一种基于面部温控反馈射频深导仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于面部温控反馈射频深导仪，属于美容仪器技术领域，包括：主机和射频探头，所述主机与射频探头电连接，所述主机包括：MCU和射频驱动模块，所述MCU通过射频驱动模块与射频电极电连接，所述MCU与温度检测传感器电连接，所述射频驱动模块与射频电极之间设置有自主切断保护模块。本申请通过同时设置有电流检测模块和电压检测模块对射频电路上的电流和电压进行检测，并通过继电器K1与三极管Q1和三极管Q2的配合实现自主切断保护，无需MCU干预，进而提高了控制效率，有效对用户进行了保护。进行了保护。进行了保护。

【技术实现步骤摘要】
一种基于面部温控反馈射频深导仪


[0001]本技术属于美容仪器
，具体涉及一种基于面部温控反馈射频深导仪。

技术介绍

[0002]随着生活水平提高，人们对于生活质量的要求也越来越高，科学技术越来越多的应用的生活的方方面面。尤其是人们越来越重视皮肤的美观和质量。
[0003]射频深导仪是通过射频对人体眼部皱纹进行治疗进而减少皱纹的显化。
[0004]现有的射频深导仪当输出频率过大会对皮肤造成损坏，目前通过检测模块进行频率检测，然后进行调节，但当电流或电压出现瞬间过大时无法及时调整，仍会对人体造成损伤。

