一种晶圆加工检测系统及方法技术方案

本发明专利技术涉及晶圆加工技术领域，涉及一种晶圆加工检测系统及方法。本发明专利技术通过第一相机单元识别检测点并获得该陶瓷吸盘单元的表面高度信息，第二相机单元识别晶圆获得其表面高度信息，根据陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息得到晶圆厚度用以调整激光开槽加工参数，实现晶圆加工参数的快速调节，消除陶瓷吸盘定位差异因素，满足晶圆加工对准精度要求；本发明专利技术减少了陶瓷吸盘定位晶圆加工结果的干扰，减少或避免晶圆开槽加工失败的发生概率，从而提高晶圆加工效率。从而提高晶圆加工效率。从而提高晶圆加工效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工检测系统及方法


[0001]本专利技术涉及晶圆加工
，涉及一种晶圆加工检测系统及方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的快速发展，国内半导体行业近两年发展势头也越来越火热。半导体行业离不开晶圆，晶圆是制作芯片的基础，晶圆的厚度尺寸对晶圆的应力和性能有很大影响，4寸晶圆一般厚度为0.520mm,6寸晶圆厚度一般为0.670mm,12寸薄晶圆的尺寸0.06mm。尺寸精度需要保证在微米级的精度控制。因此，快速精准的对晶圆进行厚度检测对半导体厂商而言是非常重要的。
[0003]在现有技术中，由于装载晶圆的多孔陶瓷吸盘的孔比真空吸盘的孔更密实，表面不光滑，在晶圆加工前，使得相机无法检测到最清晰的焦点来确认激光加工参数，同时多孔陶瓷吸盘有添加防静电粉末，颜色是深色，会进一步影响视觉相机对晶圆的测量，若是采用人工检测，由于晶圆对环境要求比较高，人工的干预会给晶圆带来很大的污染风险。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是提供一种实现晶圆加工参数的快速调节，减少了陶瓷吸盘定位晶圆加工结果的干扰，提高晶圆加工效率的晶圆加工检测系统及方法。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0006]一种晶圆加工检测系统，包括：
[0007]陶瓷吸盘单元，其上均匀设置有多个吸气孔用于对晶圆进行吸附固定；
[0008]定位单元，设置于所述陶瓷吸盘单元上，所述定位单元用于标定陶瓷吸盘的检测点；
[0009]第一相机单元，设置于所述陶瓷吸盘上方，所述第一相机单元用于识别定位单元形成的检测点并获得该陶瓷吸盘单元的表面高度信息；
[0010]移动单元，与所述陶瓷吸盘单元驱动连接，所述移动单元用于带动陶瓷吸盘单元移动至相机单元的正下方；
[0011]第二相机单元，设置于所述陶瓷吸盘单元上方，所述第二相机单元用于识别晶圆的表面高度信息；
[0012]控制单元，用于接收陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息，并根据陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息得到晶圆厚度用以调整激光开槽加工参数。
[0013]进一步地，所述定位单元包括定位镶块，所述陶瓷吸盘单元上设置有与所述定位镶块相匹配的检测孔，所述定位镶块嵌设在所述检测孔内，所述定位镶块上设置有光滑的检测平面，所述第一相机单元用于拍摄所述检测平面获得该陶瓷吸盘单元的表面高度。
[0014]进一步地，所述定位镶块为金属或者非金属材料制成，且所述检测平面与所述陶瓷吸盘单元的表面在同一平面上。
[0015]进一步地，所述第一相机单元和第二相机单元结构相同，所述第一相机单元包括视觉相机，所述视觉相机为高倍相机，且所述视觉相机上设置有浅焦深的相机镜头。
[0016]进一步地，还包括升降单元，所述升降单元与所述第一相机单元连接，所述第一相机单元在对陶瓷吸盘单元上的检测点进行拍摄的同时所述升降单元带动相机单元朝向陶瓷吸盘单元方向移动，用以获得该检测点的清晰图像以及对应的第一相机单元的高度信息。
[0017]进一步地，所述第二相机单元设置于所述升降单元上，所述升降单元将第二相机单元移动至第一相机单元的相同位置，所述第二相机单元在对陶瓷吸盘单元上的晶圆进行拍摄的同时朝向晶圆方向移动，用以获得晶圆的清晰图像以及对应的第二相机单元的高度信息。
[0018]进一步地，所述激光开槽加工参数包括加工焦距、激光功率、开槽宽度中一个或者多个。
[0019]本专利技术还包括一种晶圆加工检测方法，包括以下步骤：
[0020]将陶瓷吸盘移动至检测区域，通过成像设备拍摄陶瓷吸盘上的检测点，获得该检测点的检测坐标数据；
[0021]将晶圆放置在陶瓷吸盘上，再次通过成像设备拍摄检测区域的晶圆，形获得该晶圆的晶圆坐标数据，根据检测坐标数据和晶圆坐标数据得到晶圆厚度用以实时调整激光开槽加工参数。
[0022]进一步地，所述成像设备在对陶瓷吸盘上的检测点进行拍摄的同时朝向陶瓷吸盘方向移动，所述成像设备的移动方向垂直于所述陶瓷吸盘的表面，成像设备在获得检测点的清晰图像时记录成像设备在该移动方向上的高度坐标数据。
