一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法技术

本发明专利技术公开了一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法，涉及纳米真空二极管的空间电荷限制电流计算方法，针对现有技术中计算仅限于经典模型的问题提出本方案。基于量子效应通过薛定谔方程和泊松方程计算间隙电势，利用自洽的数值计算得到纳米真空二极管的电流密度。其优点在于，利用薛定谔方程和泊松方程以及量子场发射等理论计算纳米真空二极管的电子电流。通过自洽数值计算，解析不同状态下的电子电流密度，适用于多种电流场合。适用于多种电流场合。适用于多种电流场合。

【技术实现步骤摘要】
一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法


[0001]本专利技术涉及纳米真空二极管的空间电荷限制电流计算方法，尤其涉及一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法。

技术介绍

[0002]纳米材料以及一些新型的纳米器件正在快速发展，纳米结构已经成为了市场和社会的新需求，其中最为显著的就是半导体器件。对于真空而言，它是一种相对固体更优秀的传输介质，因为电子在真空传输中，不用受到光子和声子的散射，从而减少了能量损耗和提高了传输速率，而且不会导致信号质量和物理设备的局部加热和退化。实际上，纳米真空沟道晶体管(NVCT)中的传输介质就是真空。所以，纳米真空二极管的研究将会变得十分重要，电子在纳米结构中的一些效应，以及在不同施加直流电压下的电流变化等等。
[0003]现有技术的缺陷和不足：对于纳米真空二极管，不同于传统经典真空二极管，经典结构里的电流计算方法，以及电子电流密度与施加的直流电压和间隙宽度之间的指数关系都将会发生改变。那么，就需要分析和考虑一种新的计算方法。
[0004]纳米真空二极管的结构如图1所示，电子通过场发射的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法，其特征在于，基于量子效应通过薛定谔方程和泊松方程计算间隙电势，利用自洽的数值计算得到纳米真空二极管的电流密度。2.根据权利要求1所述一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法，其特征在于，设置一个初始的电流密度J，带入泊松方程和薛定谔方程得到间隙电势，将间隙电势带入FN方程得到场发射电流密度J0，比较初始的电流密度J与电流密度J0是否满足预设精度；若满足则判定电流密度J0为所求的自洽解，若不满足则修正电流密度J再...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱映彬，李成，
申请(专利权)人：南京客莱沃智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：