一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器制造技术

本发明专利技术提供一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器，包括：压电基片、沉积在压电基片表面的输入叉指换能器和输出叉指换能器、以及覆盖在所述压电基片以及输入叉指换能器和输出叉指换能器上面的敏感膜。所述压电基片为兼具高机电耦合系数、高温度稳定性的晶体材料，该压电基片采用硅酸镓镧、钽酸镓镧、铌酸镓镧、磷酸镓、Ｓｒ↓［３］ＴａＧａ↓［３］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［１４］、Ｓｒ↓［３］ＮｂＧａ↓［３］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［１４］、Ｃａ↓［３］ＴａＧａ↓［３］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［１４］、Ｃａ↓［３］ＮｂＧａ↓［３］Ｓｉ↓［２］Ｏ↓［１４］以及Ｓｒ↓［３］Ｇａ↓［２］Ｇｅ↓［４］Ｏ↓［１４］和四硼酸锂。输入叉指换能器在压电基片中激发声波并传播，输出叉指换能器用于接收声波，当加载的被测物与敏感膜发生反应后会导致声波的特性发生变化，通过检测这些变化而得到关于被测物的特性结论。本发明专利技术从结构方面改善传感器性能，实现实用的低损耗、高温度稳定性的表面声波传感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型的低损耗、高温度稳定性的表面声波传感器，特别是涉及 一种采用硅酸镓镧(Za3G"5S/(94或La"gaWe )、钽酸镓镧(Za3Ga。 57^。 56>14或 Za"gam'fe )、铌酸镓镧(Z a3G^5 57V&a5014或Zawgatofe )、磷酸镓(GaP(94 )、 5>>3r 14 (STGS)、 &3M Ga3S/26>14 (SNGS)、 Ca37bGa3S/2(914 (CTGS)、 a 3M)Gaf35V2(914 (CNGS)以及5>3Ga2Ge4014 (SGG)和四硼酸锂(Lithium tetraborate) 为基片的新型表面声波传感器。
技术介绍
近几年来，随着航空航天、移动通讯、信息传感等技术的迅速发展，对声表面 波(SAW)期间的要求越来越高。作为SAW器件的核心单元，压电基片对SAW器件 的性能起着决定性的作用。近几年随着SAW技术应用领域和范围不断向广度和深度 方向发展，传统的SAW基片材料或是压电转换效率不够(如石英)，或是温度稳定性 不好(如铌酸锂、钽酸锂等)。传统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低损耗高温度稳定性的表面声波传感器，包括：压电基片、沉积在压电基片表面的输入叉指换能器和输出叉指换能器、以及覆盖在所述压电基片以及输入叉指换能器和输出叉指换能器上面的敏感膜，其特征在于：所述压电基片为兼具高机电耦合系数、高温度稳定性的晶体材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李红浪，程利娜，何世堂，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：发明
国别省市：11[]