一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、晶体管技术

本发明专利技术提供一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、晶体管，高电子迁移率晶体管包括高阻缓冲层，高阻缓冲层包括Mn

【技术实现步骤摘要】
一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法、晶体管。

技术介绍

[0002]随着作为第三代半导体材料，GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度达、化学稳定好、抗辐射耐高温、易形成异质结等优势，成为制造高温、高频、大功率、抗辐射高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的首选材料。GaN基异质结构具有很高的载流子浓度和电子迁移率，其导通电阻小，并且禁带宽度的优势使得其能够承受很高的工作电压。因此，GaN基HEMT适用于高温高频大功率器件、低损耗率开关器件等应用领域。
[0003]对GaN基HEMT功率器件而言，关态下漏电和开态下功率输出是衡量电子器件性能的重要指标。在微波功率器件应用领域中，当器件在高频下工作时，器件漏电会引起能量损失，恶化器件工作性能。关态下低漏电不仅可以降低器件关态损耗，而且能提高器件的工作电压。相比于传统Si材料，GaN材料具有更宽的禁带宽度，理论上具有更大的临界击穿场强。然而，MOCVD外延生长的非故意掺杂GaN薄膜通常是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管外延片，包括Si衬底及依次设于所述Si衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、高阻缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，其特征在于，所述高阻缓冲层包括Mn
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AlGaN层。2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述高阻缓冲层包括多个交替层叠的Mn
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AlGaN层和Mn
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GaN层。3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，Mn
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AlGaN层与Mn
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GaN层的交替层叠的次数为10
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50。4.根据权利要求1～3任一项所述的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，当所述高阻缓冲层为Mn
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AlGaN层时，Al组分为0～0.5。5.根据权利要求1～3任一项所述的高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述高阻缓冲层的Mn掺杂浓度为1E+19cm
‑3～3E...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，吕蒙普，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：