钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用技术

本发明专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用。制备方法包括：一、称取六氯化钨粉末，溶解于正丙醇，搅拌至溶液呈蓝色，获得六氯化钨溶液；二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于无水乙醇，搅拌30min至溶液澄清；三、向六氯化钨溶液中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声30min，获得含混合六氯化钨的混合溶液；四、将步骤三中的含混合六氯化钨的混合溶液均匀滴加到衬底表面，然后将衬底转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将衬底转移到加热台低温退火，即可得到钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜。本发明专利技术有效减少了氧化钨中的氧空位。的氧空位。的氧空位。

Preparation and application of vanadium, niobium or tantalum doped tungsten oxide films

【技术实现步骤摘要】
钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用


[0001]本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用。

技术介绍

[0002]以硅片为基底的硅太阳能电池，钝化技术的发展进步使得电池效率进一步提升。从电池无钝化到局域钝化再到全钝化结构，电池的效率从最初的6％提升至26.6％，降低载流子复合和提升表面钝化对于电池技术发展、效率提升至关重要。目前，主要通过化学钝化和场钝化来降低表面载流子的复合。化学钝化是通过减少半导体表面的缺陷浓度来降低其复合速率。场钝化是通过拉大表界面电子、空穴载流子浓度的极大差值，来降低其复合速率。主要通过界面产生固定电荷的方式；以及通过能带匹配来控制界面载流子浓度来实现钝化。
[0003]高功函数过渡族金属氧化物(MoO3、WO3、VO3)，可以与硅形成良好的接触钝化。主要的机理是它们与硅形成能带弯曲，保证一种载流子通过，而阻挡另一种载流子。其中，通常得到的WO3是化学非计量的，导致其功函数下降，从而影响载流子的选择性传输和电池器件效率的下降。

技术实现思路
<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：一、称取六氯化钨粉末，溶解于正丙醇，搅拌至溶液呈蓝色，获得六氯化钨溶液；二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于无水乙醇，搅拌30min至溶液澄清；三、向六氯化钨溶液中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声30min，获得含混合六氯化钨的混合溶液；四、将步骤三中的含混合六氯化钨的混合溶液均匀滴加到衬底表面，然后将衬底转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将衬底转移到加热台低温退火，即可得到钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤三中五氧化二钒、五氯化铌或五氯化钽与六氯化钨的摩尔比为0.01
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【专利技术属性】
技术研发人员：王朋，魏亚菊，吴越，吴小平，徐凌波，林萍，崔灿，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：