一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法技术

本发明专利技术提供了一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，属于光伏技术领域；所述选择性发射极中采用耐腐蚀接触材料来制备选择性发射极的掩膜，使得重掺区和接触区的宽度一致，能够解决现有SE技术的重掺复合缺陷；所述选择性发射极的制备方法简单，不受扩散类型影响，适用于不同结构的电池。适用于不同结构的电池。

【技术实现步骤摘要】
一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法


[0001]本专利技术属于光伏
，具体为一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法

技术介绍

[0002]目前，降本和提效是光伏制造的两大主线。晶体硅太阳能电池占据了光伏电池的主要市场，无论最新的TOPCon技术还是目前主流PERC电池技术，平衡发射区接触电阻、发射极复合与金属复合都是提效的关键所在。SE（选择性发射极）是当下的主流选择，该技术主要在电池表面形成选择性的PN结，即针对金属接触区域采用可满足接触电阻与金属复合的重掺扩散，而对于剩余区域采用低发射极复合的轻掺扩散从而实现同时降低接触电阻、发射极复合与金属复合的目标。
[0003]现有技术中所采用的SE技术主要为激光直掺法，但是存在以下缺点：（1）为满足后续金属化对位需求，重掺区宽度往往为栅线宽度的3~5倍，而无浆料覆盖的重掺区对于电池的开压与电流均存在不利影响；（2）激光推结不可避免导致形貌损伤，激光导致的重掺区域的形貌缺陷与损伤缺陷会影响电池钝化与陷光效果进而导致电池开压与电流下降。因此，需要开发一种新的选择性发射极制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述方法包括：S1、沉积：对制绒后的硅片进行重扩，然后在重扩后的硅片上沉积图形化的耐腐蚀接触材料层，使得耐腐蚀接触材料层形成电池栅线区域，得到沉积后的硅片；S2、反刻：对沉积后的硅片进行反向刻蚀，反向刻蚀结束后得到反刻的硅片，其中沉积了耐腐蚀接触材料层的区域为重掺区，耐腐蚀接触材料层沉积区以外的区域反刻形成轻掺区，得到所述采用接触浆料为掩膜的选择性发射极。2.如权利要求1所述的采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述重扩包括硼扩或磷扩。3. 如权利要求1所述的采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述重扩后的硅片正面方阻为50~100 ohm/
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。4.如权利要求1所述的采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述耐腐蚀接触材料层为耐腐蚀可接触导电材料。5.如权利要求4所述的采用接触浆料为掩膜的选择性发射极制备方法，其特征在于，所述耐腐蚀可接触导电材料包括石墨烯、Ag、Cu、Au元素中的一种或多种的组合。6.如权利要求1所述的采用接触浆料为掩膜的选择性发...

【专利技术属性】
技术研发人员：任常瑞，符黎明，董建文，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：