掩膜版的清洗方法技术

一种掩膜版的清洗方法，包括：提供清洗腔室，所述清洗腔室内具有旋转台；将待清洗的掩膜版置于所述旋转台上；对所述掩膜版进行第一阶段清洗；对所述掩膜版进行第二阶段清洗，所述旋转台在第一阶段清洗时的转速小于在第二阶段清洗时的转速。本发明专利技术实施例提供的掩膜版的清洗方法，可以减少清洗过程中污染物在掩膜版表面形成的缺陷，降低掩膜版的报废率，有利于节约成本。于节约成本。于节约成本。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，尤其涉及一种掩膜版的清洗方法。

技术介绍

[0002]在半导体制备工艺中，掩膜版的使用非常广泛。制备工艺中使用过后的掩膜版需要进行清洗。目前掩膜版的清洗工艺主流方式为单片的旋转式清洗，在高速旋转下，掩膜版上的污染物会受到离心力以及化学清洗液的作用而抛离掩膜版表面。污染物在抛离的过程中，一方面，容易在掩膜版表面摩擦造成弧状、放射状分布的缺陷；另一方面，还可能撞击掩膜版图形区上的图形，造成图形倒塌。在清洗过程中造成的缺陷越多，会导致掩膜版的报废率增高。
[0003]因此，需要提供一种掩膜版的清洗方法，减少清洗过程中在掩膜版上形成的缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种掩膜版的清洗方法，可以减少清洗过程中在掩膜版表面形成的缺陷，减少掩膜版的报废率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种掩膜版的清洗方法，包括：提供清洗腔室，所述清洗腔室内具有旋转台；将待清洗的掩膜版置于所述旋转台上；对所述掩膜版进行第一阶段清洗；对所述掩膜版进行第二阶段清洗，所述旋转台在第一阶段清洗时的转速小于在第二阶段清洗时的转速。
[0006]可选的，所述第一阶段清洗包括第一阶段超声波清洗；所述第二阶段清洗包括第二阶段超声波清洗和第二阶段氧化剂清洗。
[0007]可选的，所述第一阶段清洗还包括第一阶段氧化剂清洗。
[0008]可选的，先进行第一阶段超声波清洗，再进行第一阶段氧化剂清洗。<br/>[0009]可选的，所述旋转台在第一阶段氧化剂清洗时的转速大于等于0转/分钟，且小于60转/分钟。
[0010]可选的，所述第一阶段氧化剂清洗时采用的清洗液包括为包括臭氧水、硫酸、双氧水以及深紫外线照射的去离子水的氧化性溶液。
[0011]可选的，当所述第一阶段氧化剂清洗时采用的清洗液包括大分子量氧化剂时，所述旋转台在第一阶段氧化剂清洗时的转速为0～30转/分钟。
[0012]可选的，所述大分子量氧化剂的分子量大于50。
[0013]可选的，当所述第一阶段氧化剂清洗时采用的清洗液的粘稠度大于2厘泊时，所述旋转台在第一阶段氧化剂清洗时的转速为0～30转/分钟。
[0014]可选的，在第二阶段清洗时，先进行第二阶段氧化剂清洗，再进行第二阶段超声波清洗。
[0015]可选的，所述旋转台在第一阶段超声波清洗时的转速大于等于0转/分钟，且小于60转/分钟。
[0016]可选的，所述第一阶段超声波清洗时采用的清洗液包括去离子水或碱性清洗液。
[0017]可选的，所述第一阶段超声波清洗的时间大于等于1分钟。
[0018]可选的，所述旋转台在第二阶段清洗时的转速为60～300转/分钟。
[0019]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0020]本技术方案提供的掩膜版的清洗方法，对掩膜版进行第一阶段清洗和第二阶段清洗，且旋转台在第一阶段清洗的转速小于在第二阶段清洗的转速。采用转速较小的第一阶段清洗，先带走大量的污染物，且由于转速小，旋转产生的离心力小，污染物以较小的相对速度脱离掩膜版表面，减少与掩膜版图形之间的摩擦，以及减小对掩膜版图形的撞击，从而减少形成的缺陷；然后再采用转速较大的第二阶段清洗，进一步去除残留的污染物，剩余污染物不会再形成过多的缺陷，从而保证整个清洗过程中减少在掩膜版表面形成缺陷，降低掩膜版的报废率，有利于节约成本。
附图说明
[0021]图1是本专利技术一实施例中掩膜版的清洗方法的流程图；
[0022]图2是第一阶段清洗的流程图；
[0023]图3是第二阶段清洗的流程图。
具体实施方式
[0024]如
技术介绍
