一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法，属于光伏材料及器件领域。所述方法包括以下步骤：在基底上沉积传输层或缓冲层；制备CuInS2反应前驱物溶液，将所述CuInS2反应前驱物溶液涂布在所述传输层或缓冲层上，干燥后形成前驱物薄膜；将硒粉或硒化氢与所述前驱物薄膜在惰性气体保护下加热进行反应；获得结晶性CuIn(S,Se)2薄膜材料。薄膜材料。薄膜材料。

【技术实现步骤摘要】
一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏材料及器件领域，具体涉及一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法。

技术介绍

[0002]CIS(CuInSe2、CuInS2)是直接带隙半导体材料，具有较窄的带隙(1.30
‑
1.50eV)，与太阳电池吸收材料的最佳禁带宽度(1.45eV)较接近，且具有较高的吸光系数(104cm1)和热稳定性，已经成为重要的薄膜太阳能电池光吸收材料。此外，CIS通过硒硫互掺杂可成为CuIn(S,Se)2，其禁带宽度可在1.04～1.7eV范围内调整，同时材料电子性能亦可调控，这就为进一步优化太阳能电池的效率提供了有效途径。目前，高效率的CIS太阳能电池主要基于高温、高真空技术，成本高且易造成组分偏离，严重制约低成本、大面积CIS薄膜太阳能电池的应用。采用溶液法加工制备CIS吸收层材料被认为是一种有效降低成本的途径。
[0003]在现有技术中，文献《12％ Efficiency CuIn(Se,S)2Photovoltaic Device 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底上沉积传输层或缓冲层；制备CuInS2反应前驱物溶液，将所述CuInS2反应前驱物溶液涂布在所述传输层或缓冲层上，干燥后形成前驱物薄膜；将硒粉或硒化氢与所述前驱物薄膜在惰性气体保护下加热，所述前驱物薄膜结晶并与受热升华的气态硒或硒化氢进行硒化反应；获得结晶性CuIn(S,Se)2薄膜材料。2.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的制备CuInS2反应前驱物溶液包括以下步骤：InCl3·
4H2O溶于N,N
‑
二甲基甲酰胺中搅拌，加入CuI，继续搅拌，再加入硫脲，搅拌得到所述CuInS2反应前驱物溶液。3.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的将硒粉或硒化氢与所述前驱物薄膜在惰性气体保护下加热进行反应的步骤中，通过吹入所述惰性气体，将所述的受热升华的气态硒或硒化氢吹送到所述前驱物薄膜处。4.根据权利要求2所述的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈王伟，
申请(专利权)人：陈王伟，
类型：发明
国别省市：