[0023]进一步地，所述成像设备为视觉相机，所述视觉相机为高倍相机，且所述视觉相机上设置有浅焦深的相机镜头。
[0024]本专利技术的有益效果：
[0025]本专利技术通过第一相机单元识别检测点并获得该陶瓷吸盘单元的表面高度信息，第二相机单元识别晶圆获得其表面高度信息，根据陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息得到晶圆厚度用以调整激光开槽加工参数，实现晶圆加工参数的快速调节，消除陶瓷吸盘定位差异因素，满足晶圆加工对准精度要求；本专利技术减少了陶瓷吸盘定位晶圆加工结果的干扰，减少或避免晶圆开槽加工失败的发生概率，从而提高晶圆加工效率。
附图说明
[0026]图1是本专利技术的一种晶圆加工检测系统示意图。
[0027]图中标号说明：1、第一相机单元；2、陶瓷吸盘单元；3、移动单元；4、定位镶块；5、晶圆；6、升降单元。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。
[0029]参照图1所示，一种晶圆加工检测系统，包括：
[0030]陶瓷吸盘单元，其上均匀设置有多个吸气孔用于对晶圆进行吸附固定；
[0031]定位单元，设置于所述陶瓷吸盘单元上，所述定位单元用于标定陶瓷吸盘的检测点；
[0032]第一相机单元，设置于所述陶瓷吸盘上方，所述第一相机单元用于识别定位单元形成的检测点并获得该陶瓷吸盘单元的表面高度信息；
[0033]移动单元，与所述陶瓷吸盘单元驱动连接，所述移动单元用于带动陶瓷吸盘单元移动至相机单元的正下方；
[0034]第二相机单元，设置于所述陶瓷吸盘单元上方，所述第二相机单元用于识别晶圆的表面高度信息；
[0035]控制单元，用于接收陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息，并根据陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息得到晶圆厚度用以调整激光开槽加工参数。
[0036]本专利技术通过第一相机单元识别检测点并获得该陶瓷吸盘单元的表面高度信息，第二相机单元识别晶圆获得其表面高度信息，根据陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息得到晶圆厚度用以调整激光开槽加工参数，实现晶圆加工参数的快速调节，消除陶瓷吸盘定位差异因素，满足晶圆加工对准精度要求；本专利技术减少了陶瓷吸盘定位晶圆加工结果的干扰，减少或避免晶圆开槽加工失败的发生概率，从而提高晶圆加工效率。
[0037]本专利技术能够避免因陶瓷吸盘运动带来的位置变化，检测无需人工介入，并能提高检测速度，有效节省人工成本。
[0038]进一步地，所述定位单元包括定位镶块，所述陶瓷吸盘单元上设置有与所述定位镶块相匹配的检测孔，所述定位镶块嵌设在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工检测系统，其特征在于，包括：陶瓷吸盘单元，其上均匀设置有多个吸气孔用于对晶圆进行吸附固定；定位单元，设置于所述陶瓷吸盘单元上，所述定位单元用于标定陶瓷吸盘的检测点；第一相机单元，设置于所述陶瓷吸盘上方，所述第一相机单元用于识别定位单元形成的检测点并获得该陶瓷吸盘单元的表面高度信息；移动单元，与所述陶瓷吸盘单元驱动连接，所述移动单元用于带动陶瓷吸盘单元移动至相机单元的正下方；第二相机单元，设置于所述陶瓷吸盘单元上方，所述第二相机单元用于识别晶圆的表面高度信息；控制单元，用于接收陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息，并根据陶瓷吸盘单元的表面高度信息和晶圆的表面高度信息得到晶圆厚度用以调整激光开槽加工参数。2.如权利要求1所述的晶圆加工检测系统，其特征在于，所述定位单元包括定位镶块，所述陶瓷吸盘单元上设置有与所述定位镶块相匹配的检测孔，所述定位镶块嵌设在所述检测孔内，所述定位镶块上设置有光滑的检测平面，所述第一相机单元用于拍摄所述检测平面获得该陶瓷吸盘单元的表面高度。3.如权利要求2所述的晶圆加工检测系统，其特征在于，所述定位镶块为金属或者非金属材料制成，且所述检测平面与所述陶瓷吸盘单元的表面在同一平面上。4.如权利要求1所述的晶圆加工检测系统，其特征在于，所述第一相机单元和第二相机单元结构相同，所述第一相机单元包括视觉相机，所述视觉相机为高倍相机，且所述视觉相机上设置有浅焦深的相机镜头。5.如权利要求1所述的晶圆加工检测系统，其特征在于，还包括升降单元，所述升降...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙丰，张志钢，
申请(专利权)人：苏州赛腾精密电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：