电路板的介电常数，以提高器件的高度集成和小型化。Rogers公司的AD1000产品其介电常数为10.2，但是其稳定性较差，介电常数温度系数达到
‑
380ppm/℃，该产品主要是玻纤布/PTFE，其余产品RO3010、RO3210、RT/durdid 6010.2LM也均为玻纤布/PTFE/陶瓷的复合材料，其介电常数温度系数同样较大，不能满足高热稳定的要求。
[0003]针对性能更优异的陶瓷填充碳氢树脂型微波电路板，能够将陶瓷含量添加至85～90％以上，并且使得板材综合性能较好。例如Rogers公司的TMM 13i产品就是陶瓷填充碳氢树脂型微波电路板，但是其介电常数温度系数为
‑
70ppm/℃。为了解决高介电常数、高热稳定性的要求，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]为解决
技术介绍
中提到的问题，本专利技术的目的在于提供一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料及其制备方法。
[0005]为了实现上述目标，本专利技术的技术方案为：
[0006]本专利技术提供一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料的制备方法，包括以下步骤：
[0007](1)：将Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末使用硅烷偶联剂进行表面改性处理，其中Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末粒质量分数为97％～99％，硅烷偶联剂质量分数为1％～3％；
[0008](2)：将步骤(1)中改性好的Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末与固化剂、碳氢树脂以及固化剂稀释溶剂进行球磨混料4h～6h得到浆料，其中碳氢树脂质量分数为10wt％～40wt％、改性好的Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末质量分数为80wt％～89wt％、固化剂质量分数为1wt％～5wt％、固化剂稀释溶剂添加量为Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末总量的70wt％；
[0009](3)：将步骤(2)得到的浆料进行真空脱泡后，经过流延成型制备出半固化片；
[0010](4)：将步骤(3)得到的半固化片双面覆铜后进行层压烧结，烧结温度为190～220℃，时间为3小时，全程保持6MPa面压，得到高介电常数温度稳定型复合介质基板材料。
[0011]进一步的，所述步骤(1)中的硅烷偶联剂为Z6124、Z6264、KH550、KH560中的一种或几种。
[0012]进一步的，所述步骤(2)中的固化剂为过氧化二叔丁基或过氧化二苯甲酰，固化剂稀释溶剂为甲苯、二甲苯、环己烷、醋酸丁酯中的一种或几种，碳氢树脂为聚丁二烯、苯乙烯
‑
丁二烯
‑
二乙烯基苯共聚物、聚异戊二烯中的一种或几种。
[0013]进一步的，所述步骤(2)中球磨转速为350r/min，用氧化铝球为球磨珠，球料比为5:1。
[0014]进一步的，所述步骤(3)中流延速度为0.3m/min，干燥温度为40～50℃。
[0015]本专利技术还提供一种采用上述方法制备的高介电常数温度稳定型复合介质基板材料。
[0016]本专利技术的有益效果为：利用本专利技术提供的方案，可以得到具有较高的介电常数、较低的介电常数温度系数且热稳定性高的复合介质基板材料，具体参数将在实施例中阐述。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。
[0018]实施例一：
[0019]一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料的制备方法，包括以下步骤：
[0020](1)、将Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末使用硅烷偶联剂进行表面改性处理，其中Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末粒质量分数为97％，硅烷偶联剂采用KH550、质量分数为3％；
[0021](2)、将步骤(1)中改性好的Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末与固化剂、碳氢树脂、固化剂稀释溶剂进行球磨混料6小时得到浆料，其中碳氢树脂采用聚丁二烯、质量分数为13wt％，Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末质量分数为85wt％，固化剂采用过氧化二叔丁基、质量分数为2％；固化剂稀释溶剂采用甲苯、添加量为Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末总量的70wt％，球磨时间为5h、转速为350r/min，用氧化铝球为球磨珠，球料比为5:1；
[0022](3)、将步骤(2)得到的浆料进行真空脱泡后，经过流延成型制备出半固化片，流延速度0.3m/min，干燥温度42℃；
[0023](4)、将步骤(3)中得到的半固化片双面覆铜后进行层压烧结，烧结温度为190℃，时间为3小时，全程保持6MPa面压，得到高介电常数温度稳定型复合介质基板材料。
[0024]实施例二：
[0025]与实施例一的不同之处在于，步骤(4)中的烧结温度为200℃。
[0026]实施例三：
[0027]与实施例一的不同之处在于，步骤(4)中的烧结温度为210℃。
[0028]实施例四：
[0029]与实施例一的不同之处在于，步骤(4)中的烧结温度为220℃。
[0030]不同烧结温度下制备的复合介质基板材料的性能如表1所示：
[0031][0032]表1
[0033]由表1可知，采用本专利技术提供的制备方法制得的复合介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高介电常数温度稳定型复合介质基板材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)：将Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末使用硅烷偶联剂进行表面改性处理，其中Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末粒质量分数为97％～99％，硅烷偶联剂质量分数为1％～3％；(2)：将步骤(1)中改性好的Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末与固化剂、碳氢树脂以及固化剂稀释溶剂进行球磨混料4h～6h得到浆料，其中碳氢树脂质量分数为10wt％～40wt％、改性好的Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末质量分数为80wt％～89wt％、固化剂质量分数为1wt％～5wt％、固化剂稀释溶剂添加量为Sr
3.85
Ca
0.15
Bi4Ti7O
24
陶瓷粉末总量的70wt％；(3)：将步骤(2)得到的浆料进行真空脱泡后，经过流延成...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖来远，杨俊，何创创，陈传庆，张秀，班秀峰，尚勇，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：