【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁组成物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年2月23日提交的美国临时申请编号63/152,486于2020年8月27日提交的美国临时申请编号63/070,886的优先权,其全部内容在此通过引用并入。
[0003]本公开涉及用于半导体基板的清洁组成物及清洁半导体基板的方法。更具体地,本公开涉及在蚀刻沉积于基板上的金属层或介电材料层之后用于半导体基板的清洁组成物及在主体抗蚀剂移除之后移除留在基板上的残余物。
技术介绍
[0004]在集成电路装置的制造中,光阻剂用作中间掩膜,通过一系列光刻及蚀刻(例如等离子体蚀刻)步骤,将光罩的原始掩膜图案转印至晶圆基板上。集成电路装置制程中的基本步骤之一为将晶圆基板上图案化的光阻膜移除。一般而言,此步骤可通过二种方法中的一者进行。
[0005]一种方法涉及湿法剥离步骤,在该步骤中,使覆盖光阻剂的基板与主要由有机溶剂及胺组成的光阻剥离剂溶液接触。然而,此类剥离剂溶液通常无法完全且可靠地移除光阻膜,尤其是在光阻膜已在制造期间已经被暴露于UV辐射及等离子处理的情况下。一些光阻膜通过此类处理变得高度交联且更难以溶解于剥离剂溶液中。另外,这些已知的湿法剥离方法中使用的化学品有时对于移除在使用含卤素气体对金属或氧化物层进行等离子蚀刻期间形成的无机或有机金属残余材料为无效的。
[0006]另一种移除光阻膜的方法涉及使涂布光阻剂的晶圆暴露于基于氧的等离子体,以便在称为等离子体灰化的过程中自基板燃烧光阻膜。然而,等离子体灰化对于移除上述等离 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种清洁组成物,包含:1)至少一种氧化还原剂;2)至少一种螯合剂,所述螯合剂为聚氨基多羧酸;3)至少一种腐蚀抑制剂,所述腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑;4)至少一种磺酸;及5)水。2.如权利要求1所述的组成物,其中,所述至少一种氧化还原剂包含羟胺。3.如权利要求1所述的组成物,其中,所述至少一种氧化还原剂为所述组成物的约0.1重量%至约5重量%。4.如权利要求1所述的组成物,其中,所述聚氨基多羧酸是选自由以下组成的群:单
‑
或聚亚烷基聚氨基多羧酸、聚氨基烷烃多羧酸、聚氨基烷醇多羧酸,及羟烷基醚聚氨基多羧酸。5.如权利要求4所述的组成物,其中,所述聚氨基多羧酸为二亚乙基三胺五乙酸。6.如权利要求1所述的组成物,其中,所述聚氨基多羧酸为所述组成物的约0.01重量%至约0.5重量%。7.如权利要求1所述的组成物,其中,所述至少一种腐蚀抑制剂包含经至少一个选自由以下组成的群的取代基取代的苯并三唑:烷基、芳基、卤基、氨基、硝基、烷氧基,及羟基。8.如权利要求7所述的组成物,其中,所述至少一种腐蚀抑制剂包含5
‑
甲基
‑
1H
‑
苯并三唑。9.如权利要求1所述的组成物,其中,所述至少一种腐蚀抑制剂为所述组成物的约0.05重量%至约1重量%。10.如权利要求1所述的组成物,其中,所述至少一种磺酸包含式(I)的磺酸:R
‑
SO3H(I),其中R是C1‑
C
12
烷基、C1‑
C
12
环烷基或芳基,其中所述烷基、环烷基或芳基可选地经至少一个选自由以下组成的群的取代基取代:卤基、OH、NH2、NO2、COOH、C1‑
C
12
环烷基、可选地经卤基取代的C1‑
C
12
烷氧基,及可选地经OH取代的芳基。11.如权利要求10所述的组成物,其中,所述至少一种磺酸包含甲磺酸。12.如权利要求1所述的组成物,其中,所述至少一种磺酸为所述组成物的约1重量%至约10重量%。13.如权利要求1所述的组成物,进一步包含:至少一种pH调节剂,所述pH调节剂为不含金属离子的碱。14.如权利要求13所述的组成物,其中,所述至少一种pH调节剂包含环胺或烷醇胺。15.如权利要求13所述的组成物,其中,所述至少一种pH调节剂包含1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯或单乙醇胺。16.如权利要求13所述的组成物,其中,所述至少一种pH调节剂为所述组成物的约0.1重量%至约3重量%。17.如权利要求1所述的组成物,其中,所述水为所述组成物的约55重量%至约98重量%。18.如权利要求1所述的组成物,进一步包含:
至少一种选自由以下组成的群的有机溶剂:水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯,及水溶性醚。19.如权利要求18所述的组成物,其中,所述至少一种有机溶剂包含乙二醇丁基醚。20.如权利要求18所述的组成物,其中,所述至少一种有机溶剂为所述组成物的约0.1重量%至约40重量%。21.如权利要求1所述的组成物,其中,所述组成物的pH为约4至约7。22.如权利要求1所述的组成物,其中,所述组成物包含:羟胺、二亚乙基三胺五乙酸、5
‑
甲基
‑
1H
‑
苯并三唑、1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯、甲磺酸及水。23.如权利要求22所述的组成物,其中,所述组成物包含:羟胺,其量为所述组成物的约0.1重量%至约5重量%;二亚乙基三胺五乙酸,其量为所述组成物的约0.01重量%至约0.5重量%;5
‑
甲基
‑
1H
‑
苯并三唑,其量为所述组成物的约0.05重量%至约1重量%;甲磺酸,其量为所述组成物的约1重量%至约10重量%;1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯,其量为所述组成物的约0.1重量%至约3重量%;及水,其量为所述组成物的约75重量%至约98重量%;其中所述组成物的pH为约4至约7。24.如权利要求23所述的组成物,其中,所述组成物包含:羟胺,其量为所述组成物所述的约0.5重量%至约2重量%;二亚乙基三胺五乙酸,其量为所述组成物的约0.1重量%至约0.5重量%;5
‑
甲基
‑
1H
‑
苯并三唑,其量为所述组成物的约0.1重量%至约0.5重量%;甲磺酸,其量为所述组成物的约2重量%至约5重量%;1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯,其量为所述组成物的约0.5重量%至约2重量%;及水,其量为所述组成物的约85重量%至约95重量%;其中所述组成物的pH为约4.5至约6。25.如权利要求22所述的组成物,进一步包含:乙二醇丁基醚。26.如权利要求25所述的组成物,其中所述组成物包含:羟胺,其量为所述组成物的约0.1重量%至约5重量%;二亚乙基三胺五乙酸,其量为所述组成物的约0.01重量%至约0.5重量%;5
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甲基
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1H
‑
苯并三唑,其量为所述组成物的约0.05重量%至约1重量%;甲磺酸,其量为所述组成物的约1重量%至约10重量%;1,8
‑
二氮杂双环[5.4.0]十一碳
‑7‑
烯,其量为所述组成物的约0.1重量%至约3重量%;乙二醇丁基醚,其量为所述组成物的约0.5重量%至约10重量%;及水,其量为所述组成物的约75重量%至约98重量%;其中所述组成物的pH为约4至约7。27.如权利要求26所述的组成物,其中,所述组成物包含:羟胺,其量为所述组成物的约0.5重量%至约2重量%;
二亚乙基三胺五乙酸,其量为所述组成...
【专利技术属性】
技术研发人员:E,
申请(专利权)人:富士胶片电子材料美国有限公司,
类型:发明
国别省市:
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