所述，目前的掩膜版清洗工艺通常采用单片旋转式清洗。掩膜版在进入清洗腔室之前，表面会掉落不少污染颗粒物，且污染物的材质来源多样，包括各种大小不同、分子量不同、坚硬程度不同的颗粒物。在清洗过程中，污染颗粒物在高速旋转下会受到离心力以及化学清洗试剂的作用而抛离掩膜版表面。在旋转速度较快，离心力较大的情况下，一方面，污染颗粒物很容易与掩膜版表面发生摩擦，以致在掩膜版表面形成呈弧状分布或放射状分布的缺陷；另一方面，一些大分子量的颗粒物在抛离过程中，与掩膜版表面的相对移动速度较大，对掩膜版图形区的图形的撞击力较大，容易导致小图形的坍塌；而且，污染物还可能与图形作用后残留在掩膜版表面，造成颗粒缺陷。如果采用其他方式处理修复掩膜版的缺陷，则会增加生产成本和时间成本，而掩膜版上的形成的缺陷过多，也会造成掩膜版的报废。
[0025]为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种掩膜版的清洗方法，将掩膜版的清洗工艺分为两个阶段，且第一阶段清洗时掩膜版的转速小于第二阶段清洗时掩膜版的转速，第一阶段清洗过程中，先带走大量分子量较大或者较坚硬的污染颗粒物，由于转速较小，污染颗粒物在抛离掩膜版表面时产生的缺陷较少；后续再采用转速较高的第二阶段清洗，去除剩余的污染颗粒物，避免污染物残留造成颗粒缺陷，既能减少污染颗粒物在掩膜版表面的残留，又能减少污染颗粒物被清洗时在掩膜版表面形成的缺陷，有利于降低成本。
[0026]为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0027]图1是本专利技术一实施例中掩膜版的清洗方法的流程图；图2是第一阶段清洗的流程图；图3是第二阶段清洗的流程图。
[0028]参考图1，所述掩膜版的清洗方法包括：
[0029]步骤S1：提供清洗腔室，所述清洗腔室内具有旋转台；
[0030]步骤S2：将待清洗的掩膜版置于所述旋转台上；
[0031]步骤S3：对所述掩膜版进行第一阶段清洗；
[0032]步骤S4：对所述掩膜版进行第二阶段清洗，所述旋转台在第一阶段清洗时的转速小于在第二阶段清洗时的转速。
[0033]在步骤S1和S2中，所述清洗腔室为掩膜版清洗提供空间，所述清洗腔室内具有旋转台，所述掩膜版在清洗时置于所述旋转台上，在所述旋转台旋转产生的离心力以及清洗液的共同作用下，可以将掩膜版上的污染物抛离掩膜版的表面，从而达到清洗的目的。
[0034]本实施例中，所述清洗腔室内还包括若干喷头，用于向旋转台上喷淋清洗液。
[0035]参考图2，本实施例中，在步骤S3中，所述第一阶段清洗包括：
[0036]步骤S31：第一阶段超声波清洗；
[0037]步骤S32：第一阶段氧化剂清洗。
[0038]在其他实施例中，也可以不包括第一阶段氧化剂清洗。
[0039]本实施例中，当包括第一阶段氧化剂清洗时，先进行第一阶段超声波清洗，再进行第一阶段氧化剂清洗。因为，如果先进行第一阶段氧化剂清洗，氧化剂清洗时使用的清洗液本身会引入微颗粒，容易与掩膜版表面原本的污染物共同作用，在掩膜版表面形成缺陷。因此，先进行第一阶段超声波清洗，去除掩膜版表面大部分污染物后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的清洗方法，其特征在于，包括：提供清洗腔室，所述清洗腔室内具有旋转台；将待清洗的掩膜版置于所述旋转台上；对所述掩膜版进行第一阶段清洗；对所述掩膜版进行第二阶段清洗，所述旋转台在第一阶段清洗时的转速小于在第二阶段清洗时的转速。2.如权利要求1所述的掩膜版的清洗方法，其特征在于，所述第一阶段清洗包括第一阶段超声波清洗；所述第二阶段清洗包括第二阶段超声波清洗和第二阶段氧化剂清洗。3.如权利要求2所述的掩膜版的清洗方法，其特征在于，所述第一阶段清洗还包括第一阶段氧化剂清洗。4.如权利要求3所述的掩膜版的清洗方法，其特征在于，先进行第一阶段超声波清洗，再进行第一阶段氧化剂清洗。5.如权利要求3所述的掩膜版的清洗方法，其特征在于，所述旋转台在第一阶段氧化剂清洗时的转速大于等于0转/分钟，且小于60转/分钟。6.如权利要求5所述的掩膜版的清洗方法，其特征在于，所述第一阶段氧化剂清洗时采用的清洗液为包括臭氧水、硫酸、双氧水以及深紫外线照射的去离子水的氧化性溶液。7.如权利要求6所述的掩膜版的清洗方法，其特征在于，当所述第一阶段氧化剂清...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德建，卢聪，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：