二氧化碳缓冲硅片打孔装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置和后级泵分别连接于真空腔室，二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器进入混合器，三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器进入混合器，二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器中进行混合，混合气体依次通过减压阀和喷头进入真空腔室，然后经过掩蔽板的掩蔽和束流汇聚调节，对硅片架上的硅片进行打孔。本发明专利技术设备简单、刻蚀速率快、侧壁光滑度好、选择比大，实现了对硅片的打孔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺中硅片刻蚀
，尤其涉及一种二氧化碳缓冲硅片打 孔装置。
技术介绍
在MEMS制造工艺中，硅的深刻蚀加工是常用的工艺。传统的干法刻蚀技术为等离 子体刻蚀，比如RIE，ICP。刻蚀作用是通过化学和物理作用实现的。等离子体化学刻蚀是各 向同性的，所以线宽控制比较差。物理刻蚀虽然是各向异性的，刻蚀速率也较快，但是选择 比差，而且被轰击去除的元素是非挥发性的，容易沉积到硅片表面，引起颗粒污染。此外，由 非均勻等离子体产生的电荷可引起硅片上敏感器件的失效。等离子体刻蚀设备价格昂贵， 刻蚀选择比差，侧壁光滑度不高，容易带来器件损伤，不适合用于下一代半导体硅刻蚀。利用三氟化氯气体对硅进行深刻蚀加工，是在无等离子体环境下实现的。通过控 制气体压力和背景压力差，气体流量，缓冲剂(二氧化碳)，来调节刻蚀速率。这种刻蚀系 统刻蚀速率快，可以达到40 μ m/min,比STS公司的Pegasus离子反应式深硅刻蚀机25 μ m/ min的刻蚀速率更快。对材料的刻蚀选择比高，其中对光刻胶和硅的刻蚀选择比可以达到 2000 1。侧壁光滑度高，不会出现Bosch工艺中的锯齿状侧壁。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，其特征在于，该装置包括二氧化碳流量控制器（１）、三氟化氯流量控制器（２）、混合器（３）、减压阀（４）、压力表（５）、真空泵（６）、真空腔室（７）、真空腔压力表（８）、喷头（９）、掩蔽板（１０）、硅片架（１１）、真空腔温度控制装置（１２）、后级泵（１３）和尾气处理装置（１４），其中：减压阀（４）、真空泵（６）、真空腔压力表（８）、真空腔温度控制装置（１２）和后级泵（１３）分别连接于真空腔室（７），二氧化碳气体通过二氧化碳流量控制器（１）进入混合器（３），三氟化氯气体通过三氟化氯流量控制器（２）进入混合器（３），二氧化碳气体和三氟化氯气体在混合器（３）中进行混合，混合...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：景玉鹏，惠瑜，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]