【技术实现步骤摘要】
2,2
′‑
联吡啶(bpy);晶体材料2:A=1,10
‑
邻菲罗啉(phen),晶体材料3:A=3
‑
氰基吡啶 (3
‑
CNPy)溶于乙醇,分别得到溶液B。其中,按质量分数计,所述有机配体H2TMA与乙醇的比为1∶(30~50);
[0012]步骤3:将步骤2中溶液B加入步骤1的溶液A中,室温搅拌30分钟,过滤得到澄清溶液C;
[0013]步骤4:将步骤3所得澄清溶液C置于通风橱中12
‑
24小时,过滤得到固体,清洗所述固体得到配合物晶体材料。具体为:1为蓝色针状晶体[Cu(TMA)(bpy)(H2O)]·
2H2O;2为浅绿片状晶体[Cu(TMA)(phen)]·
3H2O;3为蓝色块状晶体[Cu(TMA)(3
‑
CNPy)]。
[0014]所述步骤4中,清洗所述固体的方法为:用蒸馏水和乙醇交替洗涤所述固体,所述蒸馏水和乙醇清洗的次数共为6次。
[0015]依照上述步骤所得三个五配位Cu(II)配合物晶体材料,其中1为零维(0D)配合物,2 为一维(1D)配合物,3为二维(2D)配合物。其特征在于中心Cu(II)活性位点为可调节的五配位模式。所述三个五配位Cu(II)配合物晶体材料中1属于正交晶系,空间群为Pbca,晶胞参数为:α=β=γ=90.00
°
;2属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为:α=γ=90.00
°
,β=95.27
°
; 3 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一系列五配位铜配合物晶体材料,包括3种含Cu(II)离子的配合物。其特征在于所述3种配合物晶体材料的化学式具体为:[Cu(TMA)(bpy)(H2O)]
·
2H2O(简称为1),[Cu(TMA)(phen)]
·
3H2O(简称为2)和[Cu(TMA)(3
‑
CNPy)](简称为3)。(H2TMA为3
‑
噻吩丙二酸,bpy为2,2
‑
联吡啶,phen为1,10
‑
邻菲罗啉,3
‑
CNPy为3
‑
氰基吡啶)。2.根据权利要求1所述的五配位铜配合物晶体材料,中心Cu(II)离子均为五配位,含有空配位点。其中,晶体材料1的特征在于,每个金属Cu(II)离子与一个水分子(O5)、一个TMA离子中不同羧酸基团的两个氧(O1,O3)及一个bpy分子的两个氮(N1,N2)配位,形成了扭曲四面体几何形状;晶体材料2的特征在于,每个Cu(II)离子与来自两个TMA离子中不同羧酸基团的三个氧原子(O1,O2A,O3)及一个phen分子的两个氮(N1,N3)配位,相邻的金属铜离子通过羧酸氧构成链状结构;晶体材料3的特征在于,每个Cu(II)离子与三个TMA离子中不同羧酸基团的四个氧(O1,O2B,O3,O4A)及一个3
‑
CNPy分子的氮(N1)配位,相邻的铜离子通过羧酸氧相连成为层状结构。3.如权利要求1所述的3个五配位铜配合物功能晶体材料,其中1为零维(0D)配合物结构,2为一维(1D)配合物结构,3为二维(2D)配合物结构。4.根据权利要求1所述的五配位铜配合物晶体材料,其特征在于所述三个晶体材料中,1属于正交晶系,空间群为Pbca,晶胞参数为:α=β=γ=90.00
°
;2属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为:;2属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为:α=γ=90.00
°
,β=95.27
°
;3属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为:;3属于单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数为:α=γ=90.00
°
,β=93.73
°
。所述五配位铜配合物晶体材料1的晶体数据和结构精修数据如下:所述五配位铜配合物晶体材料2的晶体数据和结构精修数据如下:
所述五配位铜配合物晶体材料3的晶体数据和结构精修数据如下:所述五配位铜配合物晶体材料1的部分特征键长和键角如下:所述五配位铜配合物晶体材料2的部分特征键长和键角如下:
用于产生等效原子的对称变换:#1x+1,y,z。所述五配位铜配合物晶体材料3的部分特征键长和键角如下:用于产生等效原子的对称变换:#1x+1/2,
‑
y+1/...
【专利技术属性】
技术研发人员:张乐喜,徐恒,殷艳艳,别利剑,李成涛,马腾,张子帆,
申请(专利权)人:天津理工大学,
类型:发明
国别省市:
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