一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，包括如下步骤：将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm；清洗后烘干或甩干，接着进行硼扩发射极的制备，并进行刻蚀；沉积氧化硅、本征多晶硅；对硅片进行高温处理，并进行磷掺杂；然后对处理后的硅片进行绕镀清洗；将石墨舟舟片上设置底座卡点，底座卡点的高度为1

【技术实现步骤摘要】
一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法。

技术介绍

[0002]规化石能源枯竭、以及生态环境的恶化，能源危机已经成为当前国际社会经济发 展的主要矛盾。为解决这一大危机，世界各国都在努力探索新能源。在新能源中，特别引人注目的是不断倾注于地球的永久性能源—太阳能。随着最近几年太阳能的发展，竞争也日 趋激烈。高效率、低成本成为太阳能企业的生存之本。
[0003]当前太阳能电池制造过程中，使用石墨舟进行相关工艺只能实现单面镀膜工艺，当新工艺要求实现双面镀膜时，传统方式需要进行两次工艺，一方面工艺总时长为两次单面镀膜时间的累积，一方面增加了外部自动化制程片翻片的工序，该工序不仅耗时，同时增加制程时间，产能低。

技术实现思路

[0004]基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法。
[0005]本专利技术提出的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，包括如下步骤：S1将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm；S2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：S1将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm；S2清洗后烘干，接着进行硼扩发射极的制备，并进行刻蚀；S3沉积氧化硅、本征多晶硅；S4对硅片进行高温处理，并进行磷掺杂；S5然后对处理后的硅片进行绕镀清洗；S6将石墨舟舟片上设置底座卡点，底座卡点的高度为1
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8毫米，将硅片放置在石墨舟舟片上的底座卡点上；S7通过沉积ALD氧化铝钝化介质层的方式在所述的硅片表面形成薄膜；S8通过PECVD镀膜方式对硅片进行双面沉积SiNx钝化介质层；S9采用丝网印刷制备电极；S10然后进行光注入或电注入，进行测试分选。2.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，其特征在于，所述硅片为单多晶硅片。3.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S2方阻为90
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200ohm/sqr。4.根据权利要求1所述的一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，其特征在于，所述光注...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鹏宇，
申请(专利权)人：赛勒斯新能源科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：