【技术实现步骤摘要】
一种电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法及系统
[0001]本专利技术属于参数优化
，涉及一种电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法及系统。
技术介绍
[0002]中子物理是核物理、核能源、核技术的基础，性能优越的中子源是开展相关研究工作的前提。目前中子源主要有以下三种：放射性同位素中子源、裂变反应堆中子源、加速器白光中子源。其中电子加速器驱动的白光中子源是利用高能电子轰击高原子序数的金属靶，通过韧致辐射过程产生高能γ射线，部分γ射线进一步和靶原子核作用，发生(γ,n)光致核反应产生所需要的中子。
[0003]这类中子源不使用时可以关闭，可控性和安全性高；中子源各个方向均可以获得高质量的中子，可以在中子源的不同方向上同时开展测量实验；可以通过调节加速器功率调整中子产额，满足不同试验需求；产生的中子质量高：能谱范围宽，注量率高。广泛应用于核数据测量、中子辐射效应、中子成像、核素成分分析和探测器标定等多个领域。
[0004]靶的材料、结构及几何尺寸等参数对中子源的性能都有至关重要的影响，靶的设计也是中子源...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法，其特征在于，包括：确定待优化的参数；在电子
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中子转换靶模型中，以待优化参数为变量，以中子源的中子产额最大化为优化目标，采用遗传算法对待优化参数进行优化，得到优化后的电子加速器中子源靶的结构参数。2.根据权利要求1所述电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法，其特征在于，还包括：建立电子
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中子转换靶模型；确定探测器的类型；选取Pb球壳作为γ屏蔽层；确定发生的物理过程。3.根据权利要求1所述电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法，其特征在于，所述建立电子
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中子转换靶模型的具体过程为：根据电子加速器出射电子的能量、出射位置、出射角度及粒子数，建立电子加速器模型；根据初级靶及次级靶的几何参数，基于电子加速器模型，建立电子
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中子转换靶模型，其中，设定转换靶的几何结构为圆柱体。4.根据权利要求1所述电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法，其特征在于，所述待优化参数包括但不限于靶的几何位置、初级靶的半径及厚度、次级靶的半径及厚度和屏蔽层厚度。5.根据权利要求1所述电子加速器中子源靶结构参数优化设计方法，其特征在于，以中子产额最大化为优化目标的适应度函数为：其中，为目标能量中子的通量，为目标...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡华四，冯乐源，胡光，燕奕宏，孙伟强，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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