无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。其技术方案为：其结构式为A

【技术实现步骤摘要】
无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于发光材料
，具体涉及一种无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，能源与环保问题成为影响人类社会可持续发展的重大议题，光源对于总能量的消耗占据了很大比例，LED (light emitting diode)是一种新一代的固体光源，相较于传统的白炽灯、荧光灯和气体放电灯等，以其能耗低、寿命长及体积小等优点迅速占领市场，在照明、显示、传感和诊疗等领域显示出巨大的应用前景。特别是随着mini
‑
LED和micro
‑
LED概念的提出和技术的发展，便携式、微型化的固体光源将会给人类生活带来新的革命，与之而来的一些功能性LED逐渐成为研究热点，近红外LED就是其中一类。
[0003]近红外光(700
‑
1700 nm)具有良好的穿透性、组织响应性、抗干扰能力强等优点，在生物成像、生物传感、夜视监测、遥感探测、光谱学等方面逐渐受到广泛的关注。特别是近年来体外无损成像，可穿戴生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料，其特征在于，其结构式为A
1(x)
A
2(1
‑
x)
B
1(y)
B
2(1
‑
y)
O3，其中，0.8≤x≤1，0.8≤y≤1，A1或A2为Ca、Sr、Ba、Zn、Mg和Ni中的一种或多种；B1或B2为Si、Ge、Sn、和Pd中的一种或多种。2.如权利要求1所述的无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料，其特征在于，A1或A2的原料选自碳酸钙、硝酸钙、醋酸钙、碳酸钡、硝酸钡、碳酸锶、硝酸锶、氧化锌、醋酸锌、氧化镁和氧化镍中的一种或多种，B1或B2的原料选自氧化锡、氯化锡、氧化锗、二氧化硅、硅酸和氧化铅中的一种或多种。3.如权利要求2所述的无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）按照A
1(x)
A
2(1
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：丁鑫，
申请(专利权)人：青岛大学，
类型：发明
国别省市：