技术实现思路

[0005]本技术为了解决有的射频深导仪当输出频率过大会对皮肤造成损坏，目前通过检测模块进行频率检测，然后进行调节，但当电流或电压出现瞬间过大时无法及时调整，仍会对人体造成损伤的技术问题，进而提出了一种基于面部温控反馈射频深导仪。
[0006]本技术具体技术方案如下：一种基于面部温控反馈射频深导仪，包括：主机和射频探头，所述主机与射频探头电连接，所述主机包括：MCU和射频驱动模块，所述MCU通过射频驱动模块与射频电极电连接，所述MCU与温度检测传感器电连接，所述射频驱动模块与射频电极之间设置有自主切断保护模块；所述自主切断保护模块包括：射频线路、电流检测模块、电压检测模块、三极管Q1、三极管Q2和继电器K1，所述射频线路一端与射频驱动模块电连接，射频线路另一端与射频电极电连接，射频线路上设置有电阻R3和继电器K1，电流检测模块通过线路采集电阻R3两端的电压，电压检测模块通过线路采集电阻R3与射频电极之间的射频线路电压，电压检测模块的输出端与电流检测模块的输出端分别通过二极管D2和二极管D1与电阻R7一端电连接，电阻R7另一端与三极管Q2的基极电连接，三极管Q2的集电极通过R5与电源VCC电连接，三极管Q2的发射极与地GND电连接，三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极电连接，三极管Q1的集电极与继电器K1一端电连接，继电器K1的另一端与电源VCC电连接，三极管Q1的发射极与地GND电连接。
[0007]进一步，所述电流检测模块包括：比较器U1B、电阻R1和电阻R2，所述比较器U1B的正端通过电阻R1与地GND电连接，比较器U1B的正端与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端通过线路连接在电阻R3与射频电极之间的射频线路上，比较器U1B的负端通过线路连接在电阻R3与射频驱动模块之间的射频线路上，比较器U1B的输出端与二极管D1的正极电连接。
[0008]进一步，所述电压检测模块包括：比较器U1A、电阻R4、电阻R6和电阻R8，所述比较器U1A的正端与电阻R4一端相连，电阻R4另一端通过线路连接在R3与射频电极之间的射频线路上，比较器U1A的负端通过电阻R6与电源VCC电连接，比较器U1A的负端通过电阻R8与地GND电连接，比较器U1A的输出端与二极管D2的正极电连接。
[0009]进一步，还包括有发光二极管LED1和电阻R9，所述发光二极管LED1的负极通过电阻R9与三极管Q2的基极电连接，发光二极管LED1的正极与三极管Q1的集电极电连接。
[0010]进一步，所述二极管D3两端并联在继电器K1两端。
[0011]进一步，还包括：灯光提示模块，所述射频探头上设置有用于发出不同颜色光的灯光提示模块，灯光提示模块与MCU电连接。
[0012]进一步，多个所述射频电极呈圆周阵列布置在射频探头上。
[0013]进一步，多个所述温度检测传感器呈圆周阵列布置在射频探头。
[0014]进一步，所述主机和射频探头上均设置有射频调节键，射频调节键与MCU电连接。
[0015]进一步，所述主机还包括有用于存储历史温度信息以及历史射频频率信息的存储模块，所述存储模块与MCU电连接。
[0016]有益效果：
[0017]本申请通过同时设置有电流检测模块和电压检测模块对射频电路上的电流和电压进行检测，并通过继电器K1与三极管Q1和三极管Q2的配合实现自主切断保护，无需MCU干预，进而提高了控制效率，有效对用户进行了保护。
[0018]本申请通过电流检测模块检测到射频线路电流过大时，电流检测模块的输出端通过二极管D1输出高电平，通过限流电阻R7使三极管Q2导通，进而将三极管Q1的基极的电压拉低，进而使得三极管Q1截止，进而使得继电器K1失电，继电器K1触电断开，射频线路为断路，进而实现保护。
[0019]本申请通过电压检测模块检测到射频线路电压过大时，电压检测模块的输出端通过二极管D2输出高电平，通过限流电阻R7使三极管Q2导通，进而将三极管Q1的基极的电压拉低，进而使得三极管Q1截止，进而使得继电器K1失电，继电器K1触电断开，射频线路为断路，进而实现保护。
附图说明
[0020]图1为本技术主机与射频探头连接关系示意图；
[0021]图2为本技术的结构框图；
[0022]图3为本技术自主切断保护模块的电路图；
[0023]图中标记说明：
[0024]主机1，射频探头2。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“中”、“外”、“内”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0027]实施例1：结合附图1至附图3进行说明，一种基于面部温控反馈射频深导仪，包括：
主机1和射频探头2，所述主机1与射频探头2电连接，所述主机1包括：MCU和射频驱动模块，所述MCU通过射频驱动模块与射频电极电连接，所述MCU与温度检测传感器电连接，其特征在于，所述射频驱动模块与射频电极之间设置有自主切断保护模块；所述自主切断保护模块包括：射频线路、电流检测模块、电压检测模块、三极管Q1、三极管Q2和继电器K1，所述射频线路一端与射频驱动模块电连接，射频线路另一端与射频电极电连接，射频线路上设置有电阻R3和继电器K1，电流检测模块通过线路采集电阻R3两端的电压，电压检测模块通过线路采集电阻R3与射频电极之间的射频线路电压，电压检测模块的输出端与电流检测模块的输出端分别通过二极管D2和二极管D1与电阻R7一端电连接，电阻R7另一端与三极管Q2的基极电连接，三极管Q2的集电极通过R5与电源VCC电连接，三极管Q2的发射极与地GND电连接，三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极电连接，三极管Q1的集电极与继电器K1一端电连接，继电器K1的另一端与电源VCC电连接，三极管Q1的发射极与地GN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于面部温控反馈射频深导仪，包括：主机和射频探头，所述主机与射频探头电连接，所述主机包括：MCU和射频驱动模块，所述MCU通过射频驱动模块与射频电极电连接，所述MCU与温度检测传感器电连接，其特征在于，所述射频驱动模块与射频电极之间设置有自主切断保护模块；所述自主切断保护模块包括：射频线路、电流检测模块、电压检测模块、三极管Q1、三极管Q2和继电器K1，所述射频线路一端与射频驱动模块电连接，射频线路另一端与射频电极电连接，射频线路上设置有电阻R3和继电器K1，电流检测模块通过线路采集电阻R3两端的电压，电压检测模块通过线路采集电阻R3与射频电极之间的射频线路电压，电压检测模块的输出端与电流检测模块的输出端分别通过二极管D2和二极管D1与电阻R7一端电连接，电阻R7另一端与三极管Q2的基极电连接，三极管Q2的集电极通过R5与电源VCC电连接，三极管Q2的发射极与地GND电连接，三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极电连接，三极管Q1的集电极与继电器K1一端电连接，继电器K1的另一端与电源VCC电连接，三极管Q1的发射极与地GND电连接。2.根据权利要求1所述的一种基于面部温控反馈射频深导仪，其特征在于，所述电流检测模块包括：比较器U1B、电阻R1和电阻R2，所述比较器U1B的正端通过电阻R1与地GND电连接，比较器U1B的正端与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端通过线路连接在电阻R3与射频电极之间的射频线路上，比较器U1B的负端通过线路连接在电阻R3与射频驱动模块之间的射频线路上，比较器U1B的输出端与二极管D1的正极电连接。3.根据权利要求2所述的一种基于面部...

【专利技术属性】
技术研发人员：高东兰，唐仁，
申请(专利权)人：高东兰，
类型：新型
国别